SiGe/SiHBT发射结的寄生势垒及其对器件室温和低温特性的影响

研究了SiGe/Si HBT基区B杂质的偏析和外扩散对器件的影响.发现用MBE生长的Si Ge基区中,在材料生长时 B杂质的上述行为会严重破坏器件的室温电流增益并改变器件的低温性能.采用数值计算分析了B杂质的上述行为与在发射结产生的寄生势垒的关系,解释了器件温度特性的实验结果.并根据计算模拟和实验,讨论了SiGe隔离层的作用和优化的厚度     

NBT-KBT-NN无铅压电陶瓷性能研究

采用传统陶瓷的制备方法,制备出(1-x)Na0.44K0.06Bi0.5TiO3-xNaNbO3(x=0~0.10)的无铅压电陶瓷。X-射线衍射(XRD)分析表明,所研究的组成均形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体,其晶体结构则随NaNbO3含量的增加由三方转变为假立方结构,并最终转变为立方结构。陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料为弛豫型铁电体,随着NaNbO3的增加,材料的弛豫性增强;采用改进的居里-外斯定理可较好地描述材料的介电常数-温度关系。测试了不同组成陶瓷的压电性能,当NaNbO5含量为0.08 mol时,陶瓷的压电常数d33和平面机电耦合系数kp比基础组成略有下降,但其介电常数3Tε3/0ε和介质损耗tanδ则有较大程度的增加。     

基于海岸线背景的海面小目标检测方法

针对海岸线背景下的海面小目标的自动检测问题展开讨论,提出一种目标所在感兴趣区域的自动提取算法,将水域和复杂背景分离,并对分割后的二值图像进行标记,海面区域即水域应该是标记块中面积最大的一块,利用此特征提取出感兴趣区域——水域。对感兴趣区域进行轮廓跟踪后再用原始灰度进行扫描填充,在得到的简单背景下对目标进行局部中值滤波,进而用F—R准则将感兴趣舰船目标检测出来。最后拟利用感兴趣舰船目标区域的方差值计算感兴趣目标出现的置信度估计值,若置信度大于90％,则认为是真目标。实验结果给出了实验处理时间和所识别出的各个目标的置信度．表明了本文算法的有效性。     

增材制造TC4钛合金在激光抛光前后的电化学腐蚀性能

对表面已进行喷砂处理的增材制造TC4钛合金在氩气环境下进行激光抛光实验,通过极化曲线测试研究了抛光前、后钛合金的耐蚀性,并结合表面粗糙度、晶粒尺寸、表面残余应力以及显微组织分析了激光抛光对TC4钛合金耐蚀性的影响。研究结果表明:抛光钛合金的自腐蚀电位与自腐蚀电流密度均大于未抛光钛合金,说明抛光钛合金相比于原始钛合金的被腐蚀倾向更小,但其一旦受到腐蚀,腐蚀速率会略大于原始钛合金。自腐蚀电位的升高源于钛合金表面粗糙度的降低,自腐蚀电流密度的增大则是因为表面晶粒的细化以及残余拉应力的存在。     

横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型

分别考虑气相扩散和掩膜表面扩散过程，建立了金属有机化学气相沉积条件下横向外延过生长的速率模型. 在砷化镓衬底上外延磷化铟条件下，模拟得到了生长速率随掩膜/窗口宽度(m/w)变化的关系. 通过讨论掩膜/窗口宽度的影响，说明了掩膜宽度、窗口宽度以及有效掩膜宽度是决定生长速率的关键因素. 以上结论与实验结果一致. 关键词： 横向外延 生长模型 扩散 生长速率     

First-Principles Calculations of Electronic Structures of New Ⅲ-Ⅴ Semiconductors： BxGa1-xAs and TlxGa1-xAs alloys

We investigate the electronic structures of new semiconductor alloys BxGa1-xAs and TlxGa1-xAs, employing first-principles calculations within the density-functional theory and the generalized gradient approximation. The calculation results indicate that alloying a small TI content with GaAs will produce larger modifications of the band structures compared to B. A careful investigation of the internal lattice structure relaxation shows that significant bond-length relaxations takes place in both the alloys, and it turns out that difference between the band-gap bowing behaviours for B and TI stems from the different impact of atomic relaxation on the electronic structure. The relaxed structure yields electronic-structure results, which are in good agreement with the experimental data. Finally, a comparison of formation enthalpies indicates that the production Tlx Ga1-xAs with TI concentration of at least 8% is possible.     

甲烷氧化偶联纳米SrTiO3催化剂的原位ESR和TPSR表征

采用溶胶-凝胶法制备了纳米钙钛矿型复合氧化物SrTiO3催化剂,并用X射线粉末衍射、透射电子显微镜、原位电子自旋共振和程序升温表面反应等技术对催化剂进行了表征,测定了催化剂对甲烷氧化偶联(OCM)反应的催化性能.结果表明,与相同组成的常规SrTiO3催化剂相比,纳米SrTiO3催化剂具有较好的低温(～650℃)催化性能.通过增大Sr/Ti比可进一步优化纳米SrTiO3的催化性能.纳米SrTiO3催化剂表面的吸附氧物种和F中心均具有活化及催化甲烷分子生成C2烃产物的活性,但吸附氧物种易使OCM反应中间体和产物深度氧化,而F中心具有低温活化甲烷分子及高选择性生成C2烃产物的特性.纳米氧化物粒子因表面原子配位不饱和(配位数低),其表面存在较多的F中心。     

基于MATLAB GUI 的钻井工具姿态采集处理系统

本文主要涉及MATLAB在钻井工具空间姿态测量方面的应用,采用MATLAB环境下的GUI图形用户界面编程方法编制了上位机软件.该上位机软件通过对串口的操作和对Activex控件的调用,在室内模拟钻井实验中,实现了PC与片上系统C8051F060在115 200波特率下的串行通信、多路数据采集的控制及数据传输、处理,最终实现了对钻井工具空间姿态的测量.     

ΛN张量相互作用的首次观测

在用HYPERBALL进行的16ΛO的γ射线谱学测量中, 观察到由16ΛO的6.6 MeV 1－2 激发态跃迁到基态自旋翻转二重态( 1－1和0-)之间的两条γ射线. 由这两条γ射线的能量差得到基态二重态之间的能量间隔为26.4 ± 1.6(stat) ± 0.5(syst) keV, 并由此推导出ΛN之间的张量相互作用强度T=0.03MeV.实验还测定了16ΛO的激发态的激发能为6561.7 ± 1.1(stat) ± 1.7(syst) keV.     

二氧化钛纳米微粒膜光电化学行为的研究

利用不同的制备方法制备出二氧化钛纳米微粒膜，对二氧化钛纳米微粒膜的光电化学材为和产生的机理进行了研究．结果表明；二氧化钛纳米微粒膜除了具有传统半导体的光电化学性质外，还具有不同于传统半导体的光电化学性质这主要是出膜的微粒性引起的，可综合传统半导体和胶粒半导体两种模型来加以解释。