非晶态As2S8半导体薄膜波导的热处理效应

研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm.     

薄膜型热释电探测器红外响应模型分析

在进行热释电焦平面探测器ROIC(读出电路)设计时,必须充分考虑热释电探测器的红外响应特性,并根据探测器等效电路的SPICE模型进行设计仿真.从热释电探测器的热平衡方程出发,在Matlab平台上分析模拟了探测器对脉冲函数调制状态下的瞬态响应,并根据提供的薄膜材料参数在具体应用中建立了热释电探测器的等效电路模型.把探测器等效电路模型与SFD(源跟随器)型输入单元读出电路连接后进行模拟仿真,分析了不同条件下热释电探测器/读出电路组件的响应特性.     

铁电材料激光刻蚀系统中的PID微机控制技术

国内外已研究的网格化技术包括离子束刻蚀和激光化学辅助刻蚀.由于铁电体材料不易减薄至20μm以下,而且像元中心距也在逐步减小,采用离子束刻蚀技术实施网格化很困难.因此,为实现热释电非制冷焦平面探测器的网格化,减小热串音,提高器件的空间分辨率,采用了一套基于PID微机控制技术的激光化学辅助刻蚀系统对铁电材料进行了网格化刻蚀,较好地解决了大列阵铁电材料探测器的网状技术这一难题.     

缝合复合材料层板低速冲击损伤研究

通过三维动力学有限元法,以空间杆单元模拟缝线的增强作用,建立了缝合复合材料层板在横向低速冲击载荷作用下的渐近损伤分析模型.该模型考虑了缝合层板受低速冲击时的纤维断裂、基体开裂及分层等五种典型损伤形式,采用基于应变描述的Hashin失效准则和Yeh分层失效准则,并将其嵌入ABAQUs/Explicit用户子程序以实现相应损伤类型的判断及其材料性能退化.针对相同铺层的缝合与未缝合层板,模拟了低速冲击作用下的冲击响应和渐进损伤过程,数值结果与试验吻合较好,证明了该方法的合理有效性.同时探讨了冲击速度、缝合密度等对缝合层板冲击响应和损伤的影响.     

用史用情格物致知——读《物理学素养漫谈》

综合国际国内关于公民科学素养的定义,即公民科学素质是国民素质的重要组成部分,是指公民了解科学技术知识、掌握科学方法、具有科学思想、崇尚科学精神的程度,以及应用它们来处理生存与发展问题、生活与工作问题和参与公共事务的能力。     

基态丙酮酸单分子反应的机理

运用MP2和B3LYP方法,对基态丙酮酸的8个可能的单分子反应的反应机理进行了详细的理论计算.研究发现,氢键相互作用及两个羰基的相对空间取向在丙酮酸异构体的稳定性中起着重要的作用.并且由最稳定的异构体Tc旋转为其它异构体的能垒都比较高,旋转异构反应在室温下是难于进行的.经由质子迁移过程可实现Ct和Tt异构体之间的转化,但反应能垒比内旋转过程高得多,说明质子迁移无法与内旋转过程相竞争.对基态丙酮酸脱羧和脱羰反应途径的研究均表明,脱羧反应是经由五中心过渡态首先生成甲基羟基卡宾中间体,然后中间体再进一步异构得到产物.四中心协同反应机理是不利的.     

基于支持向量机的个人信用评估模型研究

随着我国经济的快速发展，个人信贷业务扩大，给银行带来收益的同时必然存在风险，针对传统个人信用评估方法的不足，鉴于支持向量机具有全局收敛性和良好的推广能力，本文将这种方法应用到信用评估中，利用支持向量机的方法对个人信用进行实证评估，并与K最近邻模型方法进行比较，得出了该方法的可行性和优越性，为银行建立一套完善的评估体系提供依据。     

TD—SCDMA直放站同步方式分析

文章首先介绍7TD—SCDMA制式信号物理层的帧结构的特点，进而分析了目前TD—SCDMA直放站可以采用的四种同步方式的原理和优缺点。     

自仿集的势论和分析性质

研究了关于自仿集上电荷分布的势论及有关分析性质。指出电荷分布、势及其Fourier变换的构造性质;明确给出了三分Cantor集上二项分布及其矩、Fourier变换、势的具体表达式;并给出一些数值结果。