染料调Q技术在激光微区分析仪中的应用

全文分为引言，调Q技术工作原理、调Q技术的应用及问题讨论等几个部分。     

非晶态As2S8半导体薄膜波导的热处理效应

研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm.     

热释电激光能量计

本文通过求解热传导方程分析了几种脉冲辐射作用下热释电信号的解析表达式。用简化模型和数值计算两种方法着重讨论了在近似激光脉冲辐射作用下，信号电压的规律性。得到了峰值电压正比于激光能量的条件和结论。介绍了PLEM-1型激光能量计的原理结构、电路和性能，并对仪器误差进行了初步分析。     

通信电声器件发展趋势

随着全球经济的一体化，全球信息高速公路的建立，通信产业进入了迅速发展的快车道。对作为通信终端的电声器件也提出了越来越高的要求。不仅使其形成了规模化发展，而且对其产品性能、结构的发展趋势起到了促进变化的作用，使其向小型化（甚至是微型化）、高抗噪化、与电路一体化等高性能和高可靠性方向发展。１小型化由于个人使用的传呼机和移动电话的小型化和个性化的发展，随之带来了蜂鸣器和送、受话器的小型化甚至是微型化。据了解，目前的产品，如手机用送话器外形已做到了Φ６ｍｍ×２．１ｍｍ，受话器已做到了Φ１０ｍｍ×２．５ｍ…     

硫化砷非晶态波导光阻断效应的机理研究

在实验研究了As₂S₈和掺杂As₂S₈薄膜波导光阻断效应的基础上,讨论了反常电子组态的形成机理和转移机理,提出了光阻断效应切断过程和回复过程的动力学模型,数值分析结果与实验数据十分符合,理论预期与实验现象一致,表明该模型抓住了光阻断效应的基本特征,揭示了过程本质,反映了实验现象的内在机理. 关键词： 光波导技术 硫属化合物玻璃 光阻断效应 动力学模型     

小型的Marantz VP8100 DLP投影机

资深音响厂商Marantz发表了一款最新的VP8100 DLP小型投影机,外观尺寸仅宽23.5cm×高9.84cm×深32.7cm,采用单一的1024×768 DMD,具有显示720p及电脑XGA画面的功能,而且根据需要,它可以自动改变影像的格式,VP8100能设定为16∶9宽屏     

光折变法制备的As2S8条形波导的光阻断效应

实验研究了As2S8薄膜光折变现象.提出并采用紫外光激励的方法试制了As2S8条形波导,导模激励显示该波导具有良好的导波特性.在此基础上,考察了As2S8条波导的光阻断效应,实现了光-光效应的开关功能.     

通用有限元系统实现无限域波动仿真方法

在有限元模型中加入人工边界,可以进行无限域波动仿真。本文将介绍一种改进的Higdon人工边界,并通过适当的变换形式,将其在通用有限元软件上实现。最后通过数值实验验证了这种方法具有良好的稳定性和计算精度,并且实施简单方便,其他人工边界条件可参照本文方法,通过变换形式在通用有限元程序中实现。     

机械力化学法制备Pb(Sc0.5Ta0.5)O3弛豫铁电陶瓷微粉

用机械力化学法合成了单相Pb(Sc0.5Ta0.5)O3（R）弛豫铁电陶瓷微粉，并对球磨5h得到的陶瓷粉体和未经球磨的原料进行了热处理研究，实验结果表明，单相Pb(Sc0.5Ta0.5)O3可在球磨7h得到，TEM图像显示，晶粒尺寸为30－40mm，与根据Scheerer公式计算的结果吻合，5h粉体的热处理结果显示，焦绿矿相并未因球磨过程而在煅烧中不出现，原 粉体的热处理结果也显示出焦绿矿在1350℃温度下煅烧4h，仍有少量存在，比较实验的结果表明，在制备Pb(Sc0.5Ta0.5)O3的过程中，初始原料必须经过充分球磨才可实现单相目标产物的合成。     

CuGaS_2的晶体生长与发光

具有黄铜矿晶体结构的Ⅰ—Ⅲ—Ⅵ_2族化合物半导体与Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体的晶