新型材料InGaNAs的生长与应用前景

详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波长光泵垂直外腔面发射激光器、半导体可饱和吸收镜和长波长谐振腔增强探测器方面的优势。     

α-可分解4-圈系统

An m-cycle system of order ν and index λ, denoted by rn-CS(ν, λ), is a collection of cycles of length m whose edges partition the edges of λκ_v. An m-CS(ν, λ) is α-resolvable if its cycles can be partitioned into classes such that each point of the design occurs in precisely α cycles in each class. The necessary conditions for the existence of such a design are m|λν(ν-1)/2,2|λ(ν-1), m|αν,α|λ(ν-1)/2 It is shown in this paper that these conditions are also sufficient when m = 4.     

两类典型多目标跟踪算法的性能分析与比较

在处理目标跟踪的两类主要方法中,一类是通过数据关联来解决,如PDA和JPDA等;另一类则是绕过关联直接处理,如随机集、GM-PHD等。该文从两类典型方法中各选取一种有代表性的方法,如JPDA与GM-PHD,首先通过分析两种算法主要步骤的计算量,得到相应算法总计算量的解析表达式;然后根据观测与目标状态之间关联复杂程度,分3种情况对两类算法的计算量进行比较;最后以仿真说明算法的跟踪效果,并以算法运行时间来验证计算量公式的正确性。     

基于对抗补丁的可泛化的Grad-CAM攻击方法

为了验证Grad-CAM解释方法的脆弱性,提出了一种基于对抗补丁的Grad-CAM攻击方法.通过在CNN分类损失函数后添加对Grad-CAM类激活图的约束项,可以针对性地优化出一个对抗补丁并合成对抗图像.该对抗图像可在分类结果保持不变的情况下,使Grad-CAM解释结果偏向补丁区域,实现对解释结果的攻击.同时,通过在数...     

色散缓变光纤中Raman孤子自频移效应的研究

利用绝热扰动法研究了色散缓变光纤中Ｒａｍａｎ孤子自频移效应，得到了色散缓变光纤中Ｒａｍａｎ孤子自频移的表达式。结果表明：光纤色散变化率存在一个可以有效抑制孤子自频移的阈值，当光纤色散变化率大于这个阈值时，色散缓变光纤可以抑制孤子自频移，而当光纤色散变化率小于这个阈值时，色散缓变光纤不仅不能抑制孤子自频移，反而加剧孤子自频移。     

变电运行动态培训仿真系统的研制

本文重要介绍用于电气运行人员培训的动态仿真专家系统的设计思想、实现方法及其应用效果。     

基于光纤光栅的机器人腕部多维力传感器

为实现机器人腕部等关节受力情况的测量,设计了一种十字型光纤光栅多维力传感器,该传感器由两个圆环及两环间呈90°分布的四个相同的等截面悬臂梁及粘贴于其上的光纤光栅组成.分析了传感器的传感原理并使用ANSYS对传感器进行力学仿真分析;研究了传感器不同部位受力时悬臂梁的应变情况;搭建了实验平台,进行了传感器的标定实验和温度补偿研究;通过对仿真数据和试验结果进行数学分析,得出了光纤光栅中心波长漂移量与传感器的受力关系.实验结果显示,该传感器能准确地测量腕部所受力的大小和位置,误差在1.6％以内,且抗干扰能力强,具有较好的稳定性,能在复杂环境中使用.     

便宜才是硬道理

数码相机早就不再是什么奢侈品,而是一种已经非常普及的消费类电子产品。消费类电子产品有个著名的特性,那就是降价很快。因为电子产品的更新换代速度是非常快的,而且量产的商品几乎不存在收藏价值。这也意味着,只要厂商愿意,它们完全可以做出价格非常便宜的产品,三星S760就是一款价格非常非常便宜的数码相机,不足千元的售价让它成为市面上最便宜的国际品牌数码相机之一。     

采用单胞群匹配法做成的3W宽带放大器

高功率宽带单片放大器具有内在的性能限制,为了确保最佳性能和高的成品率,要求特殊的制备工艺和设计方法。本文介绍了“单胞群匹配”的设计方法,解决了功率宽带问题,并且详细讨论了实现这些设计所采用的高成品率的制备工艺。特别详细地讨论了采用“单胞群匹配法”做成的3W、8～12GHz放大器,并报导了初步的测量结果。     

用MBE法生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结的半绝缘Al_xGa_(1-x)As缓冲层

用分子束外延法生长了以半绝缘Al_xGa_(1-x)As为缓冲层的GaAs外延层,这种缓冲层具有很高的击穿电压。研究了击穿电压与生长条件和Al_xGa_(1-x)As缓冲层组份之间的关系。当Ⅴ族与Ⅲ族元素束流强度比增加时,以Al_(0.4)Ga_(0.6)As层作缓冲层的击穿电压比以GaAs层作缓冲层的击穿电压要高得多,而且在Al_(0.4)Ga_(0.6)As上生长的GaAs有源层具有很高的质量。