填充间规聚苯乙烯的结晶

间规聚苯乙烯(sPS)性能取决于结晶行为与晶型,sPS结晶行为与形态有许多研究.本文重点综述了黏土、纳米CaCO3、滑石粉、SiO2、Mg(OH)2、TiO2,和成核剂等对sPS结晶行为、结晶形态、熔融特性与晶型的影响.认为sPS结晶行为与晶型取决于成核能垒.成核能垒低,有利于形成α-晶.熔融温度提高,提高成核能垒,有利于形成β-晶.填料加入阻碍sPS结晶成核,提高成核能垒,有利于形成β-晶.成核剂加入,降低成核能垒,有利于形成α-晶.     

一种新的平面回音壁模蓝宝石谐振器模型

基于环状谐振器传输线法(Transmission-line ring resonator)分析建立了单端口和双端口回音壁模平面蓝宝石介质谐振器模型,分别得到了对应的传输公式。并设计制作了一个单端口蓝宝石谐振器,采用新模型可以对原先模型一直无法解释的实验现象作出合理的解释,验证了该模型的有效性。     

一种低噪声高线性度CMOS上变频混频器

设计实现了一种采用开关跨导型结构的低噪声高线性度上变频混频器,详细分析了电路的噪声特性和线性度等性能参数,本振频率为900 MHz。芯片采用0.18μm Mixed signal CMOS工艺实现。测试结果表明,混频器的转换增益约为8 dB,单边带噪声系数约为11 dB,输入参考三阶交调点(IIP3)约为10.5 dBm。芯片工作在1.8 V电源电压下,消耗的电流为10 mA,芯片总面积为0.63 mm×0.78 mm。     

BMI/DDE/F-51 环氧树脂的固化及其热稳定性

以双马来酰亚胺(BMI)/二氨基二苯醚(DDE)组合固化剂对酚醛环氧树脂(F-51)进行固化,得到了BMI/DDE/F-51 固化体系,将该体系与单一固化剂固化的 BMI/F-51、DDE/F-51 体系进行比较,探求其固化机理和热稳定性.用差示扫描量热仪(DSC)研究了BMI/DDE/F-51 的固化反应动力学,求得固化反应表观活化能 Ea=60.86 kJ/mol、碰撞因子 A=2.04×106s-1和反应级数 n=0.89;用傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对反应历程进行了探讨;用热失重分析仪(TGA)研究BMI/DDE/F-51 固化树脂的热分解动力学,确定了热稳定性能良好的耐高温环氧树脂新体系,其热分解反应表观活化能为 BMI/F-51 或 DDE/F-51 固化体系的3倍以上,达 166.08 kJ/mol.     

基于高速肖特基二极管的100 ps瞬态取样门设计与仿真

 皮秒级瞬态取样门主要应用于激光聚变实验和高能物理实验中,对单次高速脉冲进行实时取样。提出了一种新颖的基于肖特基二极管桥的平衡取样门,给出其模型和具体电路设计。电路仿真结果表明,对称的选通设计保证了选通脉宽为100 ps时,取样间隔也为100 ps,取样门带宽为4.4 GHz,可应用于多路超短激光脉冲取样。     

稀释器采用流量比标定方法的不确定度分析

分析了稀释器的不同标定方法和由其产生的稀释比偏差,得出采用流量比标定稀释器的方法较好,同时建议采用粒子计数器计算稀释器上下游的粒子浓度比,以评估标定稀释器时两种稀释比测量结果的允许误差。     

近地水平接地天线的数值分析

用矩量法（MoM）结合离散复镜像理论（DCIM）研究了有耗地面上方水平接地天线的性能以及天线之间的互耦。由离散复镜像理论得到了分层媒质中空域磁矢位格林函数和电标位格林函数的闭合表达式，避免了直接作索末菲积分。讨论了对接地点的处理方法，提出以集中加载的接地电阻来描述接地点地网特性，并在天线末端附加一个电流项，此外无须再寻求任何关于末端电流的终端条件。提出采用分段辛普森数值积分方法来计算检验源和展开源重合时的阻抗矩阵元素，最后给出了部分计算结果，并与文献数据进行了对比。     

基于累积变换的周期性对称调制模式的快速自动搜索算法

借鉴平面变换技术,将密集雷达脉冲序列映射成平面位图矩阵,并提出自动搜索周期性对称调制模式的快速算法,用于分选密集信号环境下PRI受周期性对称调制的雷达脉冲.大量的仿真试验结果表明算法在密集信号环境下,分选PRI是周期性对称调制的雷达脉冲的平均准确率达到92%,平均漏选率只有5%,极大地提高了雷达脉冲分选的效率和准确性.最后给出模式搜索时间、脉冲分选平均准确率和平均漏选率随脉冲密度变化的结论.     

博弈论视角下第三代移动通信系统标准之争

针对3G移动通信产业的发展问题,运用博弈论方法分析了政府、电信运营商、本土制造商和外国制造商在3G标准选择中的博弈过程,并通过研究表明:政府应该以实现国家利益最大化为前提,充分运用决策机制改变各博弈方的收益,使博弈达到均衡。     

硅化物阻挡层对高压漏扩展MOS晶体管的影响

Silicide-block-film effects on drain-extended MOS （DEMOS） transistors were comparatively investigated, by means of different film stack stoichiometric SiO2 and silicon-rich oxide （SRO）. The electrical properties of the as-deposited films were evaluated by extracting source/drain series resistance. It was found that the block film plays a role like a field plate, which has significant influence on the electric field beneath. Similar to hot-carrier- injection （HCI） induced degradation for devices, the block film initially charged in fabrication process also strongly affects the device characteristics and limits the safe operating area.