基于CAN总线的高分辨率工业显示屏控制器

为了优化工业显示屏,提出一种利用CAN总线的优势来优化工业显示屏控制器的方法。该控制器创新点在于以CAN总线作为传输,控制键和数字输入键的命令集经CAN总线传输到STM32单片机,STM32单片机运算、转换数据后经内部FSMC接口发送给FPGA,FPGA控制数据发送到SDRAM,显示屏由FPGA控制取读SDRAM内部的数据并显示,最大通信距离可达10km,通信速率可达1 Mbit/s。经实验验证,能提高传输速率并且能支持多个设备和高分辨率显示。     

光时域反射光纤光栅传感系统中双激光器的驱动设计

为了扩大应变测量的范围,提出了使用两个分布反馈式(DFB)激光器作为光时域反射光纤光栅(OTDR-FBG)传感系统的光源的方法,并设计了相应的纳秒脉冲驱动电路和温控电路,得到两个激光器的驱动脉冲宽度分别为3.10 ns和3.18 ns,脉冲幅值分别为4.40 V和4.08 V,温度控制电路精度达到±0.04 ℃。经测试得到的纳秒脉冲和温控精度满足OTDR-FBG传感系统的要求。     

基于小波收缩的噪声图像恢复新型算法实现与验证

小波变换技术是近20年发展起来的新的信号处理技术,但对小波的研究由来已久。随着小波理论的不断完善,它以自身良好的时频特性在图像去噪领域受到越来越多的关注。图像去噪是信号处理中的一个经典问题,传统的去噪方法多采用平均或线性方法进行,但是其去噪效果不好,本文基于此目的,采用了连续两次半软阈值去噪的方法,来去除含噪图像的噪声,最后通过MATLAB软件仿真此方法的去噪效果,并与其它去噪方法进行比较,得出本文提出的方法去噪效果更优越。     

微机电系统封装技术

首先提出了MEMS封装技术的一些基本要求,包括低应力、高真空、高气密性、高隔离度等,随后简要介绍了MEMS封装技术的分类.在此基础上,综述了三个微机电系统封装的关键技术:微盖封装、圆片级芯片尺寸封装和近气密封装,并介绍了其封装结构和工艺流程.     

氦质谱细检漏的基本判据和最长候检时间

国内外普遍认为,现行军用标准有关氦质谱细检漏的测量漏率判据,对于筛选后内部水汽含量小于5 000 ppm的要求过于宽松.但标准改进中,加严判据与检测条件之间的矛盾,使人们处于困窘的局面.作者主张以氦气交换的时间常数τHe为主要变量,以严密等级τHemin为基本判据,简化了氦质谱细检漏测量漏率公式,选择了一条可更为简捷分析和处理问题的技术途径.进而推演提出了压氦法和预充氦法的最长候检时间公式,小内腔容积时再辅以二步检测法和贮存法,可从几倍到几个数量级地拓展最长候检时间,从而破解了候检时间过短这一技术瓶颈,为降低吸附漏率创造了条件,为设计加严判据要求的压氦法和预充氦法的固定方案和灵活方案,为全面改进密封性氦质谱检测方法标准提供了理论依据,对控制密封元器件长期贮存后的内部水汽、提高其可靠性有重要意义.     

多芯片组件的布线

布线是多芯片组件（ＭＣＭ）ＣＡＤ中的一个关键步骤，由于ＭＣＭ的封装密度很高，因此，因此，其布线问题也较传统的ＩＣ或ＰＣＢ布线更为困难，指出了ＭＣＭ布线中存在的问题，介绍了当前用于ＭＣＭ布线的几种方法，着重讨论了ＳＬＩＣＥ布线法和４通孔布线法，对这几种方法进行了比较，４通孔布线法可直接产生详细布线结果，有利于节省成本和提高布线效率。     

电子信息对抗作战对象的未来发展特点及其对抗体系发展战略研究

面对当今世界军事变革、部队转型的新形势,我们必须深刻思考军事战略重心转移所引发的需求变化以及新的武器装备采办政策、技术发展路线图等等问题。从电子信息对抗在未来战争中的作用和地位出发,分析其主体作战对象的发展特点,并根据未来电子信息对抗核心作战能力建设的军事需求,探讨能够确保全谱战斗空间信息优势和决策优势的对抗体系及其发展战略。     

热致漂白效应对非晶Ge34Ga2S64薄膜结构和光学特性的影响

采用热蒸发法技术沉积Ge34Ga2S64非晶薄膜,并对薄膜样品在375℃热处理2h。通过分光光度计、表面轮廓仪和显微拉曼光谱仪测试热处理前后薄膜样品的透过曲线、薄膜厚度和拉曼结构。利用薄膜干涉曲线的波峰和波谷计算了薄膜的厚度和折射率,并根据Swanepoel方法以及Tauc公式分别计算了薄膜折射率色散曲线和光学带隙等参数。结果表明,Ge34Ga2S64非晶薄膜经热处理后发生热致漂白效应,大分子团簇以及Ge-Ge、S-S同极错键含量明显减少,网络结构无序性降低,从而引起薄膜的光学吸收边蓝移、折射率降低、表面粗糙度(Ra)降低0.515nm和光学带隙增大0.118eV。     

一种测量体光栅调制度和有效厚度的新方法

以Kogelnik的体相位光栅耦合波理论为基础,通过测量光折变体光栅的衍射效率与布喇格偏移角的关系曲线,并根据该曲线的3dB带宽和旁瓣峰值的相对大小及其角度偏移量,可计算出光折变体光栅的折射率调制度和有效厚度。对LiNbO3：Fe晶体的实验测量结果很好地验证了该方法的可行性,其测量精度与数字全息术和马赫一曾德干涉仪的方法相当,但测量过程却更加简单。     

太赫兹折叠波导慢波结构的设计与微加工

从行波管工作的物理特性提出了一种获得折叠波导慢波结构参数的简单方法,给定工作频率和电压,能够获得折叠波导慢波结构的初始参数.设计了D波段的折叠波导结构来验证该方法,对其冷测特性如色散、耦合阻抗进行了分析.仿真结果表明,设计的折叠波导慢波结构在中心频率处具有较平缓的色散关系,在中心频率处耦合阻抗为3.5欧姆.在电子注电压为20.6 kV,电流为15 mA时,27 mm(50个周期)的折叠波导慢波结构在220 GHz具有13.5 dB的增益,3 dB带宽为11 GHz(213~224 GHz).同时讨论了折叠波导慢波结构的微加工工艺,并通过UV-LIGA工艺获得了实验样品.