场板SOI RESURF LDMOS表面势场分布解析模型

以往对SOI器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设,且大多未考虑场板对表面势场分布的影响。通过分区求解二维泊松方程,建立了场板SOI RESURF LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型。该模型同时考虑了栅场板和漏场板的作用,既适用于漂移区全耗尽的情况,也适用于漂移区不全耗尽的情况。利用此模型和半导体器件仿真工具Silvaco,详细探讨了器件在不同偏压下栅场板和漏场板对漂移区表面电势和电场分布的影响。解析模型结果与数值仿真结果吻合良好,验证了模型的准确性。     

一种非均匀结构的分布式功率放大器的设计

宽带功率放大器的应用对于提升脉冲多普勒雷达等军用和民用系统的性能具有重要的意义。采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一种非均匀结构的宽带分布式功率放大器。采用峰化电感以提高放大器的增益,在漏极人工传输线的输出端增加L型匹配网络,改善了放大器的阻抗匹配特性。仿真结果表明,该放大器在1.5～15 GHz频率范围内的增益为10.7 dB,带内增益平坦度为±1 dB;1 dB压缩点处的输出功率为6.3~9.8 dBm,PAE为6.8%~15%;饱和输出功率为9.4~12.3 dBm,对应的PAE达到14%~26.7%,表现出良好的综合性能。