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在原子的量子位相中存储信息的潜在优点是数据恢复的速度。理论家在年提出的算法可在N状态系统中以N步设置数据 而不是像在经典的算法下 以N/步设置数据 数据库可以进一步寻求以单步设置。 密西根大学研究人员以实验证实了理论。他们以双光子吸收法 用.μm的激光创建铯原子的“数据库”。啁啾脉冲放大的Ti宝石激光器提供fs nm的脉冲 用来编制原子程序和恢复信息。以%~%的精度确认单个询问的信息。 《激光与光电子学进展》2001,(2):38
在原子的量子位相中存储信息的潜在优点是数据恢复的速度。理论家在1997年提出的算法可在N状态系统中以N步设置数据,而不是像在经典的算法下,以N/2步设置数据,数据库可以进一步寻求以单步设置。
密西根大学研究人员以实验证实了理论。他们以双光子吸收法,用1.08 μm的激光创建铯原子的“数据库”。啁啾脉冲放大的Ti宝石激光器提供150 fs,785 nm的脉冲,用来编制原子程序和恢复信息。以80%~96%的精度确认单个询问的信息。 相似文献
162.
Daimlar ChryslerResearch Center Umiversity of Ulm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In . Ga. As PIN二极管 并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 InP基InGaAs PIN二极管胜过GaAs开关电路 同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 采用线性InAAs应变缓冲层 其结果是消除%的应力。 已报道的SPST隔离度高达dB .dB低的插入损耗 在GHz下 直流损耗仅为.mWSPDT在GHz下已取得—dB的隔离和-.dB的插 《微电子技术》2001,29(3):22
DaimlarChryslerResearchCenterandUmiversityofUlm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In 0 52Ga 0 4 8AsPIN二极管 ,并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 ,InP基InGaAsPIN二极管胜过GaAs开关电路 ,同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 ,采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 ,采用线性InA1As应变缓冲层 ,其结果是消除 94 %的应力。已报道的SPST隔离度高达 4 5dB … 相似文献
163.
映射概念是现代数学中最基本的概念之一.在中学数学教学中引进它是很有好处的,正如高级中学试验课本《数学Ⅰ》(人民教育出版社,1993年版)和全日制普通高级中学教科书(试验本)《数学第一册(上)》”(人民教育出版社,1996年版)中所做的那样.在这两本教材中,映射概念是这样定义的:“设A,B是两个集合.如果按照某种对应法则f,对于集合A中的任何元素,在集合B中都有唯一的元素和它对应,那么这样的对应叫做集合A到集合B的映射,记作f:A→B.”在给出这个抽象定义之前,两书都先给出了一些具体例子,如f为“开平方”法则、“求平方”法则、“… 相似文献
164.
165.
166.
167.
钾明矾(KAl(SO4)2·12H2O)有较高的潜热和良好的导热性(熔化热232.4kJ/kg,导热系数为0.55W/m·K),熔点为91℃,是中低温相变材料中较有开发价值的一种.但是它的过冷度高达19.8℃,并且由于相变过程伴随着结晶水的蒸发使无机盐的使用寿命大大降低.本文通过冷指法及添加成核剂的方法对硫酸铝钾的过冷现象进行了研究,结果表明成核剂NiSO4·6H2O、MgCl2·6H2O能较好的改善过冷现象,当MgCl2·6H2O的添加量为2;时可使过冷度降为零,且能保持钾明矾的相变温度而不使其降低.利用MgCl2·6H2O具有很强的吸湿性,可以补充相变过程中损失的水分,使相变材料的使用寿命大大提高. 相似文献
168.
本文简述了疏水性表面的基本原理,分别从低表面能物质修饰和表面微细粗糙结构的构建两个方面,对疏水性陶瓷材料的制备技术和最新的成果进行了总结,介绍了其潜在的应用并对未来的研究方向作了展望. 相似文献
169.
170.
接口带宽是5G、AI、云计算等信息系统核心芯片的关键属性。简单扩展传输通道数目可成倍增加传输带宽,但封装与连接器引脚增加会导致结构难题,密集的互连线会恶化串扰,高速串行接口技术必不可少。在过去的10多年中,高速串行接口在传输速度和体系架构上有飞跃式的进步,从10G发展至112G/224G,这要求对传输过程中各种非理想因素的建模和分析更加精细,业界为此建立了一套全新的方法学。抖动是高速串行接口设计和应用中最大的挑战之一,本文从全链路视角介绍超高速串行接口的有效抖动模型,并给出测试方法,为高速系统设计提供参考与指导。 相似文献