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151.
用传统的抛光法精确塑造光学元件 得到低波前畸变是一项极其困难的任务 特别是那些大于cm或小于 cm的光学元件。无论大的还是小的光学元件 波前测量都很困难。 如果可以同时制造和测量光学元件就方便多了。对中等大小的光学元件也很方便 但在处理中等大小光学元件时 有好几种方案。 大阪大学激光工程研究所的Jitsuno及其同事已开发一种技术 可同时进行整形和相位测量 波前畸变很小。这种技术称作激光烧蚀成形 它用nm ArF准分子激光来塑造光学器件 用相移干涉仪现场检测像差。 研究者试图用这种方法来塑造 《激光与光电子学进展》2001,(3):59-60
用传统的抛光法精确塑造光学元件,得到低波前畸变是一项极其困难的任务,特别是那些大于50 cm或小于1 cm的光学元件。无论大的还是小的光学元件,波前测量都很困难。
如果可以同时制造和测量光学元件就方便多了。对中等大小的光学元件也很方便,但在处理中等大小光学元件时,有好几种方案。
大阪大学激光工程研究所的Jitsuno及其同事已开发一种技术,可同时进行整形和相位测量,波前畸变很小。这种技术称作激光烧蚀成形,它用193 nm ArF准分子激光来塑造光学器件,用相移干涉仪现场检测像差。
研究者试图用这种方法来塑造玻璃和石英,但碎片使表面粗糙,难以接受。但对于塑料,烧蚀下的材料与大气中的O2反应,碎片量可忽略不计。把塑料的均匀烧蚀性能与玻璃的优秀光学性能结合,在玻璃基质上镀一层50 μm厚的紫外线干燥树脂。
实验者使用准分子激光器,在直径为5 cm的玻璃-塑料混合基质上产生平面和球面。使用的光通量为45 mJ/cm2,使表面粗糙度降至最低。
激光烧蚀整形可以在安装以后重新形成激光二极管的微透镜,以补偿位置误差
平面的波前畸变开始点为3.0 λ,激光烧蚀后,在90%的表面上降至0.17 λ。球面开始点为2.5 λ,用整形法产生波前少于0.2 λ的非球面部件。激光器在17 Hz下操作,过程耗时4小时。一台性能良好的标准抛光机要花费6小时方能使玻璃基质达到同样的水平。
激光烧蚀整形能达到的精确度和表面粗糙度使其在通用光学器件方面有广泛用途,亦可用于折射光学器件的背面整形,可能特别适用于激光二极管的微透镜或单模光纤,因为在装配以补偿位置误差后,它还可以重塑表面。
研究者发表其结果后,一直在这一领域进行实验。因为在激光二极管中有波前误差,转而使用Shack-Hartman传感器,这种传感器在聚甲基丙烯酸酯中产生的表面波纹更加敏感。最近,他们借助一台新的脉冲CO2激光器,成功地用烧蚀法平滑表面。经证明单模光纤更容易,但表面粗糙度仍不令人满意。 相似文献
152.
日本ウシオ电机株式会社批量生产标准样机 开发了一种重复率kHz输出 W的ArF准分子激光器。其稳定性±.%线宽. pm脉宽ns 性能达到世界最高水平。 ArF激光波长为 nm 可用作生产线幅.~. μm半导体的光刻用光源。 该公司还利用相同的ArF激光器 在世界上首次实现重复率 kHz输出W的基本性能。 《激光与光电子学进展》2001,(4):64
日本ウシオ电机株式会社批量生产标准样机,开发了一种重复率2 kHz、输出10 W的ArF准分子激光器。其稳定性±0.25%、线宽0.4 pm、脉宽50 ns,性能达到世界最高水平。
ArF激光波长为193 nm,可用作生产线幅0.10~0.13 μm半导体的光刻用光源。
该公司还利用相同的ArF激光器,在世界上首次实现重复率4 kHz、输出20 W的基本性能。
(以上由江涛供稿) 相似文献
153.
在原子的量子位相中存储信息的潜在优点是数据恢复的速度。理论家在年提出的算法可在N状态系统中以N步设置数据 而不是像在经典的算法下 以N/步设置数据 数据库可以进一步寻求以单步设置。 密西根大学研究人员以实验证实了理论。他们以双光子吸收法 用.μm的激光创建铯原子的“数据库”。啁啾脉冲放大的Ti宝石激光器提供fs nm的脉冲 用来编制原子程序和恢复信息。以%~%的精度确认单个询问的信息。 《激光与光电子学进展》2001,(2):38
在原子的量子位相中存储信息的潜在优点是数据恢复的速度。理论家在1997年提出的算法可在N状态系统中以N步设置数据,而不是像在经典的算法下,以N/2步设置数据,数据库可以进一步寻求以单步设置。
密西根大学研究人员以实验证实了理论。他们以双光子吸收法,用1.08 μm的激光创建铯原子的“数据库”。啁啾脉冲放大的Ti宝石激光器提供150 fs,785 nm的脉冲,用来编制原子程序和恢复信息。以80%~96%的精度确认单个询问的信息。 相似文献
154.
Daimlar ChryslerResearch Center Umiversity of Ulm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In . Ga. As PIN二极管 并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 InP基InGaAs PIN二极管胜过GaAs开关电路 同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 采用线性InAAs应变缓冲层 其结果是消除%的应力。 已报道的SPST隔离度高达dB .dB低的插入损耗 在GHz下 直流损耗仅为.mWSPDT在GHz下已取得—dB的隔离和-.dB的插 《微电子技术》2001,29(3):22
DaimlarChryslerResearchCenterandUmiversityofUlm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In 0 52Ga 0 4 8AsPIN二极管 ,并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 ,InP基InGaAsPIN二极管胜过GaAs开关电路 ,同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 ,采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 ,采用线性InA1As应变缓冲层 ,其结果是消除 94 %的应力。已报道的SPST隔离度高达 4 5dB … 相似文献
155.
映射概念是现代数学中最基本的概念之一.在中学数学教学中引进它是很有好处的,正如高级中学试验课本《数学Ⅰ》(人民教育出版社,1993年版)和全日制普通高级中学教科书(试验本)《数学第一册(上)》”(人民教育出版社,1996年版)中所做的那样.在这两本教材中,映射概念是这样定义的:“设A,B是两个集合.如果按照某种对应法则f,对于集合A中的任何元素,在集合B中都有唯一的元素和它对应,那么这样的对应叫做集合A到集合B的映射,记作f:A→B.”在给出这个抽象定义之前,两书都先给出了一些具体例子,如f为“开平方”法则、“求平方”法则、“… 相似文献
156.
157.
158.
159.
文中提出了一种结构型多尺度超材料吸波体。微观层面,该吸波体的结构单元采用微米级羰基铁粉
(CIPs)和多壁碳纳米管(MWCNTs),二者可有效提升吸波体的介电损耗及磁损耗特性;宏观层面,吸波体结构单元
顶部为平台型结构,可提升吸波体对电磁波的阻抗匹配特性。仿真结果表明,该超材料吸波体的反射损耗最小值为
-18. 15 dB,吸收率峰值可达0. 98,吸收率超过0. 9 的频带宽度为5. 5 GHz。通过CIPs、MWCNTs 以及吸波体宏观结
构的协同作用,该吸波体可实现高效宽带吸收特性。 相似文献
160.
密码协议的健全性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
“健全”的密码协议,可以抵抗多种类型的攻击,建议作为密码协议设计的一个准则,这将有助于协议的早期分析,部分地弥补BAN逻辑的不足。 相似文献