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<正> 每一代新的半导体芯片都具有更精细的结构。因此,生产线通常也就需要更新的光刻设备。为组建经济实用的生产线,就必须考虑几个因素,其中很多因素在一定程度上很容易从可选设备的指标中看到,但另一些因素却比较复杂,仅从技术指标中不易得到。 本文论述最为复杂的光刻要求,即层间套刻精度O/L。O/L是很复杂的,它不仅受设备特性的影响,还受掩模精度、对准标记质量、甚至受由工艺引起电子形变的影响。由于这种多重的依赖性,尽管O/L经常出现设备手册中,但却不能只定义为设备的特性指标。 相似文献
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本文通过对现代数字录音技术和多媒体计算机网络技术的分析,讨论了在云南人民广播电台采用上述新技术,建立集数字化音频制作、新闻文稿处理和自动化播出为一体的计算机网络系统的具体实施构想。 相似文献
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采用Coulomb-Bron交换近似,在Z标度类氢模型下计处了“水窗”波段Mn^22+离子精细结构能级的电子碰撞激发截面和速率系数。为了更有效地考虑碰撞过程中电子的关联和相对论效应,在计算中对有效核电荷的计算作了修改。 相似文献
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A better resolution of ESR spectrum of bis(2-hydroxyl-phenylketoxime)copper (Ⅱ) complex intetrahydrofuran (THF) solution, measured at liquid nitrogen temperature, was analyzed. From thespectrum, we have not only got hyperfine splitting of the ~(63)Cu and ~(65)Cu, but also very nice super-hyperfine splitting arising from ~(14)N nucleus. The g_x, g_y, g_z; A_x~(63), A_y~(63), A_z~(63); A_x~(65), A_y~(65), A_z~(65); A_∥~N andA_⊥~N etc. tensor parameters were determined rather reasonably. From these, we calculated the bondingparameters of this complex, and discussed its electronic structure. 相似文献
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电化学合成铜配合物的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用金属铜为"牺牲"阳极,首次在无隔膜电解槽中,电化学溶解金属铜一步制备了纳米CuO前体Cu(OEt)2, Cu(OBu)2, Cu(acac)2, Cu(OEt)(acac), Cu(OBu)(acac) (acac为乙酰丙酮基).产物通过红外光谱(FT-IR)、拉曼光谱(Raman spectrum)进行表征.同时讨论了影响电合成铜醇盐及其配合物的关键因素.实验表明,防止阳极钝化,温度控制在30~50 ℃,采用有机胺溴化物为导电盐, 电极电位控制在0.8~1.2 V之间,可以提高电合成效率.实验同时表明Cu(acac)2, Cu(OEt)(acac), Cu(OBu)(acac)可作为制备含铜纳米材料前驱体. 相似文献