非掺杂InP的低温光致发光研究

研究了2K低温下非有意掺杂InP单晶的光致发光谱,对近带边的辐射跃迁进行了仔细分析,报道了InP单晶在大功率光激发时束缚于中性施主的激子跃迁发光相对减弱、而束缚于中性受主的激子跃迁发光相对增强的现象,并探讨了其机制,确认了材料中存在Mg、Zn等残余受主杂质,并计算得到Mg受主的离化能为41.5meV.     

移动通信运营公司数据仓库的构建

移动通信事业的大力发展，必然促进以数据仓库为基础的决策支持系统的发展。本文论述了移动通信运营公司建立数据仓库的必要性和实现方式，并理清了信息系统和数据仓库的关系，最后指出了移动通信运营公司建立数据仓库需要注意的问题和后期的深入开发工作。     

HCl氧化物MOS结构质子辐照诱导的界面陷阱效应

用微分电容法研究质子辐照HCl氧化物铝栅MOS结构诱导的界面陷阱,栅氧化层在1 160℃很干燥的、含0～10％HCl的气氛中热生长而成,质子辐照能量为120～300keV,注入总剂量范围为8×10~(13)～1×10~(16)p/cm~2。结果表明,辐照诱导的界面陷阱能级密度随质子能量、剂量增加而增加。然而,氧化层中掺入6％HCl时,辐照诱导的界面陷阱明显减少。这样,已能有效地改变MOS器件的抗辐照性能。实验结果可用H~+二级过程解释。     

模拟乘法器的宏模器

本文提出了一个由构造法建立的模拟乘法器的宏模型，该模型可以模拟乘法器的动态特性、静态特性与非线性特性的十几种特性参数，并且电路简单，是一个比较全面而实用的模型。     

有限体积KFVS方法在二维溃坝中的应用

本文采用了基于KFVS格式的有限体积方法 (FVM)求解了控制水流运动的二维浅水方程 ,建立了二维水坝瞬间溃坝的洪水演进模型 .并应用此模型模拟了二维非对称溃坝和对称溃坝情形下坝左下角有障碍物时的洪水波演进过程 .模拟结果表明该数学模型对二维浅水运动的模拟很有效 .     

位置参数估计量的损失函数之估计

本文考虑损失函数的估计问题,分别对于球对称分布和均匀分布情形给出了其参数的J-S型估计量的损失之估计,它们满足[1]中提出的条件(Ⅰ)和(Ⅱ).     

光刻系统层间套刻精度的评估

<正> 每一代新的半导体芯片都具有更精细的结构。因此,生产线通常也就需要更新的光刻设备。为组建经济实用的生产线,就必须考虑几个因素,其中很多因素在一定程度上很容易从可选设备的指标中看到,但另一些因素却比较复杂,仅从技术指标中不易得到。 本文论述最为复杂的光刻要求,即层间套刻精度O/L。O/L是很复杂的,它不仅受设备特性的影响,还受掩模精度、对准标记质量、甚至受由工艺引起电子形变的影响。由于这种多重的依赖性,尽管O/L经常出现设备手册中,但却不能只定义为设备的特性指标。