用反应性射频平面磁控溅射在低温下生长压电AlN薄膜

AlN是很有前途的压电薄膜之一,因为它有较高的声速和相当大的机电耦合系数.至今所报导过的AlN薄膜制作方法有化学气相沉积、射频溅射、以及反应性分子束外延等.在这些工艺中基片温度都相当高,约从1000—1300℃.所以兰宝石是能进行外延生长的唯一材料,而在AlN薄膜和兰宝石基片间不能设置金属电极.本文指出,在温度为50—500℃兰宝石基片上用射频平面磁控反应溅射     

四川宜宾天原化工厂

四川宜宾天原化工厂,原名为天原电化厂宜宾分厂,位于金沙江和岷江的汇合口,万里长江第一城——宜宾市,是我国著名的化工实业家吴蕴初先生1944年创建的。至今已有四十多年的历史。她与上海天原化工厂,重庆天原化工厂,香港天原化工厂是姐妹厂。解放后经过新建,扩建挖潜,技术改造,使工厂不断发展。特     

0.5微米栅的砷化镓肖特基势垒场效应晶体管——缩短栅长改善高频低噪声特性

为了获得良好的砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(简称 GaAs SBFET),有必要在结构上缩短栅长 L 减少寄生损耗。目前,尤其在缩短栅长方面已做出极大努力,并正在研究接触曝光、投影曝光以及电子束曝光方法。虽然已出售用接触曝光方法制作的1微米栅 GaAs SBFET,已经获得超过以前的硅双极晶体管高频低噪声特性,仍希望进一步缩短栅长。我们采用改良的接触曝光方法试制了0.5微米栅结构的 FET,已证实可以良好地批量生产。试制的 FET 得到了空前良好的高频低噪声特性,最高振荡频率 f_(max)为85千兆     

基于静止、准静止双星TDOA／FDOA无源定位算法

针对由静止卫星、准静止卫星构成的无源定位系统，该文研究了利用到达时间差／到达频率差（TDOA／FDOA）联合对地球表面固定辐射源的无源定位算法。与迭代搜索法相比，该算法不需要初值，不用迭代运算，仅仅需要解4次多项式方程，因此该算法更有效。文中推导了定位方程的求解算法，分析了多项式方程的多根情况，并提出了相应的解决办法；最后进行了蒙特卡罗仿真，仿真结果表明该算法具有适应能力强、定位精度高的优点。     

LTE的革命性演进及其战略性前景略析（二）

上期本文介绍了3GPP提出的WCDMA的长期演进（LTE，Long Term Evolution）研究工作的开展背景、LTE系统的主要需求指标、以及LTE基本传输技术和多址技术、宏分集、帧结构和系统参数设计三个方面的物理层技术。在本期的文章中，我们将继续介绍LTE物理层的参考符号设计、上行控制信道复用、调制编码等十四个方面的关键技术，并阐述了相对HSPA系统LTE在网络架构所做的重要改变、以及近期LTE的工作进展，最后还探讨LTE对整个通信业界带来的影响。     

对合成孔径雷达的随机移频干扰

本文分析了传统移频干扰对合成孔径雷达(SAR)的干扰效果,针对固定移频干扰只能形成点目标或线目标干扰的局限,提出了一种改进的移频干扰新样式——随机移频干扰。理论分析表明脉间去相关的随机移频干扰经SAR距离向和方位向处理,成像输出为距离上占据一定宽度的似噪条带,可用于压制分布目标,克服了固定移频干扰的局限。文中实验部分比较了脉间去相关随机移频干扰和现有的SAR压制干扰样式——噪声干扰和距离调频率脉间去相干干扰的干扰性能,验证了该干扰的有效性。     

非圆信号阵列测向的研究概况

阵列测向的理论与技术已日臻完善，近期研究主要集中在算法实用化以及利用信号的特殊性质等方面。BPSK等信号具有非圆特性，MSK等信号经过一定预处理也具有非圆特性，利用信号非圆特性的阵列测向问题逐渐成为一个研究热点。文章介绍了非圆信号的定义与分类，综述了非圆信号测向的现状，包括各种非圆信号测向算法及其性能分析，以及非圆信号信源个数估计等其它问题，并对其发展方向进行了预测。     

省人大副主任韩忠信视察四川移动

本刊讯8月21日,四川省人大常委会副主任韩忠信、省人大常委会办公厅主任张渝田、省人大常委会机关党委书记曾平一行到中国移动四川公司视察。韩忠信一行参观了公司的高升枢纽后,前往高新     

发扬川移精神，为奥运做贡献四川移动领导赴京慰问援奥员工

本刊讯9月6日,值中秋、国庆来临之际,中国移动四川公司总经理李华、副总经理陈炳澜、工会主席邓泽明等率相关部门负责人来京慰问了四川移动全体援奥员工。     

基于稀疏重构的跳频信号时频分析方法

针对现有时频分析方法存在噪声抑制能力弱、时频聚集性不强的缺点,提出了一种基于稀疏重构的跳频信号时频分析方法来获取清晰的、高聚集度的时频图。首先根据惩罚函数的思想建立了跳频信号无约束的稀疏重构模型;然后理论分析了罚函数因子的取值标准;最后用近似l0范数算法求解得出跳频信号的时频图。仿真结果表明该算法能够有效地获取跳频信号的时频图。