基于碳纳米管和铁氰酸镍纳米颗粒协同作用的葡萄糖生物传感器

将制备的铁氰酸镍纳米颗粒(NiNP)与多壁碳纳米管(CNT)混合, 分散于壳聚糖溶液中, 形成一种新的纳米复合成分(NiNP-CNT-CHIT), 将其修饰在玻碳电极表面. 新复合膜体现了NiNP和CNT之间的协同作用, 由于CNT的良好的传递电子性能, 促使NiNP催化氧化还原能力有了较大的提高. 此NiNP-CNT-CHIT复合膜修饰的玻碳电极在较低电位下对过氧化氢具有良好的电催化性能, 与NiNP-CHIT膜比较, 测定H₂O₂的灵敏度增大了50倍. 通过戊二醛在电极表面固定葡萄糖氧化酶制备了一种新的葡萄糖传感器. 该传感器在－0.2 V下对葡萄糖的线性范围为0.05～10 mmol/L, 检测下限为10 μmol/L.     

[｛Pt_4(en)_4(NHCO~tBu)_4｝｛Tl(18-crown-6)｝_2](PF_6)_6的合成与晶体结构(英文)

The metallophilic attraction between closed shellor pseudo closed shell metal atoms with the configura-tion of d10,s2,d8has received considerable attentionrecently mainly because such metal-metal interactionsare closely associated with many important chemicaland physical properties such as catalysis,electronicconductivity and luminescence[1].The d8-d10-s2closed-shell metallophilic interactions and ligand functionali-ty have resulted in the formation and isolation ofmultinuclear aggregates with …     

统计机器翻译中汉维短语对抽取的研究

双语短语对抽取是基于短语的统计机器翻译中短语翻译模型训练的关键步骤,但由于汉维平行语料库规模有限,数据稀疏问题严重.本文提出了一种改进的短语抽取算法,该算法首先考虑词对齐矩阵中一个汉语词对齐到多个维吾尔语词的情况(包括不连续),然后利用Och方法抽取短语对,最后考虑维吾尔语SOV语序结构特点,抽取双语短语.实验表明,该算法能够较准确地且尽可能多地抽取汉维短语对,从而提高翻译模型的质量.     

用固相外延方法制备Si1-x-yGexCy三元材料

分析了Si1-x-yGexCy三元系材料外延生长的特点,指出原子性质上的巨大差异使Si1-x-yGexCy材料的制备比较困难.固相外延生长是制备Si1-x-y的有效方法,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择.通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系.指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应,影响以后的再结晶过程.采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区.在此基础上优化得出了固相外延方法制备Si1-x-yGexCy/Si材料的最佳条件.     

激光-等离子体相互作用过程中光子加速的研究

为了研究激光-等离子体相互作用过程中的光子加速(光子频率上移),采用数值模拟方法进行了理论计算和数值计算验证,取得了光子加速的重要计算机模拟结果。结果表明,等离子体激光相互作用过程中的光子频率上移与所用的激光脉冲形式和脉冲宽度有关,存在最佳脉冲宽度和脉冲上升宽度,还存在等离子体电子密度上限。这一结果对进一步研究激光等离子体粒子加速有帮助。     

短沟道MOSFET阈值电压辐照增强漂移效应

本文对γ辐照环境下,小尺寸MOSFET的性能进行了研究,发现了短沟MOSFET阈值电压辐照增强漂移效应;提出了辐照损伤电荷非均匀分布概念;开发了二维数值模拟程序,对辐照损伤电荷引起的器件物理作用进行了分析;建立了辐照环境下短沟道MOSFET的简化模型,成功地解释了实验现象;在理论分析的基础上,提出了适用于VLSI的抗核加固措施,并经实验证实其有效性。     

NTT

半导体激光器问世于1960年,半导体光电集成电路(OEIC)的概念提出于1970年,含有GaAs体效应二极管和GaAs MESFET的光电集成电路分别出现在1978年和1983年。半导体光电技术在光通信、光纪录、光读出、光测量和光信息处理等领域已得到广泛的应用,现正在逐步建立起一种新型的光电产业。光电单片集成电路技术以其易于解决光学器件与电子器件间的互连和调制、易于消除由键合点和引线导致的寄生电感和分布电容及易于提高速度、降低噪声、改进可靠性和减小体积等优点而颇受重视。看来,把具有不同功能的光学器件和电子器件集成在一个单片上的CEIC是发展光电器件的必由之路。光电单片集成所需的技术水平极高,目前尚处于实验室的研制阶段,而作为过渡产品的光电混合集成电路却深受欢迎。目前,世界各国,尤其是日本各大公司和研究单位正大力进行OEIC的研究和开发工作,并取得了一定的成果。本专集介绍日本NTT等九家研究单位在OEIC方面的研究方向、研究重点、所用电路结构、制作工艺等情况,并报导了已取得的成果。     

外腔半导体激光器单频输出的长期稳定

一、引言 由于光纤通讯、光纤传感、检测二光谱分析、频标、光陀螺等领域的需要；单频半导体激光器的研究近年来受到广泛重视并得到迅速发展，由于采用了长外腔选模技术，已实现了线宽小于100 kHz的单频输出~[1-3]。而频率长期稳定工作则刚刚开始~[4]。通常认为，造成半导体激光器输出频率漂移及跳模的原因是管芯温度和注入电流的波动，因此稳频工作     

Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及其结构特性

通过高分辨X射线衍射、光致发光、二次离子质谱（SIMS) 、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响. 实验表明，在缓冲层厚度为13～20nm之间时，GaN外延层的张应力最小，同时晶体质量和光学质量达到最优值. 此外，SIMS分析表明，当AlN缓冲层位于13～20nm之间时，可有效抑制Si的扩散.     

The He--McKellar--Wilkens effect for spin-1 particles on non-commutative space

By using star product method, the He-McKellar-Wilkens （HMW） effect for spin-one neutral particle on noncommutative （NC） space is studied. After solving the Kemmer-like equations on NC space, we obtain the topological HMW phase on NC space where the additional terms related to the space-space non-commutativity are given explicitly.