全文获取类型
收费全文 | 27篇 |
免费 | 48篇 |
国内免费 | 37篇 |
专业分类
化学 | 15篇 |
数学 | 2篇 |
物理学 | 59篇 |
无线电 | 36篇 |
出版年
2009年 | 1篇 |
2008年 | 2篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 5篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 1篇 |
2003年 | 10篇 |
2002年 | 12篇 |
2001年 | 12篇 |
2000年 | 10篇 |
1999年 | 2篇 |
1998年 | 11篇 |
1997年 | 2篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 3篇 |
1994年 | 3篇 |
1992年 | 1篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 3篇 |
1983年 | 3篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 4篇 |
1966年 | 2篇 |
1958年 | 1篇 |
1957年 | 2篇 |
1956年 | 1篇 |
排序方式: 共有112条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
72.
73.
74.
本文利用了Nottingham关於透射系数的经验公式,将DuBrige的不考虑反射效应的光电子初能量分布理论加以推广。由於详细地考虑了表面位垒对发射出来的电子所起的折射作用,因此不仅讨论了光电子的初能量分布与法线能量分布,而且也讨论了角度分布。这些讨论都假定发射面是理想的金属表面,没有碎鳞效应;金属内部的电子满足费密-狄喇克(Fermi-Dirac)统计分布;并假定入射光为固定强度的非偏振的单色光。本文中所获得的光电子初能量分布公式相当简单,而且比已往的理论更符合实验结果。光电子的角度分布曲线呈蛋状,大的一端向外,这舆Ives的实验结果相符。如果表面的反射效应不存在,那么角度分布满足馀弦定律。其他如光电流的光谱分布、球形电容器(其中心的小电极为光电阶极)在阻滞场下的伏-安特性曲线的理论公式,以及法线能量分布和理想平行板电容器在阻滞场下的电压-雷流特性曲线的理论公式也都曾加以讨论。 相似文献
75.
76.
77.
78.
ZnO纳米线的气相沉积制备及场发射特性 总被引:3,自引:0,他引:3
运用气相沉积方法分别在硅片表面和钨针尖上制备了非取向生长的ZnO纳米线,并通过场发射显微镜研究了纳米线样品的平面场发射特性和针尖场发射特性.结果显示,非取向生长的ZnO纳米线薄膜场发射的开启电压和阈值电压所对应的场强分别为4.7和7.6V/μm,场增强因子达103量级,具有较阵列生长的ZnO纳米线更为优异的场发射能力.非取向生长ZnO纳米线薄膜场发射能力的增强归因于其所具有的稀疏结构避免了强场作用下屏蔽效应的产生,有效地提高了薄膜场发射的电流密度.将ZnO纳米线组装在钨针尖上能够明显地改善针尖的场发射性能,在超高分辨显微探针领域具有良好应用前景. 相似文献
79.
通过对真空蒸发沉积制备的BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下光吸收特性的测试, 实验上观察到BaO薄膜在近紫外波段的光吸收随电场强度的增加而明显增强.理论分析表明, BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下发生能带倾斜,价带电子隧穿带间位垒而在带隙 中出现的概率增加,近紫外波段光吸收增强是光子协助隧道穿越的结果.不同能量光子激发 下电场作用引起的BaO薄膜光吸收增强现象是夫兰茨-凯尔迪什(Franz-Keldysh)效应和斯塔 克(Stark)效应在金属氧化物半导体材料上的体现.
关键词:
金属氧化物半导体薄膜
光子协助隧道效应
电致吸收
夫兰茨-凯尔迪什效应 相似文献