电化学沉积金纳米线结构及其电学特性

用电化学沉积方法,在有机介孔模板上制备出直径为90nm的金纳米线.透射电子显微镜(TEM)分析结果表明,纳米线表面光滑并呈单晶结构.去除有机模板的金纳米线阵列用扫描电子显微镜(SEM)测试,纳米线顶端呈平台状,直径分布均一.我们利用原子力显微镜(AFM)测量了金纳米线阵列的微观结构,得到与SEM相一致的结果.在大气和室温条件下,用导电AFM针尖在接触模式下测量了单根纳米线的轴向I-V特性曲线,其结果为金属性.     

接触电极的功函数对基于碳纳米管构建的场效应管的影响

基于碳纳米管构建的场效应管在纳电子器件中占有重要的位置, 如何获得p型和n型的电子输运性能是人们所关注的. 本文分别采用高功函数的Pt金属和低功函数的Al金属作为源漏电极, 获得了p型输运性质和n型输运性质的基于碳纳米管构建的场效应管. 能带结构的分析证明了接触电极的功函数在这种场效应管的输运机理中扮演了重要的角色, 可以仅仅通过改变接触电极的材料, 实现p型场效应管和n型场效应管之间的转换, 这是经典的金属与半导体接触的理论无法解释的. 关键词： 碳纳米管 场效应管 肖特基势垒 功函数     

Hg1-xCdxTe晶体缺陷的正电子湮没寿命

利用正电子(e⁺)湮没寿命谱实验研究了Hg_1-xCd_xTe晶体样品的空位缺陷.碲溶剂法生长的样品，不论是n型导电还是p型导电都存在大量的Hg空位.经过合适的退火工艺，p型材料转为n型，同时对正电子的俘获效应减小，表现为正电子湮没平均寿命值减小14—17ps.若退火温度高于350℃，正电子湮没寿命值又增大，表明Hg空位浓度增加.得到HgCdTe中正电子的体寿命为τ_b=272ps.根据正电子湮没寿命和电参数的测量结果，得出 关键词：     

金属超微粒子─半导体薄膜的光学瞬态响应

利用飞秒脉冲激光和泵浦探测技术测量了金属超微粒子半导体复合薄膜ＡｇＢａＯ的瞬态光学透过率随延迟时间的变化曲线，观察到了薄膜对光的吸收漂白现象，并在不到２ｐｓ时间内恢复．该现象是薄膜中金属超微粒子内费密能级附近电子被飞秒激光脉冲激发，产生非平衡电子而经历瞬态弛豫造成的．弛豫主要包括非平衡电子越过超微粒子和周围介质的界面位垒进入周围介质，以及非平衡电子同晶格和界面的散射两种过程．超微粒子粒径的差别会引起非平衡电子弛豫时间的差别     

金属颗粒调制的复合碳纳米管电子器件的构建和特性测量

利用传统微电子加工与纳米组装技术构建出了金属颗粒调制的复合碳纳米管场效应及单电子器件.电子输运性能测量结果表明这类复合碳纳米管电子器件具有一些不同于一般碳纳米管电子器件的独特性能.     

ZnO纳米线二极管发光器件制备及特性研究

运用液相法生长成ZnO纳米线薄膜,并利用肖特基型异质结的发光原理,构造成功肖特基型ZnO纳米线二极管发光器件.在大于6V直流电压驱动下,观察到近紫外波段392nm处和可见光波段525nm的发射谱带.从单向导电特性及ZnO纳米线材料的能带结构等方面探讨了该种器件的电致发光机理. 关键词： ZnO纳米线 肖特基二极管 电致发光     

用于超短激光脉冲检测的新型光电发射薄膜

Ａｇ－Ｂａ－Ｏ薄膜是金属超微位子埋藏于半导体基质中的全新型光电转换薄膜。它不含碱金属，有很好的稳定性，可以在大气中存放，再置入真空系统中不需要激话，就能产生足以检测皮秒级激光脉冲信号的光电子发射。在激光作用下有特殊的灵敏度。这种光电转换薄膜有很好的应用前景。     

金属微粒-半导体薄膜中小胶粒的光吸收和散射

金属微粒-半导体薄膜具有特殊的电学、光学及光电特性。本文讨论了埋藏于半导体基体中金属小胶粒光吸收和光散射公式。这些胶粉可以是球形,也可以是长球或扁球形。本文以银胶粒-氧化铯半导体为例,讨论了胶粒大小、椭球的偏心率对相对光吸收系数和光散射系数的影响,并给出这些系数随波长改变的曲线。 关键词：     

在发射式电子光学系统中,光电子速度分布对像品质的影响(Ⅱ)

本文是在上一篇论文的基础上,进一步讨论了更接近实际情况的面源,在只有中心像差存在时,在极限像平面附近的像平面上的强度分布及分辨距离等问题。针对不同的光电子初能量分布,并且假定角度分布仍满足Lambert定律,可以找到电子像最清晰的像平面位置及其分辨直径、分辨宽度。这些分辨距离没有统一的标准值,它们与电子的初能量分布、发射面源的几何形状、以及像平面的位置等有关。在具体计算之后,我们发现分辨直径、分辨宽度等理论极限值比Арцимович院士不考虑强度分布所得到的分辨距离要小一个数量级。本文中关於最小分辨距离的计算结果可以作为装置和改进发射式电子光学系统的依据。     

离子晶体中固溶胶粒的形成和生长以及施主原子浓度(Ⅰ)

本文利用自由能的概念并作了固溶粒子(包括胚芽和胶粒)都是同样大小的假定,讨论了在离子晶体中由于杂质原子浓度的增加,该固体由半导体过渡到固溶胶体的物理条件;推导出杂质原子临界浓度公式;讨论了胚芽的临界值和施主原子临界浓度与激活条件的关系。并指出当温度改变时,出现临界温度,超过此温度时,固溶胶体将转化为半导体。最后分析了自由能曲面的特点和出现固溶胶粒的充分条件。下一篇文章将讨论固溶胶粒有一定分布的情况,和胶粒的生长以及施主原子浓度等问题;并且还指出只要对这些讨论作简单的修正就可以应用于原子晶体和合金系统。