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一、引言光电发射器件分为成像器件(包括像增强管、变像管和带有移像部分的电视摄像管等)和不成像器件(包括各种光电管和光电倍增管等)两大类。由于科研、国防和生产中的需 相似文献
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利用电子显微镜的覆型法和直接透射法可以研究银氧艳光电阴极中的银胶粒和银颗粒的结构; 并且可以研究各工艺步骤引起结构的变化. 从照片可以看出这种阴极含有大量胶粒和一些颗粒, 但它们的结构和分布是变化多端的. 在激活温度下, 银胶拉可以在氧化铯层中移动, 并联接成各种形状, 但也可以无规地堆积在一起.
关键词: 相似文献
34.
本文研究了多碱阴极晶粒间界对光电发射的影响,提出了这种多晶阴极光电发射的改进物理模型,并导出了量子产额的公式。利用此模型和电子计算机,使理论与实验的量子产额曲线相符合,从而能够解释此种阴极光电发射的有关特性。文中还讨论了提高此种阴极灵敏度的可能途径。 相似文献
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本文讨论了对应于不同的光电阴极的点源在各种像平面上所产生的强度分布,这些像平面都在高斯像平面附近;也讨论了分辨距离,并找出具有最好分辨本领的像平面位置。焦散面的情况也曾讨论到。 本文指出,由于考虑了能量分布与角度分布,所有这些情况的最小分辨距离都比目前公认的数值小。例如在初能量按抛物线分布的情况下,δ_(0.5)=0.18ε_(max)/E。所有这些讨论都是基于公式,因此所有结果可以用在任何发射式系统,甚至有磁场存在,假如在阴极面上磁场强度为零或很弱。 在这篇论文中曾对Septier于去年发表的关于柱形透镜的分辨本领的论文进行评论。 相似文献
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对超额Ba激活的Ag-BaO复合薄膜在外加垂直表面电场作用下的光学吸收特性进行了测量.结果显示,薄膜在可见—近红外光波段存在两个吸收峰,其中近红外光区的吸收峰强度随垂直表面电场的作用而降低.理论分析表明,可见光区的主吸收峰源于埋藏在BaO半导体中的Ag超微粒子的表面等离激元共振吸收;近红外光区的次吸收峰则由BaO半导体基质中杂质能级的光吸收引起,杂质能级的产生与超额Ba在BaO晶体中造成的氧缺位有关.在外加垂直表面电场作用下,BaO基质中的杂质发生电离,并导致杂质能级上束缚电子浓度减小,表现为薄膜在与杂质
关键词:
光吸收
金属超微粒子半导体复合薄膜
表面等离激元
杂质能级 相似文献
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In the early stage of thin film preparation from vapor, growth patterns consisting of stable clusters will gradually cover almost the entire substrate surface. During this process, the density of single atoms is zero on growth patterns and the nucleation of clusters will proceed in the substrate parts uncovered by these patterns. The influence of growth pattern coverage on the nucleation of thin films has not been considered wholly in the classical theory of thin films. We will systematically study the influence of growth pattern coverage and give some correction formulas for the widely used classical theory of thin films. It was found that the classical nucleation rate is proportional to the square of the uncovered area. The corrected formulas are of particular importance in the dominant coverage case. 相似文献
38.
入射光强对Ag-BaO薄膜内场助光电发射特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
通过对不同光强入射下 Ag- Ba O薄膜内场助光电发射特性的测试 ,实验发现 Ag- Ba O薄膜内场助光电发射电流随内场助偏压的增长过程经历了快速增长和缓慢增加两个阶段 ,相应的转折电压大小与入射光强有关 .理论分析表明 ,内场助作用下 Ag- Ba O薄膜体内能带结构发生了 Ag微粒和 Ba O介质间等效界面势垒减小及薄膜表面真空能级相对下降等两个方面的变化 ,其在内场助作用过程中相对效果的不同导致了光电流增长过程中的两个阶段 ;转折电压对入射光强的依赖关系源于光生载流子改变了薄膜体内的有效电场强度 相似文献
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通过对不同光强入射下Ag-BaO薄膜内场助光电发射特性的测试,实验发现Ag BaO薄膜内场助光电发射电流随内场助偏压的增长过程经历了快速增长和缓慢增加两个阶段,相应的转折电压大小与入射光强有关.理论分析表明,内场助作用下Ag-BaO薄膜体内能带结构发生了Ag微粒和BaO介质间等效界面势垒减小及薄膜表面真空能级相对下降等两个方面的变化,其在内场助作用过程中相对效果的不同导致了光电流增长过程中的两个阶段;转折电压对入射光强的依赖关系源于光生载流子改变了薄膜体内的有效电场强度. 相似文献
40.