以10~5精度测量折射率的简便方法

以10~5精度测量物质的折射率则需要很短的时间,测量折射率完全是光学所必需的、迫切期望简单的测量方法;美国新泽西州测量概念公司的爱德华·科菜研究用45°入射光只用所需波长的光源、偏振镜、衰减器、光度计以及数字电压表就能在短时间内以10°的精度测量折射率的方法。     

采用激光的VLSI制造技术

日本某公司研究成功一种不使用感光剂(抗蚀剂)也可在衬底上直接形成VLSI电路图形的新技术.用激光照射置于氯气中的硅衬底,在照射部分即产生化学反应而被蚀刻(无抗蚀剂蚀刻),从而形成电路图形. 目前,在硅衬底上形成LSI电路图形都是按抗蚀剂涂敷→抗蚀剂烘干→图形曝光→显影→抗蚀剂加固→蚀刻→抗蚀剂剥离等七个工序进行的,而新技术则     

预热10秒的电烙铁

日本太洋电机公司出售一种TQ-80型快速电烙铁,通电10秒钟后就能使用。它使用了圆柱形陶瓷发热器,可用一个螺钉简单地更换烙铁头。功率有强(65瓦)、弱(15瓦)二级变换,总长200毫米,重量50克。     

超精定位控制在半导体工业中的应用

一、“超精定位”的提出在集成电路制造工序的扩散、切断、组装、检查中,激光加工机、掩膜组合装置、接合器、表面检查仪等的“定位操作”为必需的机构。在“组装工序”中使用的“集成电路引线接合器”(即把集成片的电路端子与外部端子用细金属线连接,进行所谓“引线接合法”作业)就是其中一种。集成片与结合接头的定位精度、速度如何,将决定其效率的好坏。如今连接一根线约用0.2秒的时间,随着集成电路端子数的不断增     

宽带噪声滤波器

日本村田制作所研制的BNX系列宽带噪声滤波器能滤除0.5兆赫～1千兆赫的噪声. 这种滤波器组合了一个半导体穿心式电容器、一个积层式片状电容器和三个磁环电感器,并把这些元件集中压制在印刷线路板上.在0.5兆赫～1千兆赫     

带光电功率计的数字万用表

美国某公司生产了一种附加有光电功率计的数字万用表,它能测量电压、电流、电阻和从光纤维来的光电功率.该仪表有短波段和长波段测量用两种,前者的测量范围为1毫微瓦～2毫瓦,误差±5%;后者的测量范围为10毫微瓦～2毫瓦,误差±10%.     

光纤维温度的传感器

日本某公司研制成一种用于红外一可见变换发光的光纤维温度传感器.与应用荧光体的温度传感器不同,它是由红外发光二极管激励发光,发光和接收元件都采用半导体元件,所以提高了可靠性,而且减少了光纤维传输损耗,增长了计测的距离.在温度计测中,也可以利用光学现象,根据余辉积分亮度这种新的感温     

平面发光激光器

日本东京工业大学试制成一种平面发光激光器,其结构象半导体集成电路,全工序的制作可以以晶片为单位进行.这次研制平面发光激光器时,为了排除手工操作,谐振腔采取将镜面设置在与晶体生长面平行的面上,这样可以采用蚀刻法制作.材料为砷化镓、磷/磷化铟系,采用液相生长,6层结构.现在限于在     

高纯度砷化镓单晶

日本住友电气工业公司采用由计算机控制的拉晶法成功地制造出直径为3英寸的高纯度砷化镓(GaAs)单晶.由于以GaAs为芯片的大规模集成电路比以硅作为芯片的大规模集成电路的电子迁移率更大,因此更适宜制作高速元件,但它存在制造高纯度单晶困难的缺点.这次该公司研制的拉晶技术是用传感     

在一个沟道中形成两个晶体管

日本德克萨斯仪器公司掌握了在一个沟道中形成两个晶体管的技术,并试制成1Mb掩模ROM。该项技木使用P~+衬底上的P~-外延层,外延生长时形成n~+埋入层(纵型MOS FET的源极),挖方形沟至这个