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本文讨论W*-代数A中闭单位球A1的C*-端点问题.主要结果是:是一个投影};一个对称元};其中,A~S1和A~P1分别表A1中自伴元全体所构成的集合和A1中正元全体所构成的集合. 相似文献
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Effects of different dopants on switching behavior of HfO_2-based resistive random access memory
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In this study the effects of doping atoms(Al, Cu, and N) with different electro-negativities and ionic radii on resistive switching of HfO2-based resistive random access memory(RRAM) are systematically investigated. The results show that forming voltages and set voltages of Al/Cu-doped devices are reduced. Among all devices, Cu-doped device shows the narrowest device-to-device distributions of set voltage and low resistance. The effects of different dopants on switching behavior are explained with deferent types of CFs formed in HfO2 depending on dopants: oxygen vacancy(Vo) filaments for Al-doped HfO2 devices, hybrid filaments composed of oxygen vacancies and Cu atoms for Cu-doped HfO2 devices,and nitrogen/oxygen vacancy filaments for N-doped HfO2 devices. The results suggest that a metal dopant with a larger electro-negativity than host metal atom offers the best comprehensive performance. 相似文献
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本文提出一种新型的结合图像预处理的H.261编码方案。该改进算法在少量增加运算量的条件下使原有的H.261图像质量得到一定程度的提高。 相似文献
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