ECR-PECVD方法低温制备多晶硅薄膜

采用ECR-PECVD低温沉积方法,以质量分数为5%的SiH4(配Ar气,SiH4:Ar=1:19)和H2为反应气体,在普通玻璃和单晶硅片衬底上直接沉积多晶硅薄膜,以期寻找到适合大规模工业化生产的方法.当衬底温度为500℃时,即能沉积高质量的多晶硅薄膜.沉积前,H2等离子体的清洗时间和流量对多晶薄膜的质量有较大的影响.通过与其他反应气体相比较,我们制备的多晶硅薄膜不含杂质.     

ZnO∶Al衬底上低温生长GaN薄膜

利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO:Al薄膜.采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO:Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜.利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响.     

基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究

利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR-PEMOCVD)方法,采用二茂锰(Cp₂Mn)作为Mn源,高纯氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为Ga源,在蓝宝石(α-Al₂O₃)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向,表明制备的薄膜倾向于 关键词： GaMnN薄膜 稀磁半导体 铁磁性 居里温度     

DSL新热点对宽带运营的挑战

宽带接入市场启动以来,一直保持着很高的增长速率,其中DSL接入技术是宽带技术中应用最广泛的方式。据统计,2004年初,中国的DSL市场用户超过1000万,成为仅次于美国的第二大规模的市场。尽管DSL市场发展很快,但应用中存在很多问题。目前DSL上最主要的业务是高速上网,住宅用户是其     

做主页就这几招

1 三种武器 在早些时候,没有几个人有自己的个人主页,一个很重要的原因--html太难了,那么一大堆希奇古怪的符号,让人瞧着都头疼.用html语言来做主页,对门外汉而言,是"难于上青天”.不过上青天的路很快就向所有人袒露出来了,开路先锋当然是微软的Front page.如果你还没见过她,那就想想Word是什么样,她就是什么样--微软的老面孔,友好但不亲切.也正因为她的友好,所以Front Page始终是新手上路的一条捷径,熟悉的界面,加上和Word类似的操作,相信你很快就能摸出一些门道.你完全可以像编辑Word文档一样编辑你的主页,表格、图像、声音、动画,发挥你的想象,随心所欲地将它们放到你的主页中去吧.     

Li1.2Mn0.54Ni0.13Co0.13O2正极材料的Ga2O3包覆改性及电化学性能

首先采用共沉淀方法制备富锂锰基正极材料Li_1.2Mn_0.54Ni_0.13Co_0.13O₂原始样品(P-LRMO),然后通过简单的湿化学法以及低温煅烧方法对其进行不同含量Ga₂O₃原位包覆。透射电子显微镜(TEM)以及X射线光电子能谱(XPS)结果表明在P-LRMO表面成功合成了Ga₂O₃包覆层。电化学测试结果表明：含有3%Ga₂O₃的改性材料G3-LRMO具有最优的电化学性能,其在0.1C倍率(电流密度为25 mA·g^-1)下首圈充放电比容量可以达到270.1 mAh·g^-1,在5C倍率下容量仍能保持127.4 mAh·g^-1,优于未改性材料的90.7 mAh·g^-1,表现出优异的倍率性能。G3-LRMO在1C倍率下循环200圈后仍有190.7 mAh·g^-1的容量,容量保持率由未改性前的72.9%提升至85.6%,证明Ga₂O₃包覆改性能有效提升富锂锰基材料的循环稳定性。并且,G3-LRMO在1C倍率下循环100圈后,电荷转移阻抗(R_ct)为107.7 Ω,远低于未改性材料的251.5 Ω,表明Ga₂O₃包覆层能提高材料的电子传输速率。     

不同结构Iniferter引发苯乙烯聚合反应的研究

以不同结构的含氯化合物与铜试剂反应合成了4种链引发-转移-终止剂(Iniferter)。研究了它们引发苯乙烯的聚合反应过程,重点考察了Iniferter结构对聚合产物的影响。采用核磁共振氢谱和凝胶渗透色谱对聚合物分子量和分子量分布进行了测定。结果表明:Iniferter结构对聚合反应速率、分子量实测值与理论值间的对应关系及分子量分布均有明显影响,当其形成的初级自由基上带有使其稳定的基团时,引发效率就高,聚合反应速率较快,而且分子量理论值与实测值两者更接近。加入四甲基秋兰姆化二硫组成双组份Iniferter引发体系可以在一定程度上使聚合物分子量分布变窄。     

氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌

/min.薄膜的粗糙度随着衬底温度和微波功率的增加而降低,粗糙度最低为0.89 nm,说明薄膜的表面质量较高.     

ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究

用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料.通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响.根据AFM照片分析了薄膜的表面形貌,进而推测了薄膜的内部组成.实验发现:衬底温度在250 ℃时,磷烷的加入会大大降低薄膜的晶化率.衬底温度提高到350 ℃后这种影响明显下降.薄膜的载流子浓度和电导率受薄膜晶化率影响明显,衬底温度的升高对薄膜电学性能提高有较大帮助.     

以团簇加连接原子模型解析Cr-C共晶成分

Cr-C体系材料是重要硬质防护涂层的代表,具有共晶特征.我们的前期工作指出,共晶合金满足双团簇近程序结构模型,由两种稳定液体亚单元构成,各自满足理想非晶团簇成分式,这里的第一近邻团簇来自相关共晶相.显然共晶成分解析的关键在于获得团簇,而相结构中往往存在多种团簇,进入到非晶/共晶团簇成分式的主团簇定义是关键环节.本文通过应用Friedel振荡理论及原子密堆,以团簇分布的球周期性及孤立度为判据,以Cr-C共晶相为例,进一步细化了共晶相中的主团簇选择流程,再搭配以2,4或6个连接原子,获得了描述共晶成分Cr_(86)C_(14)和Cr_(67.4)C_(32.6)的双团簇成分式:[Cr-Cr_(14)+C-Cr_9]Cr C_3和[C-Cr_9+C-Cr_8]C_6,其中四种团簇分别来自共晶相Cr,Cr_(23)C_6,Cr_7C_3和Cr_3C_2.该工作进一步证实了团簇加连接原子模型在共晶点解析中的普适性,并从理论上支持了相关的材料设计.