排序方式: 共有28条查询结果,搜索用时 30 毫秒
11.
介绍了一种基于GaN-HEMT的L波段线性功率放大器,GaN功率HEMT具备高电压、高功率密度和高温工作等特点,对提升功率放大器线性输出功率、工作效率和增益等性能起到重要作用。在GaN功率HEMT基础上,通过对功率放大器的线性化技术研究,使用ADS2009仿真软件建立电路模型,采用了预失真技术来改善功率放大器的线性度和工作效率,并且优化50Ω匹配电路来改善输入输出端驻波比和降低功率损耗。最终研制出在+28 V供电电压情况下,增益为16 dB、1 dB压缩点处输出功率为45 dBm和工作效率为35%的线性功率放大器。 相似文献
12.
13.
14.
15.
设计研制了一个8~18GHz的混合集成电路宽带高功率放大器。高功率放大器由基于GaAs MMIC工艺的4指微带兰格耦合器实现。为了减小电磁干扰,采用散热效果好的多层AlN材料作为功率放大器的载体。当输入功率为25dBm时,功率放大器输出连续波饱和功率在8–13 GHz 频率范围内大于39dBm,在其他频率范围内大于38.6dBm,在11.9GHz我们得到最大输出功率39.4dBm。在整个频带内,功率附加效率大于18%,当输入功率为18dBm时小信号增益为15.70.7 dB。高功率功率放大器尺寸为25mm*15mm*1.5mm. 相似文献
16.
采用多级射频放大电路以及高压脉冲调制技术,实现了S波段高增益小型化200 W功率模块的研制。驱动放大电路采用GaAs功率单片进行功率合成;末级放大电路依托栅长(0.5 μm) GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片,选取多子胞结构来改善热分布,通过内匹配技术设计完成了双胞总栅宽24 mm GaN芯片的匹配网络,并设计高压脉冲调制电路提供电源,成功研制出了小型化的S波段200 W内匹配GaN功率模块。测试得出该模块实现了在输入功率10 dBm,栅极电压-5 V,漏极电压32 V,TTL调制信号输入条件下,输出频率在3.1~3.5 GHz处,输出功率大于200 W,功率附加效率(PAE)大于55%。模块实际尺寸为2.4 mm×38 mm×5.5 mm。 相似文献
17.
Ku波段微波宽带滤波器的优化设计 总被引:1,自引:0,他引:1
文章对半波长平行耦合线滤波器进行了研究。该微波宽带滤波器采用了耦合微带线式,由于结构紧凑、寄生通带的中心频率较高,适应频带范围较大,在微带结构中应用极为广泛。此文通过理论分析及计算并运用微波CAD软件进行优化,实现了Ku波段宽带微波滤波器的优化设计。 相似文献
18.
19.
转基因作物在近几十年取得较大突破,在得到广泛关注的同时,—虹受到了较多质疑。大学生群体对转基因作物认知及产业化态度将对转基因作物的产业化进程产生重要影响。基于对武汉市2897名大学生的调查数据,研究大学生对转基因作物的认知和产业化态度,并分析两者的影响因素弘发现大学生对转基因作物的认知水平一般,对转基因作物产业化持比较支持的态度,但认知水平和产业化态度受到学校。专业等多种因素影响,并在群体内部呈现差异。根据调查结论,分别从政府、研究专家、学校和大学生四个角度提出了建议。 相似文献
20.