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窄带隙半导体异质结构的自旋效应最近受到了国际上的很大关注.Ⅳ-Ⅵ族半导体具有各向异性和多能谷的特征,因此可以预期Rashba自旋效应在不同取向的Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱结构中存在显著差异.计算了多个取向的Pb1-ySryTe/PbTe/Pb1-xSrxTe非对称量子阱中的Rashba分裂能,结果表明[100]取向的PbTe量子阱的Rashba分裂能在阱宽为5.0nm时
关键词:
Ⅳ-Ⅵ族半导体
非对称量子阱
Rashba效应
自旋-轨道耦合分裂 相似文献
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在白宝石(sapphire)衬底上低温外延生长出了MgxZn1-xO晶体薄膜.x射线衍射(XRD)及能量色散x射线(EDX)分析表明,MgxZn1-xO薄膜的晶体结构依赖于薄膜中Mg的组分x,随着Mg组分的增大,MgxZn1-xO薄膜的结构从与ZnO晶体一致的六方结构转变为与MgO晶体一致的立方结构.对MgxZn1-xO薄膜的紫外透
关键词:
电子束蒸发反应
xZn1-xO晶体薄膜')" href="#">MgxZn1-xO晶体薄膜
结构和光学性能 相似文献
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设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直腔面发射激光器(VCSEL).采用直接键合技术实现InP基有源层与GaAs基DBR的晶片融合,并经过侧向湿法腐蚀定义电流限制孔径和沉积介质薄膜DBR等关键器件工艺,研制出InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器,其阈值电流为13.5mA,单模激射波长为1288.6nm. 相似文献
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本文提出了应用新型全息记录材料—无银明胶实现黑白图象位相调制密度假彩色增强,作者从理论和实验两方面分析了该材料的位相调制特性.结果表明:应用无银明胶实现黑白图象假彩色增强具有色彩丰富、可编码黑白图象的密度范围宽、色重复现象少、处理过程简单、经济实用等独特优点. 相似文献
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采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积(RFHFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了表面光滑、晶粒致密均匀的纳米金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪观测薄膜的表面形貌和粗糙度,x射线衍射(XRD)和Raman光谱表征膜层的结构,并用紫外可见近红外光谱仪测量其光透过率.实验结果表明,衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性、表面粗糙度及光透过率均有很大程度的影响,其最佳值分别为700℃,2×133Pa和200W.在该最佳参量下经1h的生长即获得连续、平滑的纳米金刚石膜,其平均晶粒尺寸为约25
关键词:
纳米金刚石薄膜
射频等离子体增强热丝化学气相沉积
光透过率 相似文献
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采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP衬底上生长发光波长为131μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR) ,并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到GaAs衬底上生长的DBR结构上,对其微结构和发光等特性进行了比较系统的研究.发现500~620℃的高温键合过程和后续的剥离工艺不仅没有引起量子阱发光效率的降低,反而由于键合过程中的退火改进了晶体质量,大大提高了量子阱的发光强度,其中620℃退火处理后的光致发光强度是原生样品的3倍. 相似文献
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