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801.
讨论了输出终端带不等式约束情形的多输入多输出系统,说明了这些约束可以通过修改输入柔化系数而使其得以满足,在柔化系数的选择范围确定过程中,为了避免矩阵求逆,采用利用已知数据辨识参数的方法来确定柔化系数,从而使得问题简化。降低了计算量且加快了收敛速度。 相似文献
802.
超级电容在手机电源中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
超级电容又称法拉电容,是指其容量为法拉级的电容。文章介绍了应用超级电容作为手机电池的总体思路并重点介绍了其充电电路、升压电路和控制电路的设计。该电池具有充电快、寿命长、免维护并且环保等特点。 相似文献
803.
804.
在自治区党委、政府和社会各界的大力支持及内蒙古广电局的直接领导下,内蒙古广播电视信息网络有限公司从无到有、从小到大,现已建成覆盖全区所有旗县并形成多个自愈保护环路的光缆干线12000公里,具备相当规模的网络业务运营能力,正在为自治区的经济建设、文化建设和与人民群众密切相关的网络信息数字化建设发挥着重要作用。 相似文献
805.
806.
介绍了文档数据库Lotus Domino/Notes的特点.对其文档处理的核心,即Notes文档的ID构成机制作了系统剖析.并在此基础上分析了如何在文档复制中运用ID的不同组件以及如何运用API程序访问文档ID等。 相似文献
807.
808.
在陷阱电荷限制电流传导理论的基础上,提出了双层有机电致发光器件的数值模型,研究了结构为"阳极/空穴输运层(HTL)/发光层(EML)/阴极"的器件中电流密度和量子效率随有机层的特征陷阱能量、陷阱密度和载流子迁移率的依赖关系. 研究发现,对于给定的HTL和EML的特征陷阱能量、陷阱密度和载流子迁移率,存在一个最优的HTL和EML之间的厚度比率,在此最优厚度比下,器件的电流密度和量子效率达到最大.通过有机层厚度的优化,器件的电流密度和量子效率可提高多达两个数量级.另外,还研究了最优厚度比随有机层特征陷阱能量、总陷阱密度和载流子迁移率之间的定量关系. 相似文献
809.
810.
以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制. 相似文献