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Ti/Si和Ti/O/Si界面相互作用的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用XPS、UPS和AES等分析技术,对不同清洁处理的Ti/Si(111)界面进行了研究.在超高真空(~4 × 10~(-10)mbar)中,高纯Ti(99.99%)淀积在Si(111)表面上.Ti/S界面产生相互作用.Ti2p和Si2p芯能级产生化学位移,利用电子组态变化的观点解释了所观测到的化学位移.具有氧玷污的Ti 蒸发源,淀积在Si(111)表面上,没有观察到界面相互作用.如果在Si(111)表面存在极薄的氧化层,则在界面处首先形成 Ti的氧化物.文中讨论了氧玷污对界面互作用的影响. 相似文献
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面对机械键盘不易携带、噪声大和造价高的缺点,开发了一款基于人体电容感应和FPGA的无线触控键盘。整个平台由外设系统、FPGA系统和上位机组成。外设系统通过介质及信号采集电路,设计出便捷的键盘或触控板;FPGA系统是Nexys4 DDR型号的FPGA硬件开发平台,把接收到的数据进行处理、发送和监控;上位机包括蓝牙电路及上位机程序,通过蓝牙通信实现键盘对上位机的PPT翻页、文档键入、游戏操控、鼠标移动以及钢琴弹奏等无线控制应用。实践表明,由于外设介质和上位机操控的设计多样化,不仅使平台在广度和深度具有层次性,而且可以调动学生的学习兴趣、培养学生的思考能力、激发学生的创新意识。 相似文献
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利用同步辐射光电子能谱研究了室温下p型InP(100)表面,由于K吸附诱发的催化氮化反应过程。对于N_2/K/InP(100)体系的P2p;In4d芯能级和价带谱的研究表明:碱金属吸附于InP(100)表面可以强烈地影响其在室温下的氮化反应,K的存在极大地提高了N_2在InP(100)表面的粘附系数。由我们的实验结果和碱金属吸附于GaAs(110),InP(110),GaP(110)表面的研究结果可知,碱金属吸附于Ⅲ-V族半导体表面后,可以极大地提高N_2在Ⅲ-V族半导体表面的粘附系数,从而促进Ⅲ-V族半
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机载分布式相参雷达(DCAR)相比较于地基DCAR具有探测距离远、机动性高和部署灵活等优势,然而,载机平台运动使得机载DCAR面临更加严格的时间、空间和相位同步要求。为此,该文建立了基于慢时间码分多址(ST-CDMA)波形的机载DCAR信号模型及其矩阵表示形式,分析了时间、空间和相位同步误差对目标相参合成的影响,并提出一种基于特显点的机载DCAR同步误差校正方法。该方法首先采用目标参数搜索的方式消除滤波器网格失配误差;接着,利用基于目标的估计方法或者基于中继的估计方法完成单元位置误差校正;最后,利用特征结构方法校正等效幅相误差。仿真实验验证了所提方法的有效性。
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