机载正侧阵雷达杂波自由度分析

 该文主要分析远场条件下机载正侧阵雷达任意波束宽度杂波在各种阵元间距情况下的自由度.首先从距离波数域出发分析任意波束宽度的杂波在各种阵元间距情况下的空间自由度,然后通过空时等效原理将二维空时杂波转化为一维空间杂波,得到不同系统参数情况下的空时杂波自由度,给出了适用范围广的杂波自由度确定方法.最后通过仿真实验验证了上述分析的正确性.     

氯对Ni（110）面上CO共吸附的影响

用ＵＰＳ、ＸＰＳ、ＡＥＳ和功函数测定等方法考察了氯对Ｎｉ（１１０）上ＣＯ共吸附的影响。预吸附的氯强烈降低了ＣＯ的吸附速度和饱和吸附量，减少了ＣＯ－Ｎｉ的平均偶极矩。ＵＰＳ和ＸＰＳ结果表明，氯的共吸附使ＣＯ的１π和Ｏ（１ｓ）移向较高的结合能，而５σ则轻微移向较低的结合能。氯能取代表面吸附的ＣＯ并伴随总功函数的下降。氯的强电负性和空间位阻减小了Ｎｉ－ＣＯ的键合作用，从而降低了ＣＯ的吸附键能，并使Ｃ－０     

基于特显点的机载分布式相参雷达同步误差校正方法

机载分布式相参雷达(DCAR)相比较于地基DCAR具有探测距离远、机动性高和部署灵活等优势,然而,载机平台运动使得机载DCAR面临更加严格的时间、空间和相位同步要求.为此,该文建立了基于慢时间码分多址(ST-CDMA)波形的机载DCAR信号模型及其矩阵表示形式,分析了时间、空间和相位同步误差对目标相参合成的影响,并提出一种基于特显点的机载DCAR同步误差校正方法.该方法首先采用目标参数搜索的方式消除滤波器网格失配误差;接着,利用基于目标的估计方法或者基于中继的估计方法完成单元位置误差校正;最后,利用特征结构方法校正等效幅相误差.仿真实验验证了所提方法的有效性.     

波束-多普勒酉ESPRIT多目标DOA估计

高分辨波达方向(DOA)估计是地基/空基预警雷达实现主波束内多目标精细跟踪需要解决的关键问题。针对上述问题,该文提出一种波束-多普勒酉ESPRIT多目标DOA估计算法。该方法首先通过时域平滑技术构造多个快拍。然后采用中心共轭对称傅里叶变换矩阵将数据变换至波束-多普勒域,同时保留旋转不变结构。最后采用实值ESPRIT算法估计目标的DOA。所提方法充分利用了信号的时域信息来改善空域参数估计性能,同时具有较低的计算复杂度。实验结果证明了所提方法的有效性。     

基于道路信息的知识辅助空时自适应处理

主波束中的车辆回波信号会污染空时自适应处理(STAP)的训练样本,导致空时自适应处理时的目标自相消,引起漏警。针对这一问题,该文提出一种基于道路信息的知识辅助(KA)空时自适应处理方法。该方法首先根据主波束中道路相对于雷达的位置估计道路上车辆相对于雷达的径向速度,然后得到可能含有主波束车辆回波信号的距离-多普勒单元,接着根据训练样本与杂波导向矢量和主波束导向矢量的匹配程度判断这些训练样本是否包含主波束车辆回波信号,最后在进行空时自适应处理估计杂波协方差矩阵时剔除被主波束车辆回波信号污染的训练样本。理论分析及实验结果表明该方法可以提高道路密集环境中空时自适应处理的信杂噪比输出,改善空时自适应处理雷达的性能。     

机载相控阵雷达近程杂波抑制的俯仰向空域自适应算法

该文针对机载平面阵列相控阵雷达的动目标检测提出了一种俯仰向空域自适应的近程杂波抑制算法。该方法利用平面阵列天线在俯仰向的自由度,在近程杂波的支撑区域内沿着多普勒单元选取训练样本估计协方差矩阵,计算俯仰向空域最优权。在存在距离模糊的情况下,该方法可以自适应地滤除近程杂波,保留远程杂波,从而增强了杂波的距离均匀性,有利于提高后续的方位空域和时域STAP的性能。     

基于广义旁瓣相消的机载雷达抗密集转发式干扰方法

密集转发式干扰不仅会引起雷达虚警,而且会抬高其附近单元的恒虚警率检测门限进而导致目标检测性能下降。另外,它还会污染空时自适应处理的训练样本,导致杂波抑制性能下降。针对这些问题,该文提出一种机载雷达抗密集转发式干扰算法。该算法首先估计干扰方向,然后用广义旁瓣相消技术在空域滤除干扰。广义旁瓣相消中的辅助通道为指向干扰方向的和波束,而其协方差矩阵则利用清晰区中挑选的干扰样本估计得到。该算法可以有效抑制密集转发式干扰,减少由其引起的虚警,改善雷达目标检测性能,同时该算法还具有结构简单,易于实现的优点。实验结果验证了该算法的有效性。     

FA方法和EFA方法多普勒清晰区性能分析

在机载雷达杂波抑制的空时处理方法中,FA方法和EFA方法是两种常用的降维方法.给出了这两种方法在多普勒清晰区(即噪声区)改善因子的解析表达式,并从理论上分析了二者改善因子的性能.同时对这两种方法的改善因子随加窗深度的变化关系以及随样本数的变化关系进行了仿真分析.这些理论分析和仿真结果表明,时域滤波器加窗是EFA方法在多普勒清晰区的性能优越于FA方法的原因,同时这些理论分析和仿真结果对于空时处理方法在多普勒清晰区的应用和优化具有参考价值.     

THE ANNEALING EFFECT OF CRYSTAL 4H-SiC FILMS PREPARED BY PULSED LASER DEPOSITION

SiC films were prepared by pulsed XeCl laser ablation of ceramic SiC target on Si(100) substrate at temperature 850℃ and post-deposition high temperature annealing above 1100℃ (1100℃-7 Pa). The surface morphology, crystal structure, composition and chemical state of the element in the films before and after annealing were studied by X-ray diffraction, transmission electron microscopy, scanning electron microscopy, Auger electron Spectrum, X-ray photoelectron spectrum and photoluminescence methods. It was found that the films were consisted of polycrystal 4H-SiC structure before annealing and were turned into singlecrystal epitaxial 4H-SiC after annealing. The surfaces of the films were smooth and the adhesion of films with the substrate was good. The films were transparent. Excited by the laser with wavelength 290 nm at room temperature, the films emitted two luminescence bands with the peaks at 377 nm and 560 nm. The emission at 377 nm was attributed to the combination of the transmission among the valence and conductor bands, while the one at 560 nm was possibly to be from exciton emission.