苷类化合物研究(Ⅰ)——天麻苷类似物的合成

本文合成了16种天麻苷类似物,测定了它们的¹³CNMR和¹HNMR。依据NMR数据,这些化合物的端基构型指定为β构型。     

抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究

通过对高压SOI NMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOI NMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。     

提高多晶电阻工艺稳定性

文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究,剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况,并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析,证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力,以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾,说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。     

一种基于总剂量效应的SOI器件模型快速提取方法

从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先,提取0 krad(Si)时器件的模型参数,然后针对总剂量敏感参数,对100 krad(Si)总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化,并对得到的模型参数进行验证。结果表明,该方法所提取的模型参数准确有效,解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型(如BSIMSOI等)导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点,可用于评估辐射对SOI电路的影响。     

电视发射天馈系统的常见故障及维护方法

本文分析了电视发射天馈系统多种故障的原因,根据作者多年的实践经验,总结出维修、维护方法。并给出利用测量电压驻波比判断天馈系统反射点的方法。     

苷类化合物研究 IV: 熊果苷类似物的合成

本文报道以1-溴-2,3,4,6-四-O-乙酰基-a-D-吡喃糖与苯二酚在氢氧化钠的丙酮-水溶液中反应, 生成熊果苷类似物. 由^1HNMR测定了糖苷的端基异构体.     

固相萃取分离-电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法测定海产品中的无机砷

分别将N-(β氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷(AEAPTMS)、3-巯丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)与四乙氧基硅烷(TEOS)水解共聚,制备氨基\巯基键合的硅胶材料.将此材料作为固相萃取(SPE)小柱的填充材料,建立了固相萃取快速分离富集海产品样品中五价砷As(Ⅴ)和三价砷As(Ⅲ),电感耦合等离子体质谱(ICP-M...     

基于卡尔曼滤波的激光光谱CO2监测算法研究

目的:为了进一步抑制光谱干扰对可调谐二极管激光吸收光谱技术测量结果的影响.方法:基于搭建的可调谐激光光谱技术气体监测系统,对CO2标准气体进行了实验分析.在最小二乘法的基础上,提出了采用卡尔曼滤波算法进行建模并预测的方法,并以此预测了CO2气体的浓度.结果:与采用卡尔曼滤波算法前相比,预测值和参考值的相关系数由0.9961增大到0.9999,预测均方根误差由0.1％减小至0.0034％.结论:该方法用于TDLAS技术中,可以实现气体的准确测量.     

STI场区加固NMOS器件总剂量效应

基于0.18 μm CMOS工艺开发了浅槽隔离(STI)场区抗总剂量辐射加固技术,采用离子注入技术使STI/衬底界面处的P型硅反型阈值提高,从而增强NMOS器件的抗辐射能力。实验表明,加固NMOS器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压无明显漂移,漏电流保持在10-12量级,其抗辐射性能明显优于非加固NMOS器件。通过STI场区加固工艺的研究,可有效提高电路的抗总剂量辐射能力,同时避免设计加固造成芯片面积增大的问题。     

苷类化合物研究 IV: 熊果苷类似物的合成

本文报道以1-溴-2,3,4,6-四-O-乙酰基-a-D-吡喃糖与苯二酚在氢氧化钠的丙酮-水溶液中反应, 生成熊果苷类似物. 由^1HNMR测定了糖苷的端基异构体.