一种温度不敏感占空比可调的振荡器

介绍了一种单比较器型锯齿波及CLK方波震荡器电路,它通过基准电压源对RT/CT充放电产生一定占空比的锯齿波及CLK方波信号。该电路所产生的方波及锯齿波频率的温度和电压稳定性好,波形的占空比可根据需求进行trimming调节。同时介绍了电路的工作原理,进行了HSPICE仿真,最后给出了流片验证结果。     

总剂量辐射对0.5μm部分耗尽SOI CMOS器件的影响

介绍了基于SIMOX SOI晶圆的0.5μm PD SOI CMOS器件的抗总剂量辐射性能。通过CMOS晶体管的阈值电压漂移,泄漏电流和32位DSP电路静态电流随总剂量辐射从0增加到500 krad(Si)的变化来表现该工艺技术的抗电离总剂量辐射能力。对于H型(无场区边缘)NMOS晶体管,前栅阈值电压漂移小于0.1 V;对于H型PMOS晶体管,前栅阈值电压漂移小于0.15 V;未发现由辐射引起的显著漏电。32位DSP电路在500 krad(Si)范围内,静态电流小于1 m A。通过实验数据表明,在较高剂量辐射条件下,利用该工艺制造的ASIC电路拥有良好的抗总剂量辐射性能。     

抗辐射高压SOI埋氧总剂量效应研究

研究了抗辐射高压SOI埋氧总剂量加固技术,发现在总剂量辐射条件下不同埋氧加固工艺背栅阈值变化的情况。通过增加埋氧加固技术可以有效地抑制总剂量辐射环境下对高压器件的调制效应。     

新型可变光衰减器的温度特性研究

介绍一种新型光衰减器的工作原理、结构及温度特性.实验中采用在线温度特性测试法得到了新型光衰减器的插入损耗随温度变化的特性曲线.提出通过改进工艺的办法来优化新型光衰减器结构和提高光衰减器温度稳定性的方案.     

高斯光束斜入射法布里—珀罗干涉仪的透射光强分布

基于多光束干涉原理,研究了高斯光束斜入射法布里—珀罗干涉仪的透射光强分布。结果表明,当以较大角度入射时,输出为一系列空间分离的光斑;当以较小角度入射时,输出尽管为单一光斑,但是与输入相比,其峰值强度位置发生了偏移,且光斑变大。     

ADSS光缆的设计与制造

国内电力部门正在大规模的架设ADSS光缆,结合鲁能泰山曲阜光缆厂为山东电力光缆二期工程制造的1000km的ADSS光缆,谈谈ADSS光缆的设计与制造。     

部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺P+源漏电阻实验设计

文章对部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺源漏电阻产生影响的四个主要因素采用二水平全因子实验设计[1],分析结果表明在注入能量、剂量、束流和硅膜厚度因素中,硅膜厚度显著影响P+源漏电阻,当顶层硅膜厚度充分时,P+源漏电阻工艺窗口大。实验指出注入能量未处于合理的范围,导致源漏电阻工艺窗口不足,影响0.8μm SOI工艺成品率。通过实验优化后部分耗尽0.8μm SOI CMOS工艺P+源漏电阻达到小于200Ω/□,工艺能力显著提高到Ppk>2.01水平,充分满足部分耗尽0.8μm SOICMOS工艺P+源漏电阻需求。     

苷类化合物研究——Ⅳ.熊果苷类似物的合成

熊果苷是从植物中分离到的一种成分,据报道具有低毒性镇咳、利尿、抗菌和尿道消毒作用等生物活性。由于熊果苷水溶性好,便于机体吸收,有希望成为临床的新型镇咳药,它的结构式如下式所示。为了研究构(包括端基异构)效(镇咳作用)关系,作者以熊果苷为模型化合物,对糖基和配糖体分别进行有限的修饰,合成了一些熊果     

低功率信号光脉冲在非线性均匀周期结构中的慢光传输特性

从非线性耦合模方程出发,导出信号光脉冲中心载波频率和频谱带宽位于非线性均匀周期结构（NUPS）阻带外沿时脉冲传输所满足的非线性薛定谔方程(NLSE)。数值研究表明：低功率信号脉冲在NUPS阻带外沿且紧靠阻带传输时，脉冲将实现其载波波长与布拉格共振波长之间的失谐量有关的慢光特性，而且脉冲波形在传输过程中也将经历剧烈的演变过程，当给予入射脉冲合适的初始预啁啾参量时，可以得到与入射脉冲具有相当峰值功率的输出脉冲。     

低功率光脉冲在均匀周期结构中的慢光传输

为了研究低功率信号光脉冲在均匀周期结构阻带外沿且紧靠阻带的传输特性,采用数值求解非线性薛定谔方程的方法,进行了理论分析,给出了脉冲宽度、峰值功率与传输距离的关系曲线和在不同频率失谐量下的脉冲慢光延迟特性.结果表明,脉冲波形在传输过程中将经历剧烈的演变过程,当给予入射脉冲合适的初始预啁啾参量时,可以得到与入射脉冲具有相当峰值功率的输出脉冲.这一结果对实验研究低功率信号脉冲在均匀周期结构阻带外沿且紧靠阻带的慢光传输特性具有重要的理论参考价值.