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外腔面发射激光器的GaAs基质厚度大,热导率低,严重阻碍有源区热量的扩散,影响激光器功率的提高。为了去除激光器的GaAs基质,采用硫酸系酸性腐蚀,通过改变腐蚀液浓度和腐蚀温度来比较腐蚀液对GaAs基质的腐蚀影响,并采用原子力显微镜照片表征了腐蚀表面的粗糙度。结果表明,当腐蚀液的体积比V(H2SO4):V(H2O2):V(H2O)=1:5:10,腐蚀温度为30℃时,腐蚀速率适中,为5.2μm/min,腐蚀表面粗糙度2.7nm,腐蚀总体效果较为理想。较好的GaAs基质腐蚀效果为外腔面发射激光器衬底去除腐蚀阻挡层的选择性腐蚀提供了基本的保障。 相似文献
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文章对采用了埋层二氧化硅抗总剂量加固工艺技术的SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了干法氧化和湿法氧化工艺的栅氧击穿电荷,干法氧化的栅氧质量劣于湿法氧化。采用更敏感的12.5nm干法氧化栅氧工艺条件,对比采用抗总剂量辐射加固工艺前后的栅氧可靠性。抗总剂量辐射加固工艺降低了栅氧的击穿电压和击穿时间。最后通过恒压法表征加固工艺的栅氧介质随时间击穿(TDDB)的可靠性,结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5nm栅氧在常温5.5V工作电压下TDDB寿命远大于10年,满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。 相似文献
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嵌入式操作系统体系架构的可信性是保障其稳定运行的关键。文中设计基于人工智能的高可信嵌入式操作系统,配置操作系统有效空间与系统资源。依据任务安全等级划分处理器模块分区;依据任务类型配置分区属性分配所需内存;依据分区任务从机器学习算法库中选取合适机器学习算法,获取各分区与主时间框架内的分配策略以及调度策略;依据任务需求配置分区通信,完成分区通信配置后配置健康监控以及任务容错实现人工智能的高可信嵌入式操作系统。实验结果表明,该系统在不同任务数量时,操作可信率均高于96%;处理不同类别任务精准率以及召回率均高于98%。 相似文献
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基于0.13 μm eFLASH工艺技术,成功制备了Sence-Switch型pFLASH单元,并对其性能进行了研究.该单元由两个共享浮栅和控制栅的编程/擦除管(T1)和信号传输管(T2)组成,采用带带遂穿(BTBT)编程方式和福勒-诺德海姆(FN)遂穿擦除方式实现了其“开/关”态功能,并对其“开/关”态特性进行表征,同时,研究了其耐久性和电荷保持特性.实验结果表明,该单元具有较优的“开/关”态特性和电参数一致性,T1/T2管阈值窗口的均值、均一性分别约为9.2V和2.4%;在工作电压为-1.5V条件下,T2管“关”态的漏电流均在1 pA/μm以下,T2管“开”态的驱动电流均值为116.22 μA/μm,均一性为5.61%;该单元循环擦/写次数可达10 000次.同时,在25℃的“开/关”态应力条件下,该Sence-Switch型pFLASH单元寿命大于10年. 相似文献