基于Web服务的面向服务(SOA)架构研究

早在十年前，Gartner Group就提出了面向服务软件体系架构概念。但是传统SOA(Service Oriented Architecture)的实现采用的都是一种紧耦合、非通用的接口设计，无法满足跨企业的分布式系统的信息共享，无法使软件得到最大限度的重用，不能实现实时系统，因而一直没有得到很好的应用。随着W3C对Web Service的协议的规范化以及IBM，Microsoft，SUN等国际顶级IT大公司联合制定规范和服务支持，Web Service技术日趋成熟化。Web Service采用了一种面向服务(SOA)的开放的、松耦合的架构，所有协议都是基于XML具有通用性，并且实现简单。因此，Web Service给SOA软件体系架构带来了新的契机。深入剖析了传统sOA架构技术和Web Service的原理、实现机制，并且分析了基于Web服务的SOA的实现，描述了基于Web服务的SOA的通信结构和实现层次结构。     

265毫微米脉冲激光辐照皮肤的损伤阈研究

本文探讨了265nm脉冲辐照皮肤所引起的紫外红斑.实验中明显地观察到紫外红斑的两相反应——延迟和瞬时红斑.概率统计分析表明,本实验所获得的猪皮肤最小红斑剂量(22.00mJ/cm~2)是可信的.     

高性能的MIL-STD-1773光纤数据总线系统

本文综述了我们对1773光纤数据总线系统的研究工作进展。建立的1773光纤数据总线系统满足舰船电子设备环境使用条件,研制工作充分考虑了实时控制的特殊要求,所进行的工作独立于具体的舰船型号和用途,不受具体应用的限制,因此这些技术可以扩展到其他各种军事及工业实时控制系统中应用。     

中国“复关”与乌拉圭回合谈判

回顾了乌拉圭回合谈判所取得的成果；阐述了乌拉圭回合对我国的影响；介绍了国内经济体制改革与“复关”谈判的有关情况。     

模场直径对单模光纤接续损耗的影响

模场直径描述了单模光纤所传输的光能在光纤中的分布情况,对于单模光纤耦合和接续是一个很重要的参数。光纤中光能分布情况可用高斯公式描述。在这种情况下,我们可算出两根待接光纤的模场直径不同所引起的接续损耗。通过试验数据的分析,可以看出试验结果和理论计算较为接近。本文仅涉及模场直径对单模光纤接续损耗的影响。     

准分子激光器及其应用

本文评述了准分子激光在激光加工、激光医疗中的应用前景,非线性光学在准分子激光技术中的运用,以及近年来高重复频率与高亮度准分子的激光器件的新进展。     

浓差电池测氧仪的初步研制

一、仪器的特点和原理浓差电池测氧仪和磁氧分析器、原电池法、比色法及黄磷发光法相比有着显著的优越性:灵敏度高;量程范围大,测量线性关系好;准确度高,稳定性好;方法连续,响应快;设备简单,维护方便等。主要缺点是可燃性气体和毒化电极的气体的存在对测量有干扰。1962年第一台浓差电池测氧装置问世后,不到十年就在工业上得到了广泛的应用。     

基于负载牵引法的小型化功率模块设计

为了更准确地设计功率放大器,放弃了依靠调试的设计方法而采用负载牵引法进行大信号参数提取并以此为基础进行放大的设计.阐述了管芯大信号模型理论,介绍了利用负载牵引技术对管芯进行大信号参数的提取过程,运用ADS软件对功率放大器的微波性能如增益、驻波比和功率附加效率等进行了优化,并在此基础上设计了S波段小型化功率放大器模块.制作的单级功率放大器模块在500 MHz带宽内Gp＞9 dB,VSWR≤1.5:1,Pou≥34.6 dBm.     

氧化鑭薄膜閘極結構與電性並應用在砷化鎵高速場效應電晶體研製

This paper investigates the feasibility of using a lanthanum oxide thin film （La2O3） with a high dielectric constant as a gate dielectric on GaAs pHEMTs to reduce gate leakage current and improve the gate to drain breakdown voltage relative to the conventional GaAs pHEMT. An E/D mode pHEMT in a single chip was realized by selecting the appropriate La2O3 thickness. The thin La2O3 film was characterized： its chemical composition and crystalline structure were determined by X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray diffraction, respectively. La2O3 exhibited good thermal stability after post-deposition annealing at 200, 400 and 600℃ because of its high binding-energy （835.6 eV）. Experimental results clearly demonstrated that the La2O3 thin film was thermally stable. The DC and RF characteristics of Pt/La2O3/Ti/Au gate and conventional Pt/Ti/Au gate pHEMTs were examined. The measurements indicated that the transistor with the Pt/La2O3/Ti/Au gate had a higher breakdown voltage and lower gate leakage current. Accordingly, the La2O3 thin film is a potential high-k material for use as a gate dielectric to improve electrical performance and the thermal effect in high-power applications.