全文获取类型
收费全文 | 6345篇 |
免费 | 1030篇 |
国内免费 | 1336篇 |
专业分类
化学 | 2273篇 |
晶体学 | 80篇 |
力学 | 238篇 |
综合类 | 138篇 |
数学 | 645篇 |
物理学 | 1659篇 |
无线电 | 3678篇 |
出版年
2024年 | 36篇 |
2023年 | 150篇 |
2022年 | 185篇 |
2021年 | 174篇 |
2020年 | 145篇 |
2019年 | 173篇 |
2018年 | 161篇 |
2017年 | 186篇 |
2016年 | 165篇 |
2015年 | 181篇 |
2014年 | 355篇 |
2013年 | 225篇 |
2012年 | 286篇 |
2011年 | 282篇 |
2010年 | 260篇 |
2009年 | 308篇 |
2008年 | 322篇 |
2007年 | 283篇 |
2006年 | 318篇 |
2005年 | 279篇 |
2004年 | 336篇 |
2003年 | 310篇 |
2002年 | 236篇 |
2001年 | 270篇 |
2000年 | 239篇 |
1999年 | 211篇 |
1998年 | 232篇 |
1997年 | 280篇 |
1996年 | 303篇 |
1995年 | 243篇 |
1994年 | 227篇 |
1993年 | 144篇 |
1992年 | 221篇 |
1991年 | 178篇 |
1990年 | 173篇 |
1989年 | 131篇 |
1988年 | 63篇 |
1987年 | 74篇 |
1986年 | 39篇 |
1985年 | 58篇 |
1984年 | 58篇 |
1983年 | 60篇 |
1982年 | 27篇 |
1981年 | 43篇 |
1980年 | 23篇 |
1979年 | 8篇 |
1978年 | 12篇 |
1966年 | 4篇 |
1965年 | 5篇 |
1958年 | 4篇 |
排序方式: 共有8711条查询结果,搜索用时 0 毫秒
52.
一般认为:在一个孤立的带电导体表面上,其表面曲率最大处,电场强度也最大.事实上这两个最大值之间没有上述关系,并不总是一一相对应的.只对特殊形状的导体才成立.本文通过轴向对称带电球面的一级微扰来证明电场强度和曲率二者最大值的位置是不同的. 相似文献
53.
54.
In this paper, the structure of cubic CaTiO3 (001) surfaces with CaO and TiO2 terminations has been studied from density functional calculations. It has been found that the Ca atom has the largest relaxation for both kinds of terminations, and the rumpling of the CaO-terminated surface is much larger than that of TiO2-terminated surface. Also we have found that the metal atom relaxes much more prominently than the O atom does in each layer. The CaO-terminated surface is slightly more energetically favourahle than the TiO2-terminated surface from the analysis of the calculated surface energy. 相似文献
55.
56.
57.
58.
59.
本文报道了1.5μm波长高速Ti:LiNbO3M-Z型强度调制器的设计,制作,封装和检测,所得包装式器件原性能指标为;插入损耗6.7dB,开关电压7.3V,3dB调制带宽8GHz,消光比-21dB。 相似文献
60.
Si/Ag/Si和Si/Au/Si薄膜分形晶化的TEM和EDS研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文利用透射电镜(TEM)和X射线能谱(EDS)对a-Si:H/Ag/a-Si:H和a-Si:H/Au/a-Si:H薄膜的分形晶化行为进行了研究。结果表明薄膜的分形晶化强烈依赖于退火条件,分形的形成可用随机逐次触发形核和生长(RSNG)来加以解释。尽管膜内存在明显的互扩散,Si分形区厚度与均匀基体区厚度相近。但在a-Si:H/Ag/a:Si:H膜中存在部分较大的Ag晶粒凸出膜面。 相似文献