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本文对高膜厚PS材料进行了研究,通过工艺优化,成功在G5线实现了60~120μm的高PS。通过前烘工艺和固化工艺优化调整,得到了无气泡、膜面良好的高PS材料。本文还对曝光量对PS影响进行了研究,发现曝光量低于50mJ时,PS材料无法有效成型;当曝光量达到150mJ时,得到形貌良好,达到设计值的PS。最后还对不同基底高PS材料进行了研究,发现未进行增粘处理时,SiN基底粘附性良好,Mo基底还需继续优化处理。  相似文献   
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