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101.
在高斯光束参数测量实验中,实验数据的实时性处理是一个难题。文中开发的实验数据处理软件主要包括测量数据曲线的拟合、判断曲线是否符合高斯分布、光斑大小的计算、发散角和腰斑大小的计算。该软件操作方便、界面简单、精度高、运行结果直观易懂,很好地解决了实时处理问题,具有一定实用价值。 相似文献
102.
103.
104.
着重介绍了IGBT直接串联高压变频器的主电路以及高速功率器件直接串联技术,正弦波技术、抗共模电压技术等三项关键核心技术,并对几种高压变频器的性能进行了较为详细的比较。介绍了高压变频器在莱钢厂4=转炉煤气鼓风机的应用,对在节能方面的效果做了计算分析。 相似文献
105.
以聚合物poly(N-vinylcarbazole)(PVK)为主体材料,分别掺入蓝光染料2,5,8,11-tetra-tertbutylperylene(TBPe)和橙黄光染料5,6,11,12-tetraphenyl-naphthacene(Rubrebe),制成单层白色有机电致发光器件(WOLED)。通过多组实验结果的对比,最终确定了最佳染料掺杂浓度和器件结构,得到最佳色举标为(0.33,0.38),已位于该坐标的白色等能区之内,且随着外加电压由8V增加到16V,色坐标保持不变。器件的亮度为553cd/m^2,外量子效率为0.16%。 相似文献
106.
107.
触摸屏控制器简化了对触摸屏的控制,但他采用串行通信,这样触摸屏控制器的转换精度越高,从他读出触摸点坐标值所花的时间就越多。为了减少这种时间,以一个基于StrongARM SA1100的嵌入式系统应用实例介绍了一种典型的电阻式触摸屏并行通信硬件驱动电路以及在此基础上的软件驱动程序设计方法和流程。有利于操作系统对触摸屏的控制。 相似文献
108.
基于绝缘体上硅技术,提出并研制动态阈值nMOSFETs结构.阐述了动态阈值nMOSFETs的工作原理.动态阈值nMOSFETs的阈值电压从VBS=0 V时的580 mV动态变化到VBS=0.6 V时的220 mV,但是这种优势并没有以增加漏电流为代价.因此动态阈值nMOSFETs的驱动能力较之浮体nMOSFETs在低压情况下,更具有优势.工作电压为0.6 V时,动态阈值nMOSFETs的驱动能力是浮体的25.5倍,0.7 V时为12倍.而且浮体nMOSFETs中的浮体效应,诸如Kink效应,反常亚阈值斜率和击穿电压降低等,均被动态阈值nMOSFETs结构有效抑制. 相似文献
109.
采用高温固相法制备了一类新型橙红荧光粉Ba3-xSrNb2O9:xSm3+,通过XRD图谱鉴定了样品的纯相结构。根据激发发射光谱,紫外激发406 nm下,该荧光粉在596 nm处呈现出明亮的橙红光发射,Sm3+的猝灭浓度为0.04。结合变温光谱,分析得出在高温453 K下,其PL发射强度仍保持在室温下的76.5%,具有良好的热稳定性。此外,通过将样品与蓝色LED芯片简易封装,在激发电流160 mA下,Sm3+掺杂荧光粉在色坐标(0.331 4, 0.338 1)下发出明亮的白光,接近理想白光(x=0.33,y=0.33),显色指数高达93.3。结果表明,作为新型铌酸锶钡基质的荧光粉,在掺杂稀土Sm3+后,在紫外白光发光二极管(UV-WLEDs)中具有极高的应用可行性。 相似文献
110.
为了有效实现光电振荡器(OEO)输出频率精细调谐 ,提出了一种基于电增益环腔(EGRR)的OEO。利用放大器、 滤波器和移相器构成可调谐EGRR,通过改变EGRR内信号的相位等效实现 环腔长度的改变,得到不同 频率的射频(RF)信号,RF信号与OEO产生的自由振荡信号电注入锁定,输出信号 的频率由锁定EGRR输出频 率的OEO模式决定,相位噪声由OEO决定。在简单结构实验的条件下,有 效实现了OEO输出频率精细调谐。实验结果表明,当光纤长为2km、EGRR长为0.5m时,得到 了频率为11.3GHz、边模抑制比(SMSR)为 48dB、可调谐范围为239MHz、调谐最小步长 为100kHz和相位噪声为-99dBc/Hz@10kHz的RF信号。 相似文献