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11.
Synthesis of GaN Nanorods by Ammoniating Ga2O3/ZnO Films   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si(111) substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed.  相似文献   
12.
基于可以得到的理论和实验数据,对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氯、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估,发现对基态类氢、类氯和类锂氩离子的碰撞电离,在不考虑共振过程的情况下,我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的,但对于激发态的碰撞电离过程。还有待于可靠的数据比较,此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律。  相似文献   
13.
14.
报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7~1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值.  相似文献   
15.
本文分析了中兴动力环境一体化解决方案各个子系统组成及其各部分功能,阐述了中兴动力环境一体化解决方案中直流不间断供电解决方案、交流不间断供电解决方案、机房环境调节解决方案、防雷接地解决方案、集中监控解决方案的技术特点。  相似文献   
16.
分类讨论是中学数学中一种重要的数学思想,也是近几年高考考查的重点内容.同学们解决这类问题最困惑的就是不知如何划分范围,本文结合几个典型例题介绍一种划分范围的简捷方法——零点法.  相似文献   
17.
闫敬文  沈贵明  胡晓毅  许芳 《光学学报》2003,23(10):1163-1167
提出了基于Karhunen Lo埁ve变换的小波谱特征矢量量化三维谱像数据压缩方法耍幔颍瑁酰睿澹?Lo埁ve变换 /小波变换 /小波谱特征矢量量化方法应用了Karhunen Lo埁ve变换的消除谱相关性优良性能 ,应用二维小波变换消除空间相关性 ,在小波变换域内应用二维集分割嵌入块编码和一维谱特征矢量量化对三维谱像数据压缩 ,获得较高的压缩性能。实验结果表明 :Karhunen Lo埁ve变换 /小波变换 /小波谱特征矢量量化编码比Karhunen Lo埁ve变换 /小波变换 /改进对块零树编码和Karhunen Lo埁ve变换 /小波变换 /快速矢量量化编码方法在同样压缩比条件下 ,峰值信噪比提高 2dB和 1dB以上 ,而速度提高了 1.5和 8倍 ,整体压缩性能有较大的提高  相似文献   
18.
本文对国内外超声振动切削技术的主要发展过程进行了回顾,提出了现代超声振动切削技术的发展动向。  相似文献   
19.
采用简单、快速且有选择性的红外光谱法测定高碱性磺酸盐添加剂的碱值。在高碱性磺酸盐同一张谱图上,可以测定到在865厘米~(-1),1180厘米~(-1)分别属于δco_3~(2-),v_(asso)振动的吸收强度,由于样品厚度未知,而采用了吸收比的方法。  相似文献   
20.
研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点尺寸的涨落小于±3%,量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm,密度为8×109cm-2。实验结果表明,通过预淀积硼表面处理,可以得到尺寸分布很窄的量子点,以满足量子点光电器件方面应用的要求。  相似文献   
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