标准曲线质量控制图在水质总磷检测中应用

建立测定水中总磷的标准曲线斜率、截距和质控样品质量浓度的X控制图。收集水质中总磷检测的27条标准曲线,绘制水质总磷标准曲线斜率、截距和质控样品中总磷质量浓度的X控制图,并应用于水质中总磷检测的质量控制。结果表明,钼酸铵分光法测定总磷标准曲线的斜率控制在0.008 90～0.009 84范围内,截距控制在–0.006 94～0.004 94范围内。利用该控制图上点的分布及趋势可以快速对实验过程中的标准曲线进行分析判断,验证实验过程是否处于受控状态,确保检测结果的准确性和可靠性。     

HEMT器件质子辐射效应仿真

GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有抗高频、耐高温、大功率、抗辐射等特性,在核反应堆、宇宙探测等辐射环境中具有广阔的应用前景。借助SRIM软件仿真1.8 MeV质子辐射对不同AlGaN势垒层纵向尺寸下的常规耗尽型器件内部产生空位密度的影响,并观察空位密度随深度的变化规律。在最优AlGaN势垒层厚度条件下,通过仿真对比5种不同栅氧层材料的MIS-HEMT器件,发现氮化铝(AlN)栅氧层材料具有相对较好的抗辐射效果。     

飞秒激光场中OCS分子的里德堡态激发

本文研究了800nm飞秒强激光场下OCS分子的里德堡态激发过程. 实验不仅观测到强激光场中的中性母体分子的里德堡态激发,而且观测到大量的中性里德堡态碎片. 我们测量了里德堡态激发产率随激光强度及椭偏率的变化,并与强场电离解离进行了比较. 分析表明,飞秒激光场下中性里德堡态碎片的产生与强场多次电离密切相关. 此外,我们还讨论了中性里德堡态碎片对激光椭偏率依赖的内在原因.     

异核双原子和三原子分子在红外强激光场中的电离抑制

Ionization is the fundamental process in interaction of atoms/molecules with femtosecond strong laser fields. Comparing to atoms, molecules exhibit peculiar behaviors in strong-field ionization because of their diverse geometric structures, molecular electronic orbitals as well as extra nuclear degrees of freedom. In this study, we investigate strong field single and double ionization of carbon monoxide (CO) and carbon dioxide (CO₂) in linearly polarized 50-fs, 800-nm laser fields with peak intensity in the range of 2×10¹³ W/cm² to 2×10¹⁴ W/cm² using time-of-flight mass spectrometer. By comparing the ionization yields with that of the companion atom krypton (Kr), which has similar ionization potential to the molecules, we investigate the effect of molecular electronic orbitals on the strong-field ionization. The results show that comparing to Kr, no significant suppression is observed in single ionization of both molecules and in non-sequential double ionization (NSDI) of CO, while the NSDI probability of CO₂ is strongly suppressed. Based on our results and previous studies on homonuclear diatomic molecules (N₂ and O₂), the mechanism of different suppression effect is discussed. It is indicated that the different structure of the highest occupied molecular orbitals of CO and CO₂ leads to distinct behaviors in two-center interference by the electronic wave-packet and angular distributions of the ionized electrons, resulting in different suppression effect in strong-field ionization.     

等离子体辅助法合成α-Si_3N_4/SiO_2纳米梳（英文）

晶体的α-Si3N4内核和非晶的SiO2外壳组成的纳米梳通过简单的直流电弧方法合成。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微术(SEM)、透射电子显微术(TEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)等对纳米梳进行表征。纳米梳的光致发光谱展现了两个强的发光峰,分别在450和511 nm。α-Si3N4/SiO2核壳结构纳米梳生长机制为等离子体辅助气-固生长机制。     

技工院校校园网络安全

在当今社会,信息、物质、能源一起构成三大支柱资源,而其中的信息资源,对人们来说已不再陌生。随着社会的发展,信息越来越显得重要,信息是一种财富,对经济的繁荣、科技的进步,社会的发展都起着非常重要的作用。然而,如何有效地利用我们身边的网络信息,充分发挥网络信息平台“千里眼,顺风耳”的积极、有效作用,引导广大的学生们合理利用互联网中的海量的有益的信息,无疑是一件任重而道远的事情。同样,对信息的保护也是一件很重要的工作。     

流量工程对IP路由器的要求

流量工程（TE）是目前IETF和大型的Internet服务商正在深入讨论的热门话题,本文介绍了在流量工程环境网络中的IP路由器人有的路由和转发功能,以及目前关于流量工程问题讨论中的主要解决方案。     

工艺参数偏差对纳米压印a-Si太阳电池光学性质的影响

先基于实际工艺条件和频域有限差分法,优化了纳米压印三角带型a-Si太阳电池织构结构,然后重点探讨了有源层和铝背反镜厚度偏差、SiNx增透膜折射率和厚度偏差及织构结构几何尺寸偏差对a-Si太阳电池光电流密度的影响.研究表明:TM模受有源层和铝背反镜厚度偏差、SiNx增透膜折射率和厚度偏差及织构结构几何尺寸偏差的影响较小,平均光电流密度的变化主要受TE模光电流随工艺偏差的影响;增透膜和压印模板制备过程中,有效控制工艺参数的偏离是获得最优a-Si太阳电池设计性能的关键.     

基于暗I-V特性曲线对晶硅电池杂质和缺陷性质研究

暗I-V特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段.本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗I-V特性曲线的影响,并给出了利用暗I-V特性曲线判断晶硅电池内部杂质和缺陷类型和分布的基本准则,结果表明:在大于0.75 V的正向偏压区域,暗I-V特性曲线的明显变化可作为判断为由晶硅电池体内杂质和缺陷引起;在0.1 V~0.75 V的正向偏压区域,暗I-V特性曲线的理想因子分区性质可作为晶硅电池体内和表面杂质和缺陷的依据.     

等离子体辅助法合成α-Si3N4/SiO2纳米梳

晶体的α-Si₃N₄内核和非晶的SiO₂外壳组成的纳米梳通过简单的直流电弧方法合成。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微术（SEM）、透射电子显微术（TEM）、傅里叶红外光谱（FTIR）等对纳米梳进行表征。纳米梳的光致发光谱展现了两个强的发光峰,分别在450和511nm。α-Si₃N₄/SiO₂核壳结构纳米梳生长机制为等离子体辅助气-固生长机制。