Lp[0,1]空间Müntz有理逼近的Jackson型估计

设Λ={λn}n∞=1为正的实数数列,且当n→∞时,有λn↘0.本文给出了当λn≤Mn-1/2,n=1,2,…,(其中M＞0为一正常数)时Müntz系统{xλn}的有理函数在Lp[0,1]空间的逼近速度,主要结论为Rn(f,Λ) Lp≤CMω(f,n-1/2)Lp,1≤p≤∞.     

有理插值的基本特征

１　引　言 记 ｎ为次数不超过ｎ的一元多项式函数类,约定零多项式的次数为－∞,即ｄｅｅ（０）＝－∞;记 ｍ,ｎ为分子属于 ｍ,分母属于 ｎ＼｛０｝的一元有理函数类．我们约定：本文所采用的概念和记号将与文［１］保持一致,本文中“有理插值问题”系指文［１］中“有理插值问题（２．１）（２．２）”,并简记为ＲＩＰ． 文［１］在［２－８］的基础上引进了ＲＩＰ的　方程组,定义了　插值式,指出了其与经典结果的关系,这为我们分析ＲＩＰ提供了一个有力的工具．本文将在文［１］的基础上,深入讨论ＲＩＰ的基本特征．在本节和下…     

有理插值问题不适定的根本原因

1　在 Rm,n中的有理插值问题本文记 Pn为次数不超过 n的一元多项式函数类 ,约定零多项式的次数为 -∞ ,即deg(0 ) =-∞ ;记 Rm,n为分子属于 Pm,分母属于 Pn{ 0 }的一元有理函数类 .对既约分式Am/Bn∈Rm,n,如果 Bn满足尾项规范条件 (即 Wuytack条件 ) [2 ] ,则称其为标准既约分式 .引进一个新的有理函数类 ,记Rl =Rl- 1 ,0 ∪ Rl- 2 ,1 ∪…∪ R0 ,l- 1 .称 Rl 是自由度为 l的一元有理函数类 .并称其中有理函数类 Rl- 1 - i,i为有理函数类 Rl 的基本子类 ,(i=0 ,1 ,… ,l-1 ) .我们约定 :本文中“有理插值问题”如不特殊声明 ,系指文…     

修正高阶Hermite插值及Hermite—Fejer插值在Lw^p空间中逼近的正逆定理

Lw^p空间中引入了一种K－泛函并由此建立了一种以第一类Chebyshev多项多的零点为结点的三种修正高阶Hermite插值及一种修正的高阶Hermite-Fejer插值多项在Lw^p空间中逼近的正逆定理。     

中心—焦点区分问题的I l'yashenko算法

对二维平面系统的二维系统的中心焦点区分问题 ,I l'yashenko曾建议一个算法 ,本文给出此法的详细证明 .据此 ,我们讨论了区分问题在 Arnold意义下的代数可解性与不可解性     

中心—焦点区分问题的Il‘yashenko算法

对二维平面系统的二维系统的中心焦点区分问题，Il'yashenko曾建议一个算法，本给出此法的详细证明。据此，我们讨论了区分问题在Arnold意义下的代数可解性与不可解性。     

关于奇性两点狄利克雷问题

本文研究奇性两点狄利克雷问题，在ｆ（ｔ，ｘ，ｙ）≤α（ｔ）ｇ（ｘ）＋β（ｔ）ｈ（ｘ）｜ｙ｜ε，０＜ε≤２情形下，得到了解的存在性定理，推广了Ｔｉｎｅｏ（１９９２）的结果．     

锥模型拟牛顿法

1 引 言 对于求解无约束最优化问题 min f(x),f:R~n→R,f∈C~2。Davidon提出了一类非二次模型方法,即锥函数近似模型 f(x)≈c(x)=f(x_k)+(f(x_k)~T(x-x_k))/((1-h_k~T(x-x_k))+1/2((x-x_k)~TA_k(x-x_k))/([1-h_k~T(x-x_k)]~2) (1.1)和共线调比变换     

计算涡旋电场的二种方法

对于满足似稳条件的、由变化磁场所激发的涡旋电场,本文介绍了从场方程的微分形式及积分形式出发进行求解的方法.并对二种典型情况作了分析、计算.     

Study of the dose rate effect of 180 nm nMOSFETs

Radiation induced offstate leakage in the shallow trench isolation regions of SIMC 0.18 μm nMOSFETs is studied as a function of dose rate. A "true" dose rate effect (TDRE) is observed. Increased damage is observed at low dose rate (LDR) than at high dose rate (HDR) when annealing is taken into account. A new method of simulating radiation induced degradation in shallow trench isolation (STI) is presented. A comparison of radiation induced offstate leakage current in test nMOSFETs between total dose irradiation experiments and simulation results exhibits excellent agreement. The investigation results imply that the enhancement of the leakage current may be worse for the dose rate encountered in the environment of space.