频谱拍卖中投标者共谋策略与多频段拍卖中共谋问题的讨论

本文通过对单频段拍卖中共谋问题的研究,从抑制共谋的角度,提出了最优的拍卖机制是第一价格封闭式拍卖,论证了频谱拍卖中投标者的最优共谋策略,给出了拍卖方基于保留价格的应对投标者共谋的对策。在单频段拍卖研究的基础上,进一步将频谱拍卖中的共谋问题引申到多频段拍卖中,讨论了当待售频段之间具有互补性和替代性时的共谋情况。     

Nano-Crystalline Diamond Films with Pineapple-Like Morphology Grown by the DC Arcjet vapor Deposition Method

A nano-crystlline diamond film is grown by the dc arcjet chemical vapor deposition method. The film is characterized by scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy （HRTEM）, x-ray diffraction （XRD） and Ftaman spectra, respectively. The nanocrystalline grains are averagely with 80hm in the size measured by XRD, and further proven by Raman and HRTEM. The observed novel morphology of the growth surface, pineapple-like morphology, is constructed by cubo-octahedral growth zones with a smooth faceted top surface and coarse side surfaces. The as-grown film possesses （100） dominant surface containing a little amorphous sp2 component, which is far different from the nano-crystalline film with the usual cauliflower-like morphology.     

脉冲直流偏压增强的高质量立方氮化硼薄膜的合成

采用磁增强活性反应离子镀系统成功地合成了立方氮化硼薄膜.通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压,增强了立方氮化硼的成膜稳定性,研究了基片的直流脉冲偏压、等离子体放电电流、通入气体流量比(Ar/N₂)和基片温度沉积参数对立方氮化硼薄膜形成的影响规律.结果表明:随着基片负偏压和放电电流的增大,薄膜中立方氮化硼的纯度提高,当基片负偏压为155V,放电电流为15A时,可获得几乎单相的立方氮化硼薄膜.基片温度为500℃和Ar/N₂流量比为10时,最有利于立方氮化硼 关键词： 立方氮化硼 活性反应离子镀 脉冲偏压     

Sensitivity improvement of aluminum-based far-ultraviolet nearly guided-wave surface plasmon resonance sensor

An aluminum (Al) based nearly guided-wave surface plasmon resonance (NGWSPR) sensor is investigated in the far-ultraviolet (FUV) region. By simultaneously optimizing the thickness of Al and dielectric films, the sensitivity of the optimized Al-based FUV-NGWSPR sensor increases from 183°/RIU to 309°/RIU, and its figure of merit rises from 26.47 RIU^-1 to 32.59 RIU^-1 when the refractive index of dielectric increases from 2 to 5. Compared with a traditional FUV-SPR sensor without dielectric, the optimized FUV-NGWSPR sensor can realize simultaneous improvement of sensitivity and figure of merit. In addition, the FUV-NGWSPR sensor with realistic materials (diamond, Ta₂O₅, and GaN) is also investigated, and 137.84%, 52.70%, and 41.89% sensitivity improvements are achieved respectively. This work proposes a method for performance improvement of FUV-SPR sensors by exciting nearly guided-wave, and could be helpful for the high-performance SPR sensor in the short-wavelength region.     

1.5 kW激光二极管抽运Nd:YAG薄片激光器

报道了一台输出功率超过1.5 kW的激光二极管抽运Nd∶YAG双薄片激光器.设计了四通光学耦合系统,通过优化经微柱透镜准直后光束的发散角,实现了抽运光的近平顶分布.薄片激光介质镀完介质膜后镀Ti,Pt,Au实现金属化,再采用铟焊工艺焊接在铜微通道冷却器上,以提高散热效率和冷却的均匀性.采用两片直径40 mm,厚度1.3 mm的Nd∶YAG薄片激光介质,在两个二极管激光器阵列抽运下,当每个薄片上的抽运峰值功率为17.7 kW,占空比10%时,获得了平均功率1.52 kW的准连续激光输出,光-光转换效率达到43%,电-光转换效率超过20%.     

星载固态功率放大器低气压放电和微放电研究

论述了低气压放电与微放电的产生机理。以要求在低气压和真空环境下能正常工作的某星载微波固态功率放大器为例,详细介绍了在设计和生产中对低气压放电和微放电所采取的预防措施,重点从放气孔设计、多余物和污染物的控制、结构件设计和表面处理等方面进行了详细论述。对C波段20 W固态功率放大器进行了低气压实验和真空实验,并进行了性能测试。结果表明,产品在实验过程中其幅频特性、频谱和电流与常压状态相同,无异常情况。该产品在卫星实际环境中工作正常,也证实了星载微波固态功率放大器在设计和生产中采取措施的有效性和必要性。     

用PCl_3/In/H_2技术控制汽相外延高纯磷化铟的最新进展

PCl_3/In/H_2的最新工作是揭示PCl_3克分子分数和质量输运效应对外延生长速度和净掺杂影响的互变关系。介绍了用改进了的比早期AsCl_3/Ga/H_2工艺更为适用的技术所进行的高纯磷化铟的汽相外延生长及其控制。叙述了净杂质浓度在10~(13)厘米~(-3)范围和霍尔迁移率超过10~5厘米~2·伏~(-1)·秒~(-1)的高纯外延层的生长。还将讨论用PCl_3克分子分数和质量输运依赖关系控制本底掺杂的方法。指出深施主和浅受主补偿效应的有关数据。讨论故意掺入超过10~(15)～10~(18)范围的浅施主和受主的情况。进行了详细的肖特基势垒测量并与理论相比较。给出金和铝肖特基势垒的内建势关系。指出了77K时的光荧光测量以及它们和外延层纯度的关系。把10~(13)～10~(18)厘米~(-3)范围内净载流子浓度与300K和77K时范德堡霍尔迁移率的关系与理论进行比较。为表示浅施主和受主浓度,根据理论数据对补偿比效应进行了估计。     

2013年中国UPS市场分析与展望

2012年全年国内生产总值519322亿元，按可比价格计算，比上年增长7．8％。分季度看，一季度同比增长8．1％；二季度增长7．6％；三季度增长7．4％；四季度增长7．9％。     

成都联通“恩师卡”向教师献厚礼

在第二十五个教师节到来前夕，成都市双流县白沙小学的教师熊琴蓉和她的同事们收到了一份尊师厚礼，由成都联通针对广大教师特意推出的一项个性化通信服务品牌“恩师卡”陆续发放到他们手中，为辛勤耕耘在教育战线上的人民教师提供更多、更实惠的通话和资费服务。     

一类具有欧拉形式的中立型微分方程的振动性

研究具有欧拉形式的无界时滞中立型微分方程解的振动性，给出了方程振动的几个充分条件。