国外工艺文献导读

20 0 10 6 0 1　用于大批量生产的助焊剂喷射涂覆—ＲａｊＮＭａｓｔｅｒ,ＡｊｉｔＤｕｂｅｙ ,ＯＴＯｎｇｅｔａｌ.ＣｉｒｃｕｉｔｓＡｓｓｅｍｂｌｙ ,2 0 0 1,12 (4) :5 0～ 5 5 (英文 )在电子组装中有许多的工艺涉及到ＦＣ、ＢＧＡ、ＣＧＡ技术 ,助焊剂的涂覆是一个重要的工艺参数。涂覆助焊剂要求涂覆量具有可重复性以便于控制焊剂的残留量 ,因为在进行ＦＣ底部填充时 ,焊剂残留会引起空洞和剥层等缺陷 ,这一问题将随着芯片尺寸的增加和更细间隙器件的采用而越来越严重。传统的刷涂或浸涂方法速度慢 ,不适用于大批量生产。助焊剂喷射涂…     

未来全光网络的发展

运用排队论的知识 ,从理论上分析比较了在排队时光时分复用技术 (OTDM)较波分复用技术(WDM)在逗留时间上更具有优势 ,指出未来全光网的建设应该走 OTDM和 WDM结合的道路。     

铅芯橡胶耗能器与油阻尼器组合耗能系统的振动台试验与分析

在一座三层单跨的钢结构模型中安装了铅芯橡胶耗能器及其和油阻尼器并联组合。对这两种耗能体系进行了振动台试验,以研究组合耗能体系的动力特性,检验其减振效果,试验结果表明：组合耗能体系对位移和加速度有良好的减振效果;在合适的刚度范围内,增加适当的阻尼可提高耗能器的减振效果,进行了数值分析,并与试验结果进行了比较,验证了本文提出的计算模型与方法的正确性。     

SO2在吸收池内的稳定性研究

在室温条条件下,以Xe灯为光源,利用SO2的紫外吸收光谱,研究了SO2的浓度随时间连续变化规律。实验中考虑了温度和充垫气体N2对SO2的浓度变化的影响。实验结果表明：SO2的浓度基本上是随时间线性变化的;同时,SO2的浓度变化率与光照时间有关。     

OES study of the gas phase during diamond films deposition in high power DC arc plasma jet CVD system

This paper used optical emission spectroscopy (OES) to study the gas phase in high power DC arc plasma jet chemical vapour deposition (CVD) during diamond films growth processes. The results show that all the deposition parameters (methane concentration, substrate temperature, gas flow rate and ratio of H₂/Ar) could strongly influence the gas phase. C₂ is found to be the most sensitive radical to deposition parameters among the radicals in gas phase. Spatially resolved OES implies that a relative high concentration of atomic H exists near the substrate surface, which is beneficial for diamond film growth. The relatively high concentrations of C₂ and CH are correlated with high deposition rate of diamond. In our high deposition rate system, C₂ is presumed to be the main growth radical, and CH is also believed to contribute the diamond deposition.     

低雷诺数下串列布置双圆柱涡激振动特性研究

基于四步半隐式特征线分裂算子有限元方法,对串列布置双圆柱双自由度涡激振动问题进行了数值模拟计算,并分析了间距比、剪切率、频率比以及折减速度4个参数对圆柱结构动力响应的影响.研究发现:不同固有频率比与剪切率对下游圆柱振动幅值影响较大,然而对上游圆柱振动幅值影响较小.上游圆柱在两个自由度方向达到最大值的折减速度不同,然而下...     

直流等离子体喷射制备无裂纹自支撑金刚石膜体的晶体组织设计

在自支撑金刚石膜体中发现网状、河流状和环状三种裂纹形式,这几种裂纹形式依沉积温度不同而不同.首次采用了原子力显微镜分析了金刚石自支撑膜体裂纹断裂机制,发现了穿晶断裂和沿晶断裂两种机制,其中,在网状裂纹中,穿晶断裂机制占主要地位;环状裂纹中,沿晶断裂机制占主要地位,而河流状裂纹是两种机制的混合.对应X射线衍射结果,(111)晶面占优的膜体易于开启穿晶断裂机制,(220)晶面占优的膜体易于开启沿晶断裂机制.使用Raman 谱测试的膜体中的本征应力在几十到几百MPa之间,且在膜体中存在应力剖面分布.Raman谱的结果还显示低缺陷的膜体组织有利于阻挡裂纹扩展.通过建立简单力学分析模型,推测了膜体组织对断裂强度的作用.根据实验结果和力学模型,制备了最厚2mm、最大直径120mm的无裂纹自支撑金刚石膜.     

数字控制系统中纯滞后因子的离散建模

对于普通z变换,纯滞后时间若不为采样周期整数倍,被控对象无法用z变换表示;使用改进z变换处理控制系统中的纯滞后,需要查表和进行繁杂的数学运算,无法用于CAD。本文介绍了在MATLAB的环境下,使用Pade近似式拟合纯滞后因子,和不滞滞后的被控对象串联,离散化后建立的模型有较高的精度。计算机模拟结果说明此方法的正确性与实用性。     

兔清洗返修工艺

返修工艺一贯被世人所忽视,然而实际的无法避免的缺陷又使得返修在组装工艺中变得必不可少。因此,免清洗返修工艺是实现免清洗组装工艺的一个重要组成部分。本介绍免清洗返修工艺所需材料的选择、测试以及工艺方法等。     

[Pb2(TNR)2(CHZ)2(H2O)2]·4H2O的结构及热分解机理

用碳酰肼 (CHZ ,NH2 NHCONHNH2 )、硝酸铅和三硝基间苯二酚 (TNR ,斯蒂酚酸 )的水溶液制备 [Pb2 (TNR) 2 (CHZ) 2 (H2 O) 2 ]·4H2 O .采用单晶分析的方法测定它的分子结构 ,并用TG DTG、DSC和　IR相结合的技术研究它的热分解机理 .所得晶体属单斜晶系 ,P2 1/n空间群 .晶体学参数为 :a=0 .6470 0 ( 10 )nm ,b =1.60 74 ( 3)nm ,c=1.4 883( 3)nm ,β =97.4 2 ( 2 )° ,V =1.534 9( 5)n ,Z =2 ,DC=2 .572 g·cm- 3,μ(Mo ,Kα) =11.0 80cm- 1,F( 0 0 0 ) =112 8.最终偏离因子R =0 .0 4 2 2 ,Rw=0 .0 735.该配合物分子呈中心对称 ,两个羰基O原子形成两个氧桥 ,TNR2 - ,CHZ和H2 O同时参与了与中心离子的配位