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231.
本文报道了在高功率密度激光辐照下,激光等离子体研究用的真空室中背景气体(主要是真空系统中的油蒸气)的多光子电离的实验研究结果。得到的离子按其荷质比决定的飞行时间可以分成四组:H_2~ ,H~ ;C~ ,CH~ ,CH_2~ ,CH_3~ ,N~ ,O~ ;C_2~ ,C_2H~ ,C_2H_2~ ,C_2H_3~ ,C_2H_4~ ,Si~ ,CHO~ ,O_2~ 和C_3~ ,C_3H~ ,C_3H_2~ ,C_3H_3~ 等。此外,还观测到C~( )离子。最后充入一定浓度的氩气,观测到了氩离子。  相似文献   
232.
宇宙间的物质绝大部分是不可视的。这些暗物质成分不是单一的,对大尺度结构的形成起着关键的作用。在含有多种成分的宇宙中,一种重要的成团特性是:若成分1和2的密度和Jeans长度满足ρ1《ρ21J《λ2J,则非主导成分1中尺度小于λ2J的非均匀性,无论初始如何,最终总是强于主导成分中的相应非均匀性。利用这一机制可以推断,暗物质至少含有两种成分,一是静质量较小的弱粒子,构成主导成分,一是质量较大的超弱粒子,构成非主导成分。含有两种暗物质的宇宙,可以统一地解释大尺度结构的主要特征:1.超星系团和巨洞构成的100Mpc非均匀性;2.存在红移z>2的可视天体;3.在小于超星系团尺度上,暗物质分布较可视天体均匀;4.由矮球星系数据所推知的可能存在两种质量不同的微子。  相似文献   
233.
本文介绍将刻蚀处理的多模光纤埋入复合材料结构内组居光纤传感陈列,用于探测复合材料结构由于外部冲击而造成的内部损伤,给出了实验方法与结果。实验显示了该方法探测复合材料结构冲击损伤的可行性。  相似文献   
234.
We present a method for obtaining the internuclear separation of diatomic molecular ion H^+2 irradiated by attosecond-duration laser pulse, by computing the probability flux of wavefunction pattern of photoelectron in configuration space. In contrast to earlier means of attosecond-scale time-gating or taking ratio of image data in momentum space, our alternative is characterized by experimental feasibility. The numerical results of a reduceddimensionality model on hydrogenic ions corroborated our method are obtained and can be generalized to more complex molecular systems for inferring bond length or bond angle information.  相似文献   
235.
尽管笔者于1992年曾在本刊第2期上以“究竟应生成什么?”的题目对在葡萄糖与银氨溶液的反应中,将葡萄酸与乙酸的酸性强弱从电子效应、电离常数、同浓度的2种酸中H^ 的浓度的定量计算中都得出:葡萄糖酸的酸性较乙酸强,从而将1993年以前的各种高中教材中的这个反应的生成物由  相似文献   
236.
文[1]探讨了一道调考题的多种解法.读后意犹未尽,补充如下.   题在数列{an}中,a1=t-1,其中t>0且t≠1,且满足关系式:an+1·(an+tn-1)=an(tn+1-1)n∈N+.……  相似文献   
237.
随着Windows95操作系统的普遍使用,以前用过许多非PnP(即插即用)设备在安装和使用过程中就非得心应手,如早期低倍速的光驱、早期的16位声卡、准16位卡及8位卡等。这种情况特别在升级的各种微机中普遍存在,但弃之又可惜,下面就此类设备安装谈一些经验。  相似文献   
238.
分布式光纤温度传感器的温度测量与信号处理方法及实现   总被引:9,自引:0,他引:9  
分布式光纤温度传感器利用一根光纤为温度信息的传感和传导介质,可以测量沿光纤长度上的温度变化。这种传感器的信号处理是将探测器输出信号尽可能地去除噪声和干扰,得到准确快速的温度显示和温度数据,这在解决大型重要结构的实时监控、准确测量等问题以及在组成智能材料结构方面具有重要价值和应用潜力。文章对基于反斯托克斯/斯托克斯比值的分布光纤温度传感器的温度测量方法和信号处理方法进行了全面而深入的研究,据此建立了传感器的信号处理系统。  相似文献   
239.
氧等离子体处理条件对poly-SiO2/Si结构平带电压的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
氧等离子体处理高阻P型、〈100〉硅片上的聚硅烷涂层,制备了SiO2/Si结构.用C-V技术测量其MOS结构平带电压,结果表明平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压和射频功率等条件的改变而变化.平带电压最小可达-0.55~-0.88V,比同一环境热氧化法制备的SiO2/Si结构平带电压小得多.  相似文献   
240.
利用密度泛涵理论对具有四元环、五元环、六元环、七元环、八元环和九元环等的C60富勒烯及其非经典衍生物:C62,C60,C59和C58共8个笼状分子进行了结构优化和电子结构计算,得到平衡构型下的结合能、HOMO-LUMO能隙、电离能、电子亲和能.对具有缺陷环的富勒烯,还研究了H2分子的贯穿行为,讨论了贯穿势垒与缺陷环尺寸的关系.  相似文献   
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