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利用击穿电压和击穿电量这两个参数评价标准0.18μm CMOS工艺栅氧的可靠性,获得击穿电压和击穿电量的两个常用方法是电压扫描法和电流扫描法.对用这两种方法得到的击穿电压和击穿电量进行了对比.通过对比,发现测试方法对击穿电压的影响非常小.但是测试方法却可以在很大程度上影响击穿电量.用电流扫描法获得的击穿电量要比用电压扫描法的要大,这一差别可以从两种方法不同的电流-电压曲线中得到解释.同时,通过考察Weibull分布的斜率还发现,击穿电压值的分布斜率要比击穿电量大的多,而且曲线拟合得更好.这说明用击穿电压获得的分析结果更可靠.综合以上结果,可以认为对0.18μm CMOS工艺可靠性评价而言,击穿电压是比较合适的评价指标. 相似文献
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本文用化学腐蚀法和光轴干涉图法研完了几种氧化物晶体的位错和亚晶界的分布,探讨了LiNbO_3晶体中的各种晶界以及TeO_2、PbMoO_4和Bi_(12)GeO_(20)晶体中的位错和亚晶界的分布对其光学性能的影响。 相似文献
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梅向明 《数学年刊A辑(中文版)》1984,(5)
在本文中,我们证明下列结果:设ω(g,h)是紧致复n维Khler流形M上由Khler度量g和M上Hermitian矢丛E的Hermitian结构h所确定的值为M上(p,q)型微分形式的r阶不变多项式函数,则当r
相似文献
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<正> 一、引言在吴光磊的文章[1]中,他给出了在相配丛上建立示性式的超渡式的一般方法,并且具体地推出了陈氏示性式的超渡式.他还把同样的方法用于 Euler 示性式,比较自然地说明了陈省身关于 Gauss-Bonnet 公式的证明.在本文中,我们将沿用他的方法,给出示性式的超渡式.A.Borel-F.Hirzebruch 在[2]中已经用拓扑方法证明了示性类的超渡元素的存在.然而在本文中则用微分几何的方法把这个超渡过程具体地写出来了. 相似文献
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一、引言学过几何的同志們都很熟悉希尔伯特(Hilbert)的几何公理体系,在这体系中基本元素是:点、綫、面。这些元素滿足五組公理:結合公理、順序公理、合同公理、平行公理和連續公理。在本文中我們将研究一种几何,它的基本元素还是点、綫、面,但是只保留一組結合公理。希尔伯特在建立他的公理体系时,事实上并不很关心連續公理,在他所写的經典著作“几何基础”的第一版里,实貭上沒有提到康托尔(Cantor)公理或与其等价的公理。后来由于潘加来(Poincaré)等人提了意見,他才在第二版中添加了和康托尔公理等价的完备性公理,并証明了体系的完备性。因此,希尔伯特书的中心思想按其实貭来說是要发展一种和連續公理无关 相似文献
39.
磁控管测e/m的数据采集与数值计算微机辅助实验教学的新尝试程向明(西安交通大学物理系710049)在磁控条件下,测量电子荷质比,是真空二极管的应用之一.由于该实验数据采集量较大,在数据处理时,是采用作图的外推法来寻找:磁控管阳极截止电流,求出e/m值... 相似文献
40.
一种新型挡光环的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
传统形式的挡光环是将挡光环与遮光罩内壁垂直设置,文中设计的新型挡光环是将挡光环与遮光罩内壁倾斜设置,使入射杂光的反射光线和一部分散射光线在挡光环与遮光罩内壁所夹的空间内多次衰减无法出射,剩余的散射光线也大多逆向光学系统传播,大大消弱了到达探测器的杂散光。新型挡光环的倾角α要始终保持αβ(β为入射杂光与遮光罩内壁的夹角)的分布,才能避免一些照射到挡光环表面上的杂散光直接散射进入光学系统。文中以探测微弱星体的卡塞格林空间相机为例,在外遮光罩内部分别设置2种构型的挡光环,用T racepro软件进行建模与仿真,结果表明:采用新型挡光环的空间相机与采用传统型挡光环的空间相机相比,其探测的星等提高了4个等级。 相似文献