Etching mask optimization of InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infared 640×512 focal plane array

In this paper we focused on the mask technology of inductively coupled plasma(ICP) etching for the mesa fabrication of infrared focal plane arrays(FPA).By using the SiO_2 mask,the mesa has higher graphics transfer accuracy and creates less micro-ripples in sidewalls.Comparing the IV characterization of detectors by using two different masks,the detector using the SiO_2 hard mask has the R_0A of 9.7×10~6 Ω·cm~2,while the detector using the photoresist mask has the R_0A of3.2 × 10~2 Ω·cm~2 in 77 K.After that we focused on the method of removing the remaining SiO_2 after mesa etching.The dry ICP etching and chemical buffer oxide etcher(BOE) based on HF and NH4 F are used in this part.Detectors using BOE only have closer R_0A to that using the combining method,but it leads to gaps on mesas because of the corrosion on AlSb layer by BOE.We finally choose the combining method and fabricated the 640×512 FPA.The FPA with cutoff wavelength of 4.8 μm has the average R_0A of 6.13 × 10~9 Ω·cm~2 and the average detectivity of 4.51 × 10~9 cm·Hz~(1/2).W~(-1)at 77 K.The FPA has good uniformity with the bad dots rate of 1.21%and the noise equivalent temperature difference(NEDT) of 22.9 mK operating at 77 K.     

Na+掺杂锂离子电池正极材料LiNi0.6 Co0.2 Mn0.2 O2的制备及电化学性能

采用草酸盐共沉淀法制备了钠掺杂改性的Li_0.98Na_0.02Ni_0.6Co_0.2Mn_0.2O₂正极材料,借助X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、能量分散谱（EDS）、感应耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）、电化学阻抗谱（EIS）和恒电流充放电测试等手段对材料的颗粒形貌、晶体结构和电化学性能进行了研究.结果表明,掺钠后的材料具有更完善的α-NaFeO₂结构（空间群为+/Ni²⁺阳离子混排和更大的Li层间距,易于Li⁺在晶格中的快速脱嵌迁移.电化学性能测试结果证实掺钠样品具有优异的循环稳定性和高倍率性能,在2.7~4.3 V,1C下循环100次后,放电比容量仍为146 mA·h/g（容量保持率为95.4%）,在0.1C,0.2C,0.5C,1C,3C,5C,10C和20C时的放电比容量分别为181,168,162,155,143,136,126和113 mA·h/g.     

WAP应用安全的研究

随着无线移动网络速度的不断提高,WAP在越来越多的领域得到了应用,同时也对WAP应用的安全性提出了比较高的要求。本文首先介绍了WAP本身的安全体系构架,然后对实际WAP应用中存在的安全漏洞进行了分析,最后对为解决此漏洞而采用的几种端到端的安全模型进行了讨论,并提出了一个简单有效的模型架构。     

微加工工艺误差对THz折叠波导行波管性能影响

在太赫兹频段,折叠波导慢波结构主要采用微细加工技术完成。讨论了目前折叠波导慢波结构主要的微加工工艺,分析了主要工艺误差包括波导深度、侧壁垂直度对0.41 THz折叠波导慢波结构高频特性的影响。通过分析比较,a值对折叠波导行波管性能影响很大,需要在工艺中精确控制。在侧壁垂直度为89°范围以内,侧壁垂直度的变化对折叠波导行波管性能影响不大。通过仿真分析,确定了工艺中必须控制加工精确度的工艺步骤,这对0.41 THz折叠波导行波管的研制有非常重要的意义。     

温度及深度对钛中氦泡释放过程影响的分子动力学研究

利用分子动力学模拟方法对温度及He泡深度给金属Ti内He泡的体积、压强和释放过程等带来的影响进行了研究. 首先, 通过研究室温下He泡在金属Ti内不同深度处的状态, 得到He泡的形状、压强、体积等物理量随其深度的变化规律. 发现He泡压强随其深度增加逐渐变大, 体积则逐渐减小, 但当He泡深度增大到2.6 nm时, 二者均维持在某个固定值附近. 然后对包含有He泡的Ti体系在温度作用下的演化过程进行了模拟, 发现不同深度处He泡从金属Ti内释放出来所需要的临界温度有很大差别, 总体来看He泡越深, 释放所需的临界温度越高. 但不同温度下He原子的释放速率没有明显差别, 释放过程几乎均为瞬间完成. 最后通过对He泡内部压强和其上方金属Ti薄层的抗张强度进行统计对比, 阐述了金属Ti 体内He泡的释放机制: 当He泡内部压强大于其上方Ti薄层抗张强度时, He泡就会将Ti 薄层撕裂, 从而使He原子得到释放.     

0.14THz折叠波导慢波结构的损耗特性

分析了两种常用来计算等效电导率的理论公式,并加工了折叠波导慢波结构进行冷测实验验证。在粗糙度为0.3μm时,0.14THz电磁波在无氧铜中传播的等效电导率约为4×107 S/m,这与已有理论公式的计算结果并不一致。最后初步讨论了这种不一致产生的原因,并提出了修正相关理论公式的想法。