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为了提高太赫兹行波管的输出功率,提出了多个传输信号进行功率合成的方法。首先,对D波段多注慢波结构进行设计及功分器的优化;然后,通过微铣削工艺完成了两注THz折叠波导结构的加工,加工精度满足实际设计要求;最后,利用CST软件对该结构的冷测与互作用特性进行了分析。仿真结果表明:该结构的S11值小于-20 dB,实际测试值在-20 dB左右,两者较吻合。冷测分析表明该结构具有22 GHz(16%)的冷带宽,3 dB增益带宽为12.5 GHz。在各电子注的电压、电流、峰值输入功率大小分别为15.79 kV, 12 mA, 10 mW时,单注结构获得了1.58 W的输出功率及22 dB的增益;而两路信号在互作用完成后,获得了2.91 W的合成功率输出,合成效率不低于90%。通过合成的方法可以有效提高THz行波管的输出功率。. 相似文献
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针对辐射环境下核废料检测准确率低的问题,提出一种基于深度卷积神经网络的辐射环境下核废料检测算法Dense-Dilated-YOLO V3。实验结果表明,Dense-Dilated-YOLO V3在不增加参数的情况下扩大了网络感受野,也有效避免图像信息的损失,同时能够在核辐射环境下提取到更多的目标细节特征,对辐射环境下目标检测的准确率可达93.29%,比原算法提高5.53%,召回率可达91.73%,提高了8.28%,有效解决了复杂辐射环境下核废料检测准确率低的问题,为辐射环境下核废料检测提供了新的途径。 相似文献
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为了深入研究离子径迹的电光学性质,室温下用太赫兹时域光谱(THz-TDS)测量高能重离子辐照的聚苯乙烯(PS)和聚乙烯(PE),获得了辐照样品的光学常数。研究发现,在离子沉积能量或离子剂量较高时,辐照PS和PE的吸收系数相比未辐照样品都有显著增加,这是由于辐照产生的碳团聚体对太赫兹波有吸收作用;对折射率而言,辐照PS的折射率增加而辐照PE的折射率降低,这与2种聚合物的结构有关。用有效介质理论提取出辐照聚合物中离子径迹的光学常数,并用Drude-Lorentz模型对其进行拟合,由拟合参数计算出了离子径迹的直流电导率。与常规接触测量法获得的离子径迹的电学参数进行比较,发现2种测量结果的差异是由于沿径迹方向能量沉积的不均匀性造成,THz-TDS测量结果更能反映高能量沉积区域物质的电学性质。 相似文献
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采用碳酸盐共沉淀法通过调节NH3·H2O用量来实现可控制备超高倍率纳米结构LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2正极材料。NH3·H2O用量会对颗粒的形貌、粒径、晶体结构以及材料电化学性能产生较大的影响。X射线衍射(XRD)分析和扫描电镜(SEM)结果表明,随着NH3·H2O用量的降低,一次颗粒形貌由纳米片状逐渐过渡到纳米球状,且nNH3·H2O:(nNi+nCo+nMn)=1:2样品晶体层状结构最完善、Li+/Ni2+阳离子混排程度最低。电化学性能测试结果也证实了nNH3·H2O:(nNi+nCo+nMn)=1:2样品具有最优异的循环稳定性和超高倍率性能。具体而言,在2.7~4.3 V,1C下循环300次后的放电比容量为119 mAh·g-1,容量保持率为81%,中值电压基本无衰减(保持率为97%)。在100C(18 Ah·g-1)的超高倍率下,放电比容量还能达到56 mAh·g-1,具有应用于高功率型锂离子电池的前景。此NH3·H2O比例值对于共沉淀法制备其他高倍率、高容量的正/负极氧化物材料具有一定的工艺参考价值。 相似文献
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利用ZF-300keV中子发生器,采用伴随粒子法研究了氘钛靶的中子产额随D+离子束轰击时间的变化特性;利用慢正电子湮没技术和扫描电镜分别研究了D+离子束轰击前后靶辐射损伤特性和表面形貌特征.结果表明,束流轰击引起氘钛靶缺陷结构和表面形貌的改变 ,但轰击时间的不同并未引起氘钛靶的中子产额、缺陷结构和表面形貌有明显差异;数值模拟了D+离子束在氘钛靶的辐射损伤特性和能量损失规律并与实验结果进行了比照分析和讨论.
关键词:
中子发生器
氘钛靶
伴随粒子法
慢正电子湮没技术 相似文献
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为了提高太赫兹行波管的输出功率,提出了多个传输信号进行功率合成的方法。首先,对D波段多注慢波结构进行设计及功分器的优化;然后,通过微铣削工艺完成了两注THz折叠波导结构的加工,加工精度满足实际设计要求;最后,利用CST软件对该结构的冷测与互作用特性进行了分析。仿真结果表明:该结构的S11值小于-20 dB,实际测试值在-20 dB左右,两者较吻合。冷测分析表明该结构具有22 GHz(16%)的冷带宽,3 dB增益带宽为12.5 GHz。在各电子注的电压、电流、峰值输入功率大小分别为15.79 kV, 12 mA, 10 mW时,单注结构获得了1.58 W的输出功率及22 dB的增益;而两路信号在互作用完成后,获得了2.91 W的合成功率输出,合成效率不低于90%。通过合成的方法可以有效提高THz行波管的输出功率。. 相似文献
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Room-Temperature Operation of 2.4 μm InGaAsSb/A1GaAsSb Quantum-Well Laser Diodes with Low-Threshold Current Density 下载免费PDF全文
GaSb-based 2.4μm InGaAsSb/AIGaAsSb type-I quantum-well laser diode is fabricated. The laser is designed consisting of three In0.35 Ga0.65As0.1Sb0.9/Al0.35 Ga0.65 As0.02Sb0.98 quantum wells with 1% compressive strain located in the central part of an undoped Al0.35Ga0.65As0.02Sb0.98 waveguide layer. The output power of the laser with a 50-μm-wide i-ram-long cavity is 28roW, and the threshold current density is 400A/cm2 under continuous wave operation mode at room temperature. 相似文献
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针对2.5Ma 条件下气动光学传输效应对红外成像的影响进行机理分析。利用有限元仿真得到头罩外流场的温度、压力、空间分布形态的参数。在此数值仿真基础上,提出将头罩外流场等效为气体透镜的方法,计算透镜的折射率和焦距及其对原红外成像系统焦点位置的改变量约为49.66μm,此改变量小于焦深,则外流场对红外光线传输的影响基本可以忽略,成像不会产生模糊。测量风洞实验拍摄到退化图像的调制传递函数(MTF)与红外探测系统的 MTF 相差很小,验证了对气动光学传输效应机理分析的正确性。 相似文献
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为了提高THz行波管的输出功率,通过并行多注和功率合成的方法,完成了并行多注D波段折叠波导行波管的理论分析与数值模拟。计算结果表明:单束行波管在0.135~0.157 THz频率区间具有很好的色散平坦度,3 dB带宽为13 GHz,0.14 THz处获得了20.88 dB的最大增益;多束合成行波管在0.14 THz处获得了20.8 dB的合成增益,3 dB带宽区间合成效率不低于92%。数值模拟表明该方法很好地实现了多路放大信号的合成输出。并行多注行波管具有输出功率大、单束电流小、聚焦磁场低等优点,能够在低发射电流密度条件下实现大功率THz辐射。 相似文献