Characterization of GaNxAs1-x Alloy Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy

Ga Nx As1 - x,the combination of small amount of nitrogen and Ga As,has beenexperimentally observed with the band gaps several hundreds me V lower than that ofGa As[1～ 4] .The alloy has attracted considerable attention in the applicat...     

Characterization of GaNxAs1-x Alloy Grown on GaAs by Molecular Beam Epitaxy

The GaNxAs1-x alloy has been investigated which is grown on GaAs (100) substrate by molecular beam epitaxy with a DC-plasma nitrogen source. The samples are characterized by high resolution X-ray diffraction (HRXRD) and low temperature photoluminescence (PL) measurements. Both HRXRD and PL measurements demonstrate that the crystalline and optical qualities of GaNxAs1-x alloy degrade rapidly with the increase of N composition. The nitrogen composition of 4.5 % can be obtained in GaNxAs1-x/GaAs quantum well by optimizing growth conditions,through which a photoluminescence peak of 1201nm is observed at a low temperature (10 K). The dependence of GaNxAs1-x band gap energy on the nitrogen composition in this investigation corresponds very well with that of the theoretical one based on the dielectric model when considering the effect of the strain. At the same time,we also demonstrate that the bowing parameter of GaNxAs1-x alloy is composition dependent.     

Effects of Growth Conditions on Optical Properties of GaInNAs/GaAs Quantum Well Grown by Molecular Beam Epitaxy

Long wavelength ( 1.3 or 1.55μm) laser diodes have attracted much attention in re-centyears due to the minimum loss in the optical fiber communication. These wavelengthsare accessible to InGaAsP/InP based on semiconductor activ...     

GaInNAs/GaAs量子阱激光器的发展与未来

ＧａＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料,在长彼长（１．３０和 １．５５μｍ）光通信系统 中具有广阔的应用前景．通过调节 Ｉｎ和 Ｎ的组分,既可获得应变 ＧａＩｎＮＡｓ外延材料,也可制 备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹配的异质结构,其波长覆盖范围为０．９－Ｎ２．０μｍ．ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ 量子阱激光器的特征温度为 ２００ Ｋ,远大于现行 ＧａＩｎＮＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的特征温度（Ｔ０＝５０ Ｋ）． ＧａＩｎＮＡｓ光电子器件的此优异特性,对于提高光纤通信系统的稳定性、可靠寿命具有特 别重要的意义．由于ＧａＩｎＮＡｓ和具有高反射率（高达９９％）ＡＩ（Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓ的分布布拉格 反射镜（ＤＢＲ）可生长在同－ＧａＡｓ衬底上,因此它是长波长（１．３０和 １．５５ μｍ）垂直腔面 发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的理想材料．垂直腔面发射激光器是光纤通信、互联网和光信号处理的 关键器件． ＧａＡｓ基的超高速集成电路（ＩＣ）已有相当成熟的工艺．如果 ＧａＩｎＮＡｓ－ＶＣＳＥＬ 与 ＧａＡｓ－ＩＣ相结合,将使光电集成电路（ＯＥＩＣ）开拓出崭新的局面．本文还报道我们课题 组研制高质量 ＧａＮＡｓ／ＧａＡｓ超晶格和大应变 ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构取     

十一热销40、42英寸平板电视横向测评

组织一次多家媒体联合参与的测评并不是一件简单的事,但在本期杂志,我们还是进行了这样的尝试,只是希望能给读者带来更多的启发和收获。在测评标准上,我们统一采用了《家庭影院技术》杂志的常规测评项目与基本原则,但在实际操作中,由于各个媒体的着重点以及读者定位的不同,还有尊重评委们各自的风格与立场等因素,所以最后的评论结果也不尽相同。相对而言,由于本刊针对的是追求高水准影像效果的影音爱好者及力求完美的发烧友,更加强调品质,因而在测评中标准更高,要求也会更严,结果的真实性与客观性也因此而更强。而原定于本期推出的"FULL HD大画面平板电视集体测评"大型专集,由于个别代表性产品的新机尚未正式面市等原因,下移至11月刊出,届时我们将会联合影像专家、资深玩家及其他影音媒体共同完成,评论项目与结果将更严谨、更具参考性,敬请读者关注。执行主编:汪杰     

64k动态随机存贮器—CM4864

64K动态随机存贮器已于1986年5月13日研制成功。该电路采用3.0微米HMOS技术,其主要性能为:行取数时间tRAc≤200ns(周期为335ns);功耗(工作/维持)≤330mW/20mW。     

网络空间的发展和应对--访美国网络司令部司令、国家情报局局长和中央安全局局长保罗·M·中曾根

联合部队季刊:您如何看待网络空间与联合部队之间的关系?网络空间作战与其他作战领域有何不同?中曾根将军:当我们思考网络空间时,我们应该在一些基本概念上达成一致。第一,我们的国家与其竞争对手保持着持续的联系;我们不须等这些对手主动来找我们,他们明白这一点,并一直在努力改善这种联系。第二,我们的安全在网络空间受到挑战。我们必须积极防御、进行侦察;要了解我们的对手在哪里及其能力;了解他们的意图。第三,网络空间的优越性是暂时的,我们可能会在一段时间内实现这一目标,但这只是短暂的。这就是为什么面对持续不断的威胁,我们必须不断行动,抓住和保持主动权。     

离子色谱紫外检测器联用技术同时分离测定乳制品中的碘离子和硫氰酸根

采用亲水性阴离子交换色谱柱,以碳酸钠-碳酸氢钠与乙腈的混合溶液作为淋洗液,实现了碘离子和硫氰酸根峰与样品中干扰峰的分离;选择紫外检测模式,获得了较高的灵敏度。在0.05～1mg/L范围内,碘离子、硫氰酸根的浓度X分别与对应的色谱峰面积Y呈良好的线性关系,碘离子的线性方程为Y=578.6X-2877,r=1.0;硫氰酸根的线性方程为Y=291.1X-3342,r=0.9998。碘离子、硫氰酸根的检出限分别为4.6μg/L和14.6μg/L,加标回收率为89.9%-106.9%。     

Strain-Engineered Low-Density InAs Bilayer Quantum Dots for Single Photon Emission

We investigate the growth of strain-engineered low-density 1hAs bilayer quantum dots （BQDs） on GaAs by molecular beam epitaxy. Owing to increasing dot size and In composition of the upper QDs, low-density BQDs in a GaAs matrix with an emission wavelength up to 1.4 μm at room temperature are achieved. Such a wavelength is larger than that of conventional QDs in a GaAs matrix （generally of about 1.3μm）. The optical properties of the BQDs are sensitive to annealing temperature used after spacer layer growth. Significant decrease of integrated PL intensity is observed as the annealing temperature increases. At 10 K, single photon emission from the BQDs with wavelength around 1.3μm is observed.     

吉林省无委办全力保障2011年研究生入学考试

按照国家无线电管理委员会办公室的通知精神和吉林省委省政府的要求,在2011年全国研究生招生考试中,吉林省无委办全力以赴地开展了2011年全国研究生考试无线电保障工作,较好地完成了无线电保障任务。