基于多结构多尺度形态学梯度的医学图像边缘检测

边缘检测在医学图像处理中占着至关重要的位置,检测的准确性将直接影响诊断和治疗。本文针对传统边缘检测算子对噪声敏感的不足,结合医学图像的特点,提出了一种形态学梯度运算的修正算法。首先由闭一开运算完成图像预处理以滤除噪声,再作闭运算平滑图像,最后对平滑的图像作多尺度的形态学梯度运算,得到噪声存在下的理想边缘,并将其用于医学图象的边缘检测。实验结果表明,该算法具有良好的边缘提取能力,抗噪性能良好,具有一定的实用性。     

离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs／GaAs和GaInNAs／GaAs量子阱的影响

研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的GaNAs／GaAs和GaInNAs／GaAs量子阱的影响．研究表明离子损伤是影响GaNAs和GaInNAs量子阱质量的关键因素．去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子．对于使用去离子磁场生长的GaNAs和GaInNAs量子阱样品,X射线衍射测量和PL谱测量都表明样品的质量被显著地提高．GaInAs量子阱的PL强度已经提高到可以和同样条件下生长的GaInAs量子阱相比较．研究也表明使用的磁场强度越强,样品的光学质量提高越明显．     

分子束外延生长高应变单量子阱激光器

采用分子束外延方法研究了高应变InGaAs/GaAs量子阱的生长技术.将InGaAs/GaAs量子阱的室温光致发光波长拓展至1160nm,其光致发光峰半峰宽只有22meV.研制出1120nm室温连续工作的InGaAs/GaAs单量子阱激光器.对于100μm条宽和800μm腔长的激光器,最大线性输出功率达到200mW,斜率效率达到0.84mW/mA,最低阈值电流密度为450A/cm2,特征温度达到90K.     

基于AVR单片机的数字PID调节器设计

数字PID调节器具有操作简单,控制精度准确,安全可靠性高等优点,广泛应用于工业生产过程中。提出一种以AVR单片机ATmega16为核心的数字PID调节器,该调节器充分利用了高性能AVR单片机的片内资源及外围扩展电路,能够接收多种类型的测量信号,具有较强的在线修改和丰富的控制功能,并且采取硬件和软件双重抗干扰措施提高了调节器的可靠性。     

蒸汽激光及其相似性关系的研究

蒸汽激光是利用亚稳态氦原子H_θ(2~3S)或氦离子He~+为能量的载体,通过潘宁效应或转荷效应将亚稳态氦原子的激发能或氦离子的电离能交给低电离电位元素的原子,使其电离和激发。目前,蒸汽激光已有氦-镉激光、氦-锌激光、氦-硒激光、氦-碘激光、氦-汞激光、氦-碲激光和氦-铜激光等共有一百余条连续工作的激光谱线,波长在3250埃至1.26微米之间,最大功率可达200毫瓦以上。     

变电站开放式辅助监控系统平台的开发与应用

随着智能变电站在电力系统中的普及,无人值守成为主要的运行模式,为了更好的对站内设备及运行环境实现监控,辅助监控系统得到了广泛的使用.通过应用这一系统对变电站内视频监控、安全警卫、门禁、灯光等子系统进行优化整合,有效的实现了全站辅助监控系统的综合监控管理.     

GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究

用光荧光谱 (PL )研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱 (SQW)的光跃迁性质和带阶 .通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系 ,发现 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中的发光是本征带 -带跃迁 ,并且低温发光是局域激子发光 .通过自洽计算发现它的导带带阶 (ΔEc)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系 ,其平均变化速率 (0 .110 e V / N% )比文献中报道的要慢得多 (0 .15 6～ 0 .175 e V / N% ) ,此外发现 Qc(=ΔEc/Δ Eg)随氮含量的变化很小 ,可以用 Qc≈ x0 .2 5 来表示 .还研究了 Ga Nx As1 - x/ Ga As单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数 (b)的影响     

发达国家和我国科技计划项目科普化现状比较

该文通过比较发达国家和我国科技计划项目科普化现状,指出我国科技计划项目科普化已远远落后世界科技发展要求,与我国总体经济发展、科技发展不相匹配。建立我国国家科技计划项目科普化机制是增进我国国家科技发展后劲、提升全民科学素质、实现我国国力可持续发展的一项重要工作。