一种激光雷达探测模块控制电路的设计和制作

传统上使用机械旋钮调节光电倍增管 (PMT) 增益的方法不仅存在需要人为依据经验手动操作、准确性差等 弊端, 而且 PMT 增益易受温度影响, 需要根据环境温度动态调整 PMT 的高压, 这些局限性都不利于其在激光雷达系 统中的应用。为了便于对 PMT 进行增益调节并保持 PMT 增益的稳定, 设计了可用于激光雷达系统的 PMT 控制电路 板, 该电路可使用计算机实现增益调节和高压的温度自适应调节, 从而精简了信号探测系统的结构与体积, 提升了信 号的稳定性。本工作采用内置高压电源的 H10721-20 型 PMT, 并基于 STM32 单片机结合数模转换器 (DAC) 和外围 电路完成控制电路板的设计并进行实际制作。进一步对使用电位器调节的 PMT 和利用所提出的控制方法进行调节 的 PMT 进行了高压稳定性的对比实验, 并对使用 PMT 控制电路板的米散射激光雷达的性能进行了测试。实验结果 表明所提出的控制方法可实现更稳定的 PMT 增益控制, 设计的 PMT 控制电路板具有良好的可靠性。     

大孔径静态干涉成像光谱仪探测器配准误差标定方法

大孔径静态干涉成像光谱技术是近年来出现的一种新型干涉成像光谱技术,具有高通量、多通道等优点,然而干涉图与探测器之间存在一定配准误差时,则会对复原光谱产生较大的影响,甚至影响到仪器的最终应用。针对该问题,通过对大孔径静态干涉成像光谱仪成像机理的分析,提出了一种探测器配准误差的标定方法,经验证该方法可以很好地解决探测器的配准误差,最终提高了复原光谱的精度,该研究对大孔径静态干涉成像光谱仪的研制具有重要的指导意义。     

基于LMS算法的TDRSS自适应多波束形成

跟踪与数据中继卫星系统（TDRSS）是转发地球站对低、中轨航天器的跟踪测控信号和中继从航天器发回地面的信息的卫星通信系统,自适应多波束形成是TDRSS中的一个关键技术。讨论了一种基于中频实数加权的LMS算法的自适应多波束形成方法,采用两路正交实信号进行实数加权,大大节约了硬件资源。理论分析及计算机仿真结果都证明了该算法的可行性及优越性。     

片螺素中间体——2,4,5-三甲氧基-α-卤代苯乙酮的合成研究

片螺素[1](Lamel larin)及其类似生物碱是近年来自海洋生物中分离得到的一种海洋活性物质,迄今为止发现有39种[1][2]。所有的片螺素都具有一定的生物活性[3]。但由于海洋生物中片螺素具有含量低,分离困难等特点,因而其合成研究是十分有意义的。本课题组在国家自然基金资助下,设     

Plakinidines生物碱的研究进展

Plakinidines是从海洋生物中分离得到的一种活性物质,也是人们首次发现具有吡咯[2,3,4-kl]吖啶骨架结构的天然产物,相应的生物活性探讨与合成工作也相继地展开.在本文中,结合本课题组的合成工作报道plakinidines的发现、生物活性以及相关的合成进展.     

二氧化钒的相变调控特性及可重构超表面天线应用研究

对二氧化钒(VO₂)薄膜的相变调控特性及方法进行了理论分析和实验探索。采用电激励方式研究了不同电极对相变程度的影响,发现电极尺寸和形状与绝缘状态下电阻的变化密切相关,从而影响相变程度。此外,相变程度也受不同调控方式的影响,可以用焦耳热原理解释。进一步将VO₂薄膜与超表面结构相结合,设计实现了大范围频率可重构的超表面天线。相比传统开关,VO₂薄膜在毫米波频段具有隔离度高、损耗低的优势,可为进一步研制高性能可调器件和天线提供重要的技术指导。     

新型双模介质波导滤波器

为满足5G基站射频前端的要求,提出了一种新型双模介质波导滤波器.在表面镀银的介质填充波导腔里设置两个盲孔和一个耦合槽,可有效控制一对TE201奇偶模.应用上述结构,设计了一个单腔双模滤波器、一个三腔四阶滤波器和一个六腔七阶滤波器.仿真和测试结果表明,在同样阶数下,引入一个双模谐振器能够有效减小滤波器体积:二阶滤波器体积...     

沉积物中石英ESR测年功率饱和效应的初步研究

介绍了几组沉积物中石英ESR功率饱和效应的基础实验情况,认为在用石英进行ESR测年时,微波功率的选择是一个重要参数,它直接影响累积剂量(AD)的求取,从而严重影响测年结果。在某些特定的地质环境下(如黄土,海洋沉积物),采用比较高的微波功率,可从沉积物石英的E'心得到较老沉积物(大于50万年)可信的ESR年代。     

扇形重叠场中三级离子轨迹理论(Ⅰ) 轨迹计算和矩阵表示

本文阐述了扇形重叠场中三级离子轨迹的计算,得出了环形电场与非均匀磁场正交配置构成的重叠场中径向三级离子轨迹及其斜率的公式,本文的结果是对文献上已有结果的概括和推广,因而具有普遍性,但计算中没有考虑边缘场效应和倾斜出入射的情况。     

NiFe/Ag/NiFe纳米结自旋晶体管研究

利用直流磁控溅射工艺和掩膜技术研制出新型NiFe/Ag/NiFe全金属自旋晶体管试样。该薄膜磁阻系数ΔR/R≥9%,全金属自旋晶体管试样集电极电流变化MC>587%(常温),且其性能随基极Ag层厚度减小而增强。全金属自旋晶体管具有电流放大、存贮及逻辑电路等功能,,有望替代现有的晶体管而应用于半导体大规模集成电路。