一种基于可配置随机测试生成的多核验证方法

多核设计规模和复杂度的不断提高,使功能验证变得越来越具挑战性.通过分析基于模拟仿真的多核验证方法,提出了一种基于可配置随机测试生成的多核cache一致性验证方法.该方法以随机测试生成为基础,通过配置随机生成参数来产生特定结构的多核验证指令流.此指令流的特点是,通过内存地址访问约束和多核同步操作的设置,来达成多核系统执行顺序的准确预测,进而通过自检测指令组的配置来完成自动快速结果比较.实验结果表明,该方法对多核一致性的验证是高效的.     

二氧化钛光催化体系中的羟基自由基的测定

通过ESR光谱测定表明TiO2悬浮液在紫外光照射下产生羟基自由基氧化物种.羟基自由基氧化酸性桃红(sulforhodamine B,SRB)使其褪色,在565 nm处用分光光度法测定其吸光度值的变化,可间接测定羟基自由基的生成量.确定了体系的最佳实验条件pH为2.5;SRB浓度为2.0×10-5mol/L;TiO2浓度为0.1 g/L;光照时间为12 min.采用抗坏血酸为羟基自由基清除剂,测定了其自由基清除率,表明拟定该体系可作为筛选抗氧化剂的方法之一.     

乙基罗丹明B-磷钒钼杂多酸-PVA体系超高灵敏显色反应的研究及应用

研究了乙基罗丹明B 磷钒钼杂多酸 PVA体系超高灵敏显色反应的适宜条件、灵敏度和选择性 ,及在实际工作中的应用。缔合物的最大吸收波长为 5 86nm ,表观摩尔吸光系数为 1.4×10 5L·mol- 1·cm- 1。方法用于钢铁、化学试剂和铬铁矿等中痕量磷的直接测定 ,结果满意     

AFC原理及其应用

ＡＦＣ原理及其应用樊萌春（包头电视台）ＶＯ五型机及近年登场的三状态兼容的ＳＰ—ＶＯ九型机等机种中，ＡＦＣ（ａｕｔｍ－ａｔｉｃｆｒｅｎｕｅｎｃｙｃｏｎｔｒａｌ）电路的设计目的就是用于变速重放（慢放、快放、停像）。直观讲，就是为了在非正常重放时使监示器上...     

沟槽栅IGBT非晶Si填槽工艺研究与优化

采用低压化学气相淀积(LPCVD)非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺.分析了LPCVD非晶Si工艺参数如PH3体积流量和沉积时间等对LPCVD非晶Si填槽能力的影响,通过调制P掺杂浓度和优化非晶Si淀积时间,得到槽底侧壁与槽口侧壁非晶Si厚度差值为0.022 μm的基准非晶Si填槽工艺,优化了LPCVD非晶Si反复多次填槽工艺条件.结果表明,采用优化后的工艺可实现沟槽栅IGBT器件沟槽非晶Si无缝回填,器件的栅极电阻降低了0.150 Ω,漏电流降低了1.408 nA,成品率提升了0.4％.     

掺铬钛酸锶晶体的氧化还原诱导吸收及发光的退火效应和浓度效应

制备了纯的、掺0.005、0.01、0.2和0.5wt%Cr2O3的钛酸锶单晶.测量了不同退火条件下的室温透射光谱及6.5K以上的荧光光谱.对晶体的氧化和还原热处理诱导吸收及退火和掺杂浓度对晶体发光的影响进行了较为详细的研究.     

磷酸盐玻璃中Yb~(3+)和Nd~(3+)之间的声子参助能量转移

本文中报道了磷酸盐玻璃中Nd~(3+),Yb~(3+)的时间分辨谱和激发能量的转移。通过实验确定了在不同温度下的转移速率。证实了Nd~(3+)→Yb~(3+)的能量转移机构为从~4F_(3/2)(Nd~(3+))到~2F_(5/2)(Yb~(3+))并同时产生单声子发射的过程;而从Yb~(3+)到Nd~(3+)可能有两种转移途径;一是从~2F_(5/2)(Yb~(3+))到~4F_(3/2)(Nd~(3+))同时吸收一个声子,另一是从~2F_(3/2)(Yb~(3+))到~4I_(13/2)(Nd~(3+)),同时产生四声子发射的过程。因此Yb~(3+)→Nd~(3+)的转移速率强烈地依赖于温度。室温下,Nd~(3+)→Yb~(3+)和Yb~(3+)→Nd~(3+)的转移时间分别为～197μs和13ms,转移效率分别为47％和8％。当600K时,Yb~(3+)→Nd~(3+)的转移效率可增加到37％,转移时间缩短为2ms。     

GEOENVIRONMENTAL CHARACTERS OF YELLOW (HUANGHE) RIVER SUSPENDED LOAD

Three important characters of the suspended load of the Yellow (Huanghe) River are discussed, i.e. its temporal fluctuation as a function of solar activity, its uneven spatial distribution along the main course and the inevitability of these phenomena as a natural earth process rather than a result of disturbed ecological system caused by human activity. Implications of this understanding with regard to the control of the Yellow River are also discussed.     

Stress-induced leakage current characteristics of PMOS fabricated by a new multi-deposition multi-annealing technique with full gate last process

In the process of high-k films fabrication, a novel multi deposition multi annealing(MDMA) technique is introduced to replace simple post deposition annealing. The leakage current decreases with the increase of the post deposition annealing(PDA) times. The equivalent oxide thickness(EOT) decreases when the annealing time(s) change from 1 to 2. Furthermore,the characteristics of SILC(stress-induced leakage current) for an ultra-thin SiO_2/HfO_2 gate dielectric stack are studied systematically. The increase of the PDA time(s) from 1 to 2 can decrease the defect and defect generation rate in the HK layer. However, increasing the PDA times to 4 and 7 may introduce too much oxygen, therefore the type of oxygen vacancy changes.     

单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.