强光一号加速器测量电缆补偿技术

为满足快信号测试要求,提出了利用滤波器原理设计补偿器来提高传输线带宽,以减小信号在传输过程中的畸变和损失。针对强光一号加速器测试电缆特性,设计制作了小型化的带宽补偿器。通过采用该电缆补偿技术,强光一号加速器测量电缆补偿后的传输带宽达到200 MHz,幅度为原始信号的1/3,满足了强光一号加速器测试电缆快信号传输的要求。给出了原始信号、未补偿信号及补偿后信号的比较结果,证明补偿后的信号明显比未补偿信号更接近原始信号,原始信号经电缆传输后造成的前沿损失和波形畸变通过带宽补偿器后获到了明显的补偿和修复。编制了专用补偿器设计软件,使补偿器初期设计中的极零对寻找、元器件参数计算等工作实现自动化。     

一种引入自适应动量项的变步长混沌信号盲分离算法

该文针对混沌信号盲分离问题,提出一种改进盲分离算法。该算法利用信号分离评价指标来构造函数实现步长和动量因子的自适应调整,然后将构造函数代入盲分离算法中并引入自适应动量项。区别于大多数算法不对混合矩阵进行估计的问题,该算法用变步长函数迭代估计出混合矩阵,从而得到全局矩阵和估计评价指标,以此迭代更新步长和动量因子,最终得出分离矩阵。仿真表明,该算法依据估计评价指标构造函数调整步长和动量因子方法是有效的,在平稳和非平稳环境下对混合混沌信号分离时都能达到收敛速度快且稳态误差小的效果;在混入色噪声时,比传统算法抗噪性能好,表明该文算法在混沌信号盲分离处理中有一定应用价值。     

n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合

采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-电压特性表明,键合得到的n-GaAs/p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1.08.n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义.     

基于DSP的嵌入式汉语文语转换系统及其VLSI设计方案

简要讨论了嵌入式文语转换(ETTS)系统的概念.介绍了一个基于DSP实时实现的嵌入式汉语文语转换(ECTTS)系统.基于DSP实现的结果,分析了ECTTS系统的VLSI实现方案,提出了基于动态内存管理的ECTTS系统前端处理VLSI实现方案,基于解码语音帧的ECTTS系统后端合成VLSI实现框架并对ECTTS系统的VLSI实现中的存储器及总线结构进行了讨论.     

镍-钨-钙基底金属氧化物阴极在显象管中的应用

一、前言 随着我国电视工业的迅速发展,对电视机所用显像管的寿命指标提出了愈来愈高的要求。国产23X5B(9英寸)显像管的寿命原部颁标准为750小时,目前多数管的实际寿命一般不超过2000小时,远不能满足要求。 本实验的目的是试备用Ni-W-Ca合金代替Si-Ni合金作阴极基底金属,以提高9英寸显像管的寿命。实验表明,在不改变原制管工艺的情况下,更换阴极基底金属后,9英寸管的寿命可以提高到700012000小时,甚至更高     

海底集矿机和移动输送站最小安全距离研究

海洋矿产资源的开发正由浅海向深海发展,水下输送管道作为深海采矿系统中的必备构件,其作业安全尤为重要.本文以6000m深海采矿工程为背景,研究了海底集矿机、海底移动输送站及连接两者的矿料输送管道的运动协调关系.首先,用悬链线理论得到输送管道的初始构形,基于有限元方法,构建了集矿机-输送管道-移动输送站系统三维动态响应模型,进而讨论了集矿机和移动输送站运动过程中,输送管道形态和应力的变化.结果表明,集矿机与移动输送站靠近时,输送管道的最大应力增长速度变快,威胁采矿系统的作业安全.基于此,提出了集矿机与移动输送站最小安全距离的概念,分析并给出了管道壁厚和材料屈服应力对最小安全距离的影响规律.     

利用 LiF 空穴阻挡层提高有机发光二极管效率

通过引入LiF,明显提高了基于八羟基喹啉铝双层有机发光二极管的发光效率.2 nm 厚的 LiF 空穴阻挡层可将器件的发光效率从 2.6 cd/A 提高到 6.3 cd/A,研究结果表明,LiF 空穴阻挡层可以有效调节空穴的注入与传输,平衡器件中的空穴与电子,提高有机发光二极管的发光效率.     

用Stigmatic Points法设计高性能80通道阵列波导光栅器件

采用Stigmatic Points方法改进传统的罗兰圆结构设计方法,给出一个实用化、高性能80通道阵列波导光栅器件设计方案.对采用这两种设计方法得到的器件性能结果进行了比较分析,指出了传统设计方法在设计大通道数阵列波导光栅器件中存在的问题以及Stigmatic Points方法对器件性能的改进.     

780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器

采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长. 在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In carry-over effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量. 器件的阈值电流从界面改善前的560mA 减小到改善后的450mA, 斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A, 特别是单面最大输出功率已经从370mW 增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA 上升为1820mA.