论红外探测系统的作用距离（下）

红外探测系统包括用于点源目标的探索系统和用于扩展源目标的热成像系统。作为一个系统级的性能描述参数,作用距离可用于表征探测过程的质量。探测器作用距离方程取决于目标是点源还是扩展源,同时还取决于所期望的是辐射能量形式还是光子形式。介绍了不同条件下的作用距离方程。讨论了系统参数（比如光学系统的F／孝、直径和探测器张角等）对搜索系统和热成像系统作用距离的影响。介绍了对红外探测系统作用距离的理解和体会。     

短波紫外光照射对n型碲镉汞探测器的影响

用波长以１８４９和２５３７为主的短波紫外光对经阳极氧化的光电导器件进行一定时间的照射，结果表明，器件探测率和响应率显著提高．     

HgCdTe阳极氧化膜及界面XPS分析

通过电子能谱仪对经阳极氧化表面钝化工艺处理的的ＨｇＣｄＴｅ表面所生成的氧化膜有界面进行深度分析研究，结果表明，该氧化膜中Ｔｅ和Ｃｄ的单质成分存在，氧化膜中的氧化物形式为ＴｅＯ２，ＣｄＴｅ２Ｏ５和ＨｇＴｅ２Ｏ５；在界面中，随着剖析深度的增加Ｔｅ２Ｏ＾２－５，向ＴｅＯ＾２－３过渡。     

高性能InP/InGaAs宽光谱红外探测器

InP/In0.53Ga0.47As短波红外探测器是一种高性能的近室温工作器件,从200K到室温下都能获得较好的器件性能,从而大大降低了对制冷的要求.为了充分利用目标在可见光和短波波段的光谱信息,通过特殊的材料结构设计和器件背减工艺,成功实现了320×256InP/InGaAs宽光谱红外探测器,能够同时对可见光和短波红外响应,并从77 K到263 K工作温度下实现了对人脸、计算机及室外2.3 km处的景物成像.测试样管平均峰值探测率为2×1012 cmHz1/2/W,光谱响应为0.6～1.7 μm,光谱响应测试和成像结果同时验证了InP/InGaAs宽光谱探测器对可见光信号的探测.相比标准的InP/In0.53Ga0.47As短波探测器,InP/InGaAs宽光谱探测器显示了可见/短波双波段探测的效果,大大丰富了探测目标的信息量,可显著提升对目标的识别率.     

2μm像元间距GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面探测器

量子阱焦平面探测器具有大面阵焦平面探测器重复性和均匀性好、成品率高、成本低等明显的产业化优势,在军民两用领域获得了广泛而重要的应用.为了尽快研制出全国产化高性能量子阱红外焦平面探测器,通过完全正向的器件设计,采用常规光刻和反应离子刻蚀方法,成功研制出87.1%的高占空比320×256长波量子阱焦平面探测器,峰值波长9μm,平均峰值探测率1.6×1010cm·Hz<1/2·W-1.第一支样管的噪声等效温差为33.2 mK,响应率不均应性8.9%.面阵盲元率1%.在70 K温度下获得了1 km和4.2 km处的建筑物的清晰成像.实验结果充分显示了器件设计的正确性及研制技术的可控性.     

基于多层薄膜的长波红外InAs/GaSb Ⅱ类超晶格焦平面光响应调控研究

本文系统报道了基于InAs/GaSb Ⅱ类超晶格（T2SLs）的长波红外探测器的研究进展。从衬底、材料生长以及器件性能角度对比分析了基于GaSb、InAs衬底的各种器件结构的优缺点。分析结果表明,以InAs为衬底、吸收区材料为InAs/InAs_1－xSb_x、PB₁IB₂N型的结构为相对优化的器件结构设计,结合ZnS和Ge的多层膜结构设计或者重掺杂缓冲层,同时采用电感耦合等离子体（inductively coupled plasma）干法刻蚀工艺,该器件的50%截止波长可达12 μm,量子效率（quantum efficiency）可提升到65%以上,暗电流密度降低至1×10^－5 A/cm²。并归纳总结了InAs/GaSb T2SLs长波红外探测器未来的发展趋势。     

国外量子阱红外焦平面探测器的发展概况

以GaAs/A1GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ量子阱红外焦平面探测器因其成熟的材料生长和器件工艺技术,一直是与传统的HgCdTe红外探测器并驾齐驱的红外探测器.近十年来随着对器件结构、机理及器件工艺的不断改进,大面阵Ⅲ-Ⅴ量子阱红外焦平面器件发展显著.本文介绍了量子阱红外焦平面探测器的优越性及存在的问题,当前欧美国家量子阱红外焦平面探测器的最新研究发展、产品现状及应用前景.     

碲镉汞光化学氧化钝化及机理分析

采用光化学氧化钝化方法,首次实现了对n型碲镉汞光电导探测器的表面钝化;利用XPS分析了不同光化学氧化条件对氧化的影响及氧化物的构成,探讨了光化学氧化钝化的机理,并对光化学氧化钝化和阳极氧化的两类探测器性能进行了比较.     

离子束刻蚀HgCdTe成结机制分析

根据由离子束刻蚀HgCdTe pn结C-V曲线,判定其为线性缓交结;由1/C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度.利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽度作为边界条件)积分计算出其电场分布、电势分布等重要结特性.并且进一步从微观理论分析讨论了离子束刻蚀HgCdTe成结机制过程.