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对 n型源区、p型势垒区和具有 δ(p+ )薄层势垒区的两种结构 BRAQWET的能带模型 ,作了严格的定量分析 ,由此可以导出设计良好器件的优化参量。这是设计 BRAQWET的理论基础 相似文献
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p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器研究 总被引:4,自引:0,他引:4
本文首次对具有p-InGaAs肖特基势垒增强层的p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器做了较系统研究。实验结果表明:具有20nm厚增强层器件的暗电流为3.5×10(-11)A(5伏,30×40μm~2);而具有40nm厚增强层器件的FWHMM为350ps(6伏)。 相似文献
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本文对MISS(金属-绝缘层-AlGaAs-GaAs)和MES(金属-AlGaAs-GaAs)结构异质结中二维电子气的栅控特性做了系统的理论分析.由此,给出与器件性质密切相关的平带电压和异质结各参量间的关系.值得指出,为了制造适宜于LSI中应用的增强型PET,应对AlGaAs进行最佳掺杂,而不用通常的均匀掺杂.文中也给出了这一最佳掺杂条件. 相似文献
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本文通过分析In_(0.53)Ga_(0.47)As材料的电子漂移速度与电场的非线性关系,研究了In_(0.53)Ga_(0.47)As金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD)的光电响应与指状电极间距离、光吸收层杂质浓度及工作电压之间的关系。研究结果表明、光电响应速度存在最佳值。用计算机辅助分析得到的In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM-PD的光电响应时间与偏置电压的关系与实验器件实测结果相一致。研究结果为设计高速响应In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM-PD及建立器件光电响应模型提供了依据。 相似文献
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MOS结构中光注入时外电路电流特性与绝缘膜中陷阱俘获截面密切相关.本文给出了外电路电流的时间衰减关系.借此,可以方便地测量陷阱的俘获截面.该方法可以应用于非硅衬底的金属-绝缘膜-金属(MIM)结构中. 相似文献
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给出了对DCFL电路单元的研究,包括电路设计和用先进的P埋层自对准栅工艺制作电路的实验结果。表明它可以适用于大规模GaAsDCFL电路的设计和制造。 相似文献
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研究了适用于GaAs离子注入材料的石墨红外快速热退火方法,对Si~+注入GaAs材料进行950℃,6秒快速退火。从测得的电学特性,DLTS和GaAs MESFET的研究结果表明,红外快速热退火工艺可获得高质量的有源层以及抑制电子陷阱EL2的外扩散。 相似文献