野外分光反射率计的原理及设计

本文阐述了利用相对法测量地物光谱反射率的原理及野外分光反射率仪器系统的设计方法。仪器系统灵敏度 高，动态范围大，操作简单，便于野外使用，具有较高的性能价格比。     

融熔织构YBa_2Cu_3O_7的电阻展宽

测量了融熔织构 YBa_2Cu_3O_7在磁场中电阻转变的展宽效应.发现 R(T,H)=R_0exp[-U_0/k_BT],仍满足 Arrhenius 关系,钉扎能 U_0(H)仅为 eV 量级.讨论了影响 J_c 和磁通蠕动的因素.     

中心外的同阶元必共轭的有限群

证明了在有限群G中, 若中心外的任何两个同阶的元素均共轭, 则G为交换群或者G≌S₃.     

氢流体的第二维里系数

本文根据Lennard-Jones(LJ)势,modified Buckingham(exp-6)势,Silvera-Goldman(SG)势和Nellis et al.(NEL)势,计算氢流体的第二维里系数,并从第二维里系数求得波义耳温度、焦耳-汤姆森效应的转变温度,并与实验结果进行了比较。最后评价了各种互作用势在不同温度下的适用性:LJ势在高温下有极好的结果,但在低温下误差较大;其中NEL势在低温下与实验结果符合得最好,SG势次之,但这两种势在高温下都不好;exp-6势在高温下不如LJ势,而在低温下是最糟的。     

SOS膜横断面的电子显微镜研究

本文叙述用高温氢退火处理提高SoS膜的结晶质量的实验结.SOS膜的光吸收因子F_A值在氢退火温度920～1020℃,4.5小时下可下降20～30%,达到126×10~6cm~(-2).SOS膜横断面电镜观察证明,SOS膜结晶质量的改善是与界面附近微孪晶、层错等缺陷的减少有关.     

SOI电路窄沟槽隔离技术研究

文章利用SOI材料片做衬底,开展了SOI电路窄沟槽隔离技术的研究,解决了窄槽刻蚀、多晶硅回填、平整化等技术难题,获得了优化的SOI电路窄沟槽隔离工艺技术条件;岛与岛之间的隔离击穿达到300 V,为下一步研制生产SOI电路打下了坚实的基础.     

Effect of Laser Cooling on Frequency Standard of Single Ca^＋ Ion Trapped in a Radio-Frequency Paul Trap

The source of systematic frequency shift of single-ion optical frequency standard of^40 Ca^＋ ion trapped in endcap trap and laser-cooled to a few of mK is analysed and calculated. Second-order Doppler shift, Stark shift due to micromotion and thermal motion, blackbody Stark shift and ac Stark shift are calculated for the ground state and excited 3d ^2D5/2 state. The Hertz-level measurement of the optical clock frequency in a single ^40Ca^＋ ion can be performed.     

锂离子电池管理芯片部分功能电路的设计

本文介绍了锂电池保护电路设计的一般原理，并给出了设计实例，重点描叙了本芯片设计中部，分功能电路的实现方法。