Irradiation Defects in Silicon Crystal

The application of irradiation in silicon crystal is introduced.The defects caused by irradiation are reviewed and some major ways of studying defects in irradiated silicon are summarized.Furthermore the problems in the investigation of irradiated silicon are discussed as well as its properties.     

在贯彻GJB9001A-2001质量体系过程中出现的问题及其对策

根据现阶段贯彻实施巳发布的国家军用标准GJB9001A-2001实际，综合论述了认证此质量体系有效性要处理的几个关键，基本特征及制约因素，提出获证后质量体系持续有效运行的建议，对质量体系建设和创新问题进行了探讨。     

使用Wind32优化内存和文件I／O管理

分析了传统I/O管理中存在的一些问题和Win32部件对象的特性，详细介绍了使用内存映射文件的全过程。为了使用的方便。设计了一个C^ 来包装使用内存映射文件的API函数。并用于实际的编程。具有一定的实用价值。     

^95Zr核的高自旋态研究

利用102MeV的^28Si束流，通过^60Ni(^28Si，2pn)熔合蒸发反应布居了^85Zr核的高自旋态，测量了γ-γ符合及DCO比值，建立了一个有43条能级，75条γ跃迁的能级纲图，新增加了36条γ跃迁，25条能级。将能级自旋推高到（49/2^ ），首次观察到了转边带的第二回弯。并确认了一条建立在17/2^-负字称带上的磁转动带。     

可编程系统芯片（SOPC）发展策略

深亚微米技术和超深亚微米技术的发展使电子工业正在向可编程系统芯片（SOPC）设计转移。针对SOPC全新的设计流程，本文提出了基于IP的SOPC设计集成平台概念和设计策略，以及基于FPGA/CPLD的SOPC实现方案。     

激光二极管抽运的GaAs被动Q开关Nd：YVO4激光器

利用固体可饱和吸收体砷化镓（GaAs）作为被动调Q元件，实现了激光二极管抽运平－凹腔掺钕钒酸钇（Nd:YVO4）激光调Q运转，详细测量了砷化镓被动调QNd:YVO4激光输出特性，获得脉宽15ns，重复频率470kHz，光束质量M^2=1.31的激光输出，调Q激光运转阈值为500mW，并数值求解了砷化镓被动调Q速率方程，讨论了被动调Q机理以及调Q脉冲宽度和脉冲重复频率对抽运速率的依赖关系，理论计算结果与实验结果相一致。     

Solc型双折射滤波器离轴消光比的研究

提出了一种Solc型双折射滤波器的离轴消光比的一般性计算方法，利用所得结果模拟出了Solc型双折射滤波器的锥光干涉图以及发散光积分消光比与波长和发散角的关系曲线，实验结果证实了理论推算的合理性，此外本方法也适用于计算各种类型双折射滤波器的离轴消光比。     

ZK—4、NaANaHS3种沸石的铝化

用高温气－固相置换法对ZK－4、NaANaHS3种沸石进行铝化。组成分析、尾气分析、X射线衍射、晶体形貌分析、红外光谱和^29Si高分辨魔角固体核磁结果表明，3种低硅铝比沸石铝化后骨架可能存在Al-O-Al键。