2GHz频带数字无线电系统分集设备—2S—P3方式空间分集设备

2GHz频带数字无线电系统(2S-P3方式),是为使用于需要话务量小的汇接中心与终端局(TC-EO)之间及内航船舶电话基地局的中继电路等研制的,1978年已结束研制工作。今后计划在汇接中心以下的电路中广泛地引入使用。     

探寻林火的红外扫描器

森林或荒地的火一旦已被扑灭,仍然有在还是温暖的地区再次爆发火灾的危险。而这些地区常常是不容易被探测到的。加拿大和瑞典所用的一种系统采用了直升飞机装载的红外探测仪器,所有热源在该仪器的萤光屏上显示为明亮区。飞行高度范围是在300到1000呎之间,飞机按纵和横两个方向飞行以探测隐藏在障碍物后面的热点。然后围绕可疑区上方飞行,逐渐缩小盘旋范围以进行更详细的研究。这     

室温InSb对高强度5.3微米辐射的非线性光电导响应

据发现ORP 10 InSb探测器的光电导响应与在5.3微米高辐照度下的照射强度的立方根有关。线性响应的限制功率(～1瓦)与资料[1]作者所提出的关于高迁移率半导体的理论是相符的。     

用反应性射频平面磁控溅射在低温下生长压电AlN薄膜

AlN是很有前途的压电薄膜之一,因为它有较高的声速和相当大的机电耦合系数.至今所报导过的AlN薄膜制作方法有化学气相沉积、射频溅射、以及反应性分子束外延等.在这些工艺中基片温度都相当高,约从1000—1300℃.所以兰宝石是能进行外延生长的唯一材料,而在AlN薄膜和兰宝石基片间不能设置金属电极.本文指出,在温度为50—500℃兰宝石基片上用射频平面磁控反应溅射     

温差电致冷探测器

温差电致冷探测器组件是一种坚固、重量轻、比较便宜的器件,可供在适中温度(150～250K)下工作的红外系统的设计者和用户使用。本文探讨了温差电致冷探测器组件的一些比较重要的特点,在与其他致冷方式相比时它们的优点和不足之处,以及它们的可靠性。本文对这些器件的一些应用作了简要评述。另外讨论了设计者在选择红外系统所用致冷技术时所必须考虑的一些因素。     

硫酸三甘肽和3～5微米(Hg,Cd)Te探测器发展近况

近年来,红外探测器一般是按照两个方向发展:第一,改进具有最高性能的探测器,包括致冷;第二,研制对冷却要求较低或不需要冷却的探测器。本文所讨论的是第二种情况的两项改进。热电探测器可以用一系列材料制备,但硫酸三甘肽具有许多优点。已研究了掺有机分子的方法,证明可以消除去极化效应和改进电性能。用重氢化材料可以达到较高的工作温度。已能达到在1000赫时为10~8厘米·赫~(1/2)瓦~(-1)和在10赫时为10~9的探测度。(Hg,Cd)Te合金中的Cd与Hg之比可以进行调节,这样可以获得3～5微米光导探测器的最佳特性,它们可以在环境温度下或用简单致冷系统就可达到的温度下工作,同时在该范围内具有超过其他探测器的优点。探测器阵列可以按制备77°K探测器的类似方法制备。这两类探测器在光谱应用中都具有优点。对于热探测来说,由于它们的最佳特性处于不同频率范围,因而可以互相补足。     

1450 mm六辊可逆冷轧机组电气控制系统

介绍了1450mm六辊可逆冷轧机组及电气控制系统构成，主要包括：电气系统的网络结构、PLC控制系统、直流传动系统，AGC控制系统、供配电系统及各部分的功能及硬件组成等。此电气控制系统运行稳定，操作控制简单，充分满足了生产工艺的要求，达到了设计指标。     

IIR滤波器的设计

IIR型(无限冲激响应型,即递归型)数字滤波器的处理时延小,适于实时滤波器之用。本文讲解IIR滤波器的设计问题,介绍采用标准Z变换、双一阶Z变换的模数转换方法以及直接近似方法。文中给出了这些设计方法的设计步骤、适用对象和设计实例。     

反应离子腐蚀/等离子体腐蚀设备

Tegal1500系列是平板式反应离子腐蚀/等离子腐蚀设备,其基本设计构思是采用二个频率、三个电极方式而获得的预期工艺控制性和采用完整的组件结构而构成的特殊的硬件。基于这一设计构思,1500系列腐蚀设备既可以满足研究开发所需求的多样性工艺,又可以满足生产线的高可靠性、高实动率这一大生产要求。     

用有机金属法生长的高质量Hg_(1-x)Cd_xTe外延层

把许多光电探测器元件(金属-绝缘体-半导体光电二极管或光导器件)制成阵列形的能力取决于在适当的衬底上制得具有优良电子性能和均匀性的这类材料薄层的能力。而这种均匀性要求用传统方法如液相外延法(LPE)是难以满足的。有机金属化学汽相淀积法(OMCVD)是为此原因提出的另一种可供选择的方法。用OMCVD法生长Hg_(1-x)Cd_xTe最初是由Irvine等作者报导的,采用的是Cd和Te物